Приставка для проверки транзисторов. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Начинающему радиолюбителю

 Комментарии к статье

[an error occurred while processing this directive]

Известная по публикациям в журнале идея применения диодных мостов в измерительной технике позволила автору предлагаемой статьи разработать простую приставку - своеобразный коммутационный узел для контроля параметров биполярных и полевых транзисторов практически всех типов.

Приставка используется совместно с многопредельным миллиамперметром постоянного тока и автономным источником питания. Она позволяет измерять немало параметров: статический коэффициент передачи тока биполярных транзисторов в схеме с общим эмиттером при фиксированном значении тока базы (10, 30, 100, 300 мкА; 1,3, 10, 30 мА); начальный ток стока полевых транзисторов с р-n переходом или встроенным каналом; ток стока полевых транзисторов с индуцированным каналом при напряжении на затворе, равном половине напряжения сток-исток; крутизну характеристики полевых транзисторов с двумя затворами по каждому из них; крутизну характеристики полевых транзисторов при использовании вывода подложки (корпус-подложка) в качестве второго затвора. Идея этой приставки заимствована из [1].

Принципиальная схема приставки приведена на рисунке. Транзистор VT1 и резисторы R1-R8 образуют источник стабильного тока для питания цепи базы проверяемого биполярного транзистора, выводы которого включают в гнезда Х1-ХЗ. Значение тока устанавливают переключателем SA1. Диоды VD5, VD6 и резистор R14 определяют смещение по цепи истока полевого транзистора. Делители R9, R10 и R11-R13 обеспечивают смещение на первом (31) и втором (32) затворах.

Напряжение на первом затворе (гнездо Х5) должно быть равно падению напряжения на диодах VD5, VD6.

Такое же напряжение должно быть и в точке соединения резисторов R12, R13.

Полярность напряжения питания, в зависимости от типа биполярного (канала полевого) транзистора, устанавливают переключателем SA2. При этом благодаря диодным мостам на диодах VD1 - VD4 и VD7-VD10 удалось обойтись без переключений полярности в цепи базы и коллектора (стока) проверяемого транзистора.

Переключатель SA1 - галетный, SA2- типа П2К или аналогичный на два положения с двумя группами контактов. Кнопки SB1-SB3 - МП9 либо другие. Диоды VD1-VD4 могут быть любые кремниевые с максимальным прямым током 40-60 мА и обратным напряжением не менее 30 В, VD5-VD10 - также кремниевые, рассчитанные на прямой ток до 1 А при обратном напряжении не менее 30 В. Диоды VD1-VD4 и VD7-VD10 допустимо заменить соответствующими по параметрам блоками серий КЦ402-КЦ405. Транзистор (он может быть, кроме указанного на схеме, КП302В, КП302Г) необходимо установить на теплоотвод, поскольку при проверке мощных транзисторов либо установке тока базы 30 мА на нем будет рассеиваться значительная мощность. Измерительный прибор, подключаемый к приставке, - многопредельный любого типа с максимальным током от десятков до сотен миллиампер.

Источник питания должен обеспечивать постоянное напряжение 4. 5 В и ток до 1 А - на случай контроля биполярных транзисторов большой мощности. Для контроля полевых транзисторов с индуцированным каналом напряжение питания должно быть 9...15 В, поэтому в блоке питания необходимо установить переключатель выходного напряжения, которое, кстати, совсем не обязательно стабилизировать.

Настройку приставки начинают с подбора резисторов R1-R8, контролируя ток между гнездами Х1 и ХЗ и устанавливая подвижный контакт переключателя SA1 в соответствующее положение. Подбор каждого резистора заканчивают, если ток не отличается более чем на 10 % от желаемого. После этого подбирают резисторы R10, R13 такого сопротивления, чтобы напряжение на них было равно или немного меньше падения напряжения на диодах VD5, VD6.

Чтобы удобно было подключать к приставке проверяемые транзисторы, необходимо изготовить переходные панели с гибкими выводами, оканчивающимися вилками, вставляемыми в гнезда приставки. Для мощных транзисторов следует изготовить одиночные проводники с зажимами "крокодил" и вилками.

Перед подключением транзистора для контроля необходимо установить переключателем структуру (тип канала), подключить миллиамперметр с максимальным пределом измерений, включить источник питания. Значение тока базы 10 и 30 мА следует устанавливать переключателем SA1 только в момент измерений при нажатой кнопке SB 1, а переключать пределы измерений миллиамперметра - при отпущенной этой кнопке.

Проверку биполярных транзисторов ведут в такой последовательности.

1. Переключателем SA2 установить нужную структуру - р-n-р или n-р-n.

2. Подсоединить миллиамперметр, источник питания и транзистор к соответствующим гнездам.

3. Переключателем SA1 установить требуемый ток базы.

4. Нажать кнопку SB1 и определить по шкале миллиамперметра ток коллектора, после чего рассчитать коэффициент передачи тока базы по формуле h21Э=Ik/Iб.

Если цоколевка выводов транзистора неизвестна, необходимо вначале определить базу и структуру транзистора с помощью омметра по известной методике. Выводы эмиттера и коллектора определяют по максимальному значению h21Э.

А вот какова последовательность проверки полевых транзисторов.

1. Переключателем SA2 установить тип канала.

2. Подсоединить миллиамперметр и источник питания.

3. МДП транзистор со встроенным каналом или транзистор с р-n переходом соединить с соответствующими гнездами: исток - с гнездом Х7 ("И"), подложку (корпус-подложку) - с Х8 ("П"), затвор - с Х5 ("31"), сток -сХ4 ("С").

4. Нажать на кнопку SB1 и определить по отклонению стрелки миллиамперметра значение тока стока - он должен соответствовать параметру Ic нач, приводимому в справочниках.

5. Нажать одновременно на кнопки SB1, SB2 и определить новое значение тока стока.

6. Рассчитать крутизну характеристики по формуле S = lc/U, где lc - разность токов, измеренных по п. 4 и 5, мА; U - падение напряжения на резисторе R10, В. Сравнить полученное значение со справочными данными.

7. Вывод затвора соединить с гнездом ХЗ, а вывод подложки (корпуса-подложки) - с гнездом Х5.

8. Нажать на кнопку SB1 и определить ток стока, после чего нажать одновременно на SB1, SB2 и определить новое значение тока.

9. Рассчитать значение крутизны по подложке по формуле sn = Ic/u, где Ic - разность токов, измеренных по п. 8, мА; U - падение напряжения на резисторе R10, В.

В [2] рассмотрены вопросы использования подложки (корпуса-подложки) в качестве второго затвора, но в справочниках этот параметр не приводится.

При проверке МДП транзисторов с индуцированным каналом соединения выполнить, как и в предыдущем случае, но вывод затвора соединить с гнездом Х6 ("32"). Измерить токи стока, нажимая сначала на кнопку SB1, а затем одновременно на кнопки SB1 и SB2. Рассчитать значение крутизны по первому затвору, учитывая, что U - падение напряжения на резисторе R13.

Чтобы определить крутизну по подложке, этот вывод нужно соединить с гнездом Х5 (31). Как и в предыдущем случае, сначала нажимают на кнопку SB1, а затем одновременно на SB1 и SB2. После этого рассчитывают значение крутизны, учитывая, что U - падение напряжения на резисторе R10.

Контролируя транзисторы данного типа, следует помнить, что ток стока, измеренный по первому пункту, должен соответствовать току, определяемому по семейству сток-затворных характеристик, приводимых в справочниках (Uси - напряжение питания; Uзи = 0,5 Uси).

Для контроля двухзатворных полевых транзисторов необходимо сначала установить переключателем SA2 тип канала, после чего подсоединить к приставке выводы транзистора в такой очередности: исток, первый затвор, второй затвор, сток. Манипулируя нажатием на кнопки SB1, одновременно на SB1 и SB2, одновременно на SB 1 и SB3, измерить токи стока и рассчитать значение крутизны по затворам. Проверка таких транзисторов возможна только в режиме обогащения.

Литература

1. Долгов О. Измеритель коэффициента передачи тока базы транзисторов. - Радио, 1997, № 1,с. 38.
2. Бочаров Л.Н. Полевые транзисторы. - М.: Энергия, 1976.

Автор: В.Календо, г.Минск, Белоруссия

Смотрите другие статьи раздела Начинающему радиолюбителю.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Биокаталитический способ получения хиральных оксазолидинонов 14.10.2026

Химия все чаще обращается к биологическим молекулам, чтобы сделать синтез сложных веществ более точным и эффективным. Особенно важны такие технологии при создании соединений, у которых одинаковый химический состав может сопровождаться разным пространственным расположением атомов и, следовательно, различными свойствами. Исследователи из Калифорнийского технологического института и Университета Питтсбурга предложили новый биокаталитический подход, позволяющий получать хиральные оксазолидиноны непосредственно из простых неактивированных алкенов. В основе предложенного метода лежит последовательность из двух реакций - азиридинирования и последующего расширения цикла. Этот каскад запускается с помощью гемопротеина, который выполняет функцию катализатора и позволяет направлять химическое превращение в нужную сторону. В результате из относительно простого исходного соединения формируется более сложная циклическая структура с заданной пространственной конфигурацией. Особенно существенным ...>>

Клавиатура Gboard kurukuru version с вращающимися лентами 14.10.2026

Обычная клавиатура предполагает, что движется человек: пальцы перемещаются от одной неподвижной клавиши к другой, а расположение символов остается неизменным. Google Japan решила перевернуть этот привычный принцип и проверить, что произойдет, если заставить двигаться сам интерфейс. Так появился экспериментальный проект Gboard, в котором клавиши постоянно перемещаются и сами оказываются в зоне нажатия. Необычная конструкция получила название Gboard "Курукуру-версия" (Gboard kurukuru version). Проект стал очередным ежегодным экспериментом японского подразделения Google, посвященным альтернативным способам взаимодействия человека с текстом. На этот раз идея не ограничилась компьютерной концепцией: специалисты создали полноценный физический прототип, способный работать в реальных условиях, а материалы для его самостоятельного изготовления сделали доступными для всех желающих. Основу устройства образуют четыре замкнутые подвижные ленты, вращающиеся вокруг конструкции. На каждой из них ...>>

Легкий бег влияет на мозг и самоконтроль 13.10.2026

Физическая активность не обязательно должна быть интенсивной, чтобы на короткое время изменить состояние мозга. Новое исследование японских специалистов показывает, что даже непродолжительный бег с очень небольшой нагрузкой способен повлиять на настроение, внимание и способность контролировать собственные действия. Причем для этого, по данным эксперимента, может быть достаточно всего 10 минут. Работу провели исследователи из Университета Цукубы с участием 24 здоровых молодых людей. Добровольцы выполняли два разных условия: в одном случае они спокойно сидели в течение 10 минут, а в другом такое же время проводили на беговой дорожке. Скорость во время пробежки составляла приблизительно от 3 до 6 км/ч, поэтому нагрузка оставалась сравнительно небольшой. Средняя частота сердечных сокращений участников при этом находилась в пределах 104-107 ударов в минуту. После завершения физической активности добровольцы сообщали о большей бодрости и более приятном эмоциональном состоянии по сравне ...>>

Случайная новость из Архива Технология измерения времени с точностью до зептосекунд 02.01.2023 Насколько быстро двигаются электроны между атомами в пределах одной молекулы? Чаще всего им требуется всего несколько аттосекунд (10^-18 секунды или миллионной от миллиардной доли секунды). Отслеживание таких быстрых процессов является сложной задачей, и недавно группа ученых из Австралии разработала новую интерференционную технологию, способную обеспечить измерение временных задержек с зептосекундным (10^-21 секунды или триллионной от миллиардной доли секунды) разрешением. В качестве проверки эта технология была использована для измерения задержки между двумя импульсами света, излучаемыми разными изотопами водорода - нормальным водородом (H2) и дейтерием (D2), на которые оказывалось одновременное воздействие одного импульса лазерного света. Величина измеренной задержки составляла менее трех аттосекунд, а причиной ее является разница динамики движения более легких и тяжелых ядер атомов изотопов водорода. Свет излучался атомами водорода за счет процесса, называемого генерацией высших гармоник (high harmonic generation, HHG). Этот процесс происходит, когда электрон выбивается из атома мощным потоком света, который к тому же ускоряет электрон к более высокой энергии (скорости). Когда электрон снова возвращается в "лоно" атома, излучается квант жесткого ультрафиолетового света (extreme ultraviolet, XUV). Частота, интенсивность и фаза вторичного излучения сильно зависят от параметров волновых функций, поэтому все атомы и молекулы испускают жесткий ультрафиолет со своими уникальными параметрами. Если спектральная интенсивность вторичного излучения измеряется достаточно просто, то измерение его фазы является гораздо более сложной проблемой, которая не под силу традиционным спектрометрам. Для решения этой проблемы ученые использовали в своих интересах явление под названием фазы Гуи (Gouy phase). Измерение смещения фазы Гуи квантов света от водорода и дейтерия эквивалентно в этом случае измерению временной задержки, и проведенные эксперименты показали, что это значение достаточно стабильное и чуть менее 3 аттосекунд. Работа австралийских ученых была проверена на "научную чистоту" группой теоретических физиков из Шанхайского университета. Китайские ученые промоделировали все возможные варианты генерации HHG-излучения двух изотопов водорода, учитывая все возможные комбинации движения ядер и электронов. Полученные результаты моделирования очень хорошо совпадают в экспериментальных данных, и это говорит о том, что в будущем такая технология может использоваться для исследований и измерений сверхбыстрых процессов в атомах и молекулах с беспрецедентным временным разрешением.

Другие интересные новости:

▪ Умная крышка для унитаза от Xiaomi

▪ С возрастом раны заживают все медленнее

▪ AMD объединит архитектуры x86 и ARM в одном процессоре

▪ Парус с подогревом

▪ Восстановление зрения с помощью беспроводных имплантов

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Усилители мощности. Подборка статей

▪ статья Наука побеждать. Крылатое выражение

▪ статья Опасны ли медузы? Подробный ответ

▪ статья Логические элементы и их электрические аналоги. Радио - начинающим

▪ статья Универсальный пробник-индикатор. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Загадочный платок. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026