Приставка для проверки транзисторов. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Начинающему радиолюбителю

 Комментарии к статье

[an error occurred while processing this directive]

Известная по публикациям в журнале идея применения диодных мостов в измерительной технике позволила автору предлагаемой статьи разработать простую приставку - своеобразный коммутационный узел для контроля параметров биполярных и полевых транзисторов практически всех типов.

Приставка используется совместно с многопредельным миллиамперметром постоянного тока и автономным источником питания. Она позволяет измерять немало параметров: статический коэффициент передачи тока биполярных транзисторов в схеме с общим эмиттером при фиксированном значении тока базы (10, 30, 100, 300 мкА; 1,3, 10, 30 мА); начальный ток стока полевых транзисторов с р-n переходом или встроенным каналом; ток стока полевых транзисторов с индуцированным каналом при напряжении на затворе, равном половине напряжения сток-исток; крутизну характеристики полевых транзисторов с двумя затворами по каждому из них; крутизну характеристики полевых транзисторов при использовании вывода подложки (корпус-подложка) в качестве второго затвора. Идея этой приставки заимствована из [1].

Принципиальная схема приставки приведена на рисунке. Транзистор VT1 и резисторы R1-R8 образуют источник стабильного тока для питания цепи базы проверяемого биполярного транзистора, выводы которого включают в гнезда Х1-ХЗ. Значение тока устанавливают переключателем SA1. Диоды VD5, VD6 и резистор R14 определяют смещение по цепи истока полевого транзистора. Делители R9, R10 и R11-R13 обеспечивают смещение на первом (31) и втором (32) затворах.

Напряжение на первом затворе (гнездо Х5) должно быть равно падению напряжения на диодах VD5, VD6.

Такое же напряжение должно быть и в точке соединения резисторов R12, R13.

Полярность напряжения питания, в зависимости от типа биполярного (канала полевого) транзистора, устанавливают переключателем SA2. При этом благодаря диодным мостам на диодах VD1 - VD4 и VD7-VD10 удалось обойтись без переключений полярности в цепи базы и коллектора (стока) проверяемого транзистора.

Переключатель SA1 - галетный, SA2- типа П2К или аналогичный на два положения с двумя группами контактов. Кнопки SB1-SB3 - МП9 либо другие. Диоды VD1-VD4 могут быть любые кремниевые с максимальным прямым током 40-60 мА и обратным напряжением не менее 30 В, VD5-VD10 - также кремниевые, рассчитанные на прямой ток до 1 А при обратном напряжении не менее 30 В. Диоды VD1-VD4 и VD7-VD10 допустимо заменить соответствующими по параметрам блоками серий КЦ402-КЦ405. Транзистор (он может быть, кроме указанного на схеме, КП302В, КП302Г) необходимо установить на теплоотвод, поскольку при проверке мощных транзисторов либо установке тока базы 30 мА на нем будет рассеиваться значительная мощность. Измерительный прибор, подключаемый к приставке, - многопредельный любого типа с максимальным током от десятков до сотен миллиампер.

Источник питания должен обеспечивать постоянное напряжение 4. 5 В и ток до 1 А - на случай контроля биполярных транзисторов большой мощности. Для контроля полевых транзисторов с индуцированным каналом напряжение питания должно быть 9...15 В, поэтому в блоке питания необходимо установить переключатель выходного напряжения, которое, кстати, совсем не обязательно стабилизировать.

Настройку приставки начинают с подбора резисторов R1-R8, контролируя ток между гнездами Х1 и ХЗ и устанавливая подвижный контакт переключателя SA1 в соответствующее положение. Подбор каждого резистора заканчивают, если ток не отличается более чем на 10 % от желаемого. После этого подбирают резисторы R10, R13 такого сопротивления, чтобы напряжение на них было равно или немного меньше падения напряжения на диодах VD5, VD6.

Чтобы удобно было подключать к приставке проверяемые транзисторы, необходимо изготовить переходные панели с гибкими выводами, оканчивающимися вилками, вставляемыми в гнезда приставки. Для мощных транзисторов следует изготовить одиночные проводники с зажимами "крокодил" и вилками.

Перед подключением транзистора для контроля необходимо установить переключателем структуру (тип канала), подключить миллиамперметр с максимальным пределом измерений, включить источник питания. Значение тока базы 10 и 30 мА следует устанавливать переключателем SA1 только в момент измерений при нажатой кнопке SB 1, а переключать пределы измерений миллиамперметра - при отпущенной этой кнопке.

Проверку биполярных транзисторов ведут в такой последовательности.

1. Переключателем SA2 установить нужную структуру - р-n-р или n-р-n.

2. Подсоединить миллиамперметр, источник питания и транзистор к соответствующим гнездам.

3. Переключателем SA1 установить требуемый ток базы.

4. Нажать кнопку SB1 и определить по шкале миллиамперметра ток коллектора, после чего рассчитать коэффициент передачи тока базы по формуле h21Э=Ik/Iб.

Если цоколевка выводов транзистора неизвестна, необходимо вначале определить базу и структуру транзистора с помощью омметра по известной методике. Выводы эмиттера и коллектора определяют по максимальному значению h21Э.

А вот какова последовательность проверки полевых транзисторов.

1. Переключателем SA2 установить тип канала.

2. Подсоединить миллиамперметр и источник питания.

3. МДП транзистор со встроенным каналом или транзистор с р-n переходом соединить с соответствующими гнездами: исток - с гнездом Х7 ("И"), подложку (корпус-подложку) - с Х8 ("П"), затвор - с Х5 ("31"), сток -сХ4 ("С").

4. Нажать на кнопку SB1 и определить по отклонению стрелки миллиамперметра значение тока стока - он должен соответствовать параметру Ic нач, приводимому в справочниках.

5. Нажать одновременно на кнопки SB1, SB2 и определить новое значение тока стока.

6. Рассчитать крутизну характеристики по формуле S = lc/U, где lc - разность токов, измеренных по п. 4 и 5, мА; U - падение напряжения на резисторе R10, В. Сравнить полученное значение со справочными данными.

7. Вывод затвора соединить с гнездом ХЗ, а вывод подложки (корпуса-подложки) - с гнездом Х5.

8. Нажать на кнопку SB1 и определить ток стока, после чего нажать одновременно на SB1, SB2 и определить новое значение тока.

9. Рассчитать значение крутизны по подложке по формуле sn = Ic/u, где Ic - разность токов, измеренных по п. 8, мА; U - падение напряжения на резисторе R10, В.

В [2] рассмотрены вопросы использования подложки (корпуса-подложки) в качестве второго затвора, но в справочниках этот параметр не приводится.

При проверке МДП транзисторов с индуцированным каналом соединения выполнить, как и в предыдущем случае, но вывод затвора соединить с гнездом Х6 ("32"). Измерить токи стока, нажимая сначала на кнопку SB1, а затем одновременно на кнопки SB1 и SB2. Рассчитать значение крутизны по первому затвору, учитывая, что U - падение напряжения на резисторе R13.

Чтобы определить крутизну по подложке, этот вывод нужно соединить с гнездом Х5 (31). Как и в предыдущем случае, сначала нажимают на кнопку SB1, а затем одновременно на SB1 и SB2. После этого рассчитывают значение крутизны, учитывая, что U - падение напряжения на резисторе R10.

Контролируя транзисторы данного типа, следует помнить, что ток стока, измеренный по первому пункту, должен соответствовать току, определяемому по семейству сток-затворных характеристик, приводимых в справочниках (Uси - напряжение питания; Uзи = 0,5 Uси).

Для контроля двухзатворных полевых транзисторов необходимо сначала установить переключателем SA2 тип канала, после чего подсоединить к приставке выводы транзистора в такой очередности: исток, первый затвор, второй затвор, сток. Манипулируя нажатием на кнопки SB1, одновременно на SB1 и SB2, одновременно на SB 1 и SB3, измерить токи стока и рассчитать значение крутизны по затворам. Проверка таких транзисторов возможна только в режиме обогащения.

Литература

1. Долгов О. Измеритель коэффициента передачи тока базы транзисторов. - Радио, 1997, № 1,с. 38.
2. Бочаров Л.Н. Полевые транзисторы. - М.: Энергия, 1976.

Автор: В.Календо, г.Минск, Белоруссия

Смотрите другие статьи раздела Начинающему радиолюбителю.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Зеркальные спутники и их угрозы для астрономии и экологии 09.11.2025

Калифорнийский космический стартап Reflect Orbital, который планирует к 2030 году вывести на орбиту 4 000 зеркальных спутников, отражающих солнечный свет на Землю даже ночью. Главная цель - увеличить эффективность солнечных электростанций, обеспечивая непрерывное освещение в ночное время. Первый демонстрационный аппарат EARENDIL-1 с зеркалом площадью 334 м2 предполагается запустить в апреле 2026 года, а соответствующая заявка уже подана в Федеральную комиссию связи США (FCC). Проект получил 1,25 млн долларов поддержки от ВВС США в рамках программы для малого бизнеса. Идея заключается в том, чтобы спутники создавали дополнительное освещение для энергетических систем, однако многие ученые выражают сомнения как в технической реализуемости, так и в потенциальном вреде для окружающей среды. Астрономы, включая Майкла Брауна и Мэтью Кенворти, подсчитали, что отраженный свет будет примерно в 15 000 раз слабее дневного солнца, хотя и ярче полной Луны. Для того чтобы создать хотя бы 20% дн ...>>

Портативный твердотельный накопитель Lexar Air 09.11.2025

Компания Lexar представила портативный твердотельный накопитель Air (pSSD), сочетающий компактность, высокую скорость и надежность. Вес устройства составляет всего 19 граммов, а толщина в тончайшей части достигает всего 6 мм, что делает его одним из самых легких и тонких SSD на рынке. Накопитель выпускается в двух вариантах емкости: 512 ГБ и 1 ТБ. Версия на 1 ТБ оценивается примерно в 459 юаней (около $64), а старт продаж модели на 512 ГБ пока не объявлен. Lexar Air оснащен интерфейсом USB 3.2 Gen 1 (5 Гбит/с) и разъемом USB-C, при этом в комплект входит переходник с USB-C на USB-A для универсальной совместимости. Производитель заявляет скорость последовательного чтения до 390 МБ/с и записи до 400 МБ/с, что позволяет быстро передавать большие файлы, включая видео высокой четкости. Корпус накопителя выполнен в компактном форм-факторе, который удобно держать на ладони, а максимальная толщина не превышает 9,3 мм. Конструкция выдерживает падения с высоты до 2 метров, а для удобног ...>>

Горькие продукты улучшают работу мозга 08.11.2025

Как выяснили японские ученые, горький вкус флаванолов играет важную роль в стимуляции центральной нервной системы. Даже при минимальном усвоении этих веществ организм получает сигнал к повышению активности нейромедиаторов и улучшению когнитивных функций, что делает натуральные продукты с горьким вкусом потенциально полезными для мозга и общей физиологии. В поисках способов улучшить работу мозга ученые все чаще обращаются к натуральным соединениям, содержащимся в привычных продуктах питания. Одним из таких веществ являются флаванолы, присутствующие в какао, красном вине и ягодах. Исследователи из Технологического института Сибаура в Японии выяснили, что горький и вяжущий вкус этих соединений способен активировать мозг через вкусовые рецепторы, способствуя улучшению памяти, внимания и способности к обучению. Ранее было известно, что флаванолы защищают нейроны и поддерживают когнитивные функции, однако их биодоступность - доля вещества, поступающая в кровь - крайне низка. Это вызвал ...>>

Случайная новость из Архива Найдено самое холодное место в Солнечной системе 11.06.2022 Самым холодным местом на Земле является восточная часть Земли Королевы Мод в Антарктиде. Здесь в некоторых отдаленных районах температура может опускаться до минус 92°C. Однако за пределами нашей планеты есть места, по сравнению с которыми Земля Королевы Мод может показаться невероятно теплым местом. Уран - самая холодная из восьми планет, средняя температура которой немного ниже, чем у Нептуна, хотя он и ближе к Солнцу, чем Нептун (Солнечная система не всегда придерживается логики). Средняя температура на Уране составляет минус 195°C, в то время как на Земле 14°C. Однако космическое пространство - довольно просторное место, поэтому вполне логично допустить, что Уран - не самый холодный объект Солнечной системы. Действительно, пронизывающе холодный ледяной гигант - одно из наименее гостеприимных мест в Солнечной системе. Такие температуры в сочетании с тем фактом, что Уран обладает атмосферой, состоящей из гелия, водорода и метана, означают, что там ничто не сможет выжить. Тем не менее, на нашей Луне могут быть области с еще более низкими температурами. В ходе недавнего исследования ученые С. Бирн и П. О'Брайен из Университета Аризоны выяснили, что "постоянно затененные регионы" (PSR) на Луне являются одними из самых холодных мест в Солнечной системе. Причем эти области были укрыты от солнечного тепла в течение миллиардов лет. Постоянно затененные регионы - это районы вблизи северного и южного полюсов Луны, которые никогда не получают прямого солнечного света и поэтому очень холодны. Они нагреваются лишь отраженным теплом, но даже это тепло не может достичь некоторых регионов. Впадины внутри постоянно затененных регионов защищены не только от прямого солнечного освещения, но и от вторичных источников тепла. А это означает, что такие впадины могут быть самыми холодными областями в Солнечной системе. Как показало исследование, в этих местах температура может достигать минус 248°C или даже ниже. Единственный регион, который превосходит этот чрезмерный холод, - загадочное облако Оорта - огромная удаленная область, которую NASA описывает как сферическую область, состоящую из ледяных кусков космического мусора размером с гору. По данным ученых, температура поверхности здесь составляет около минус 268°C.

Другие интересные новости:

▪ Искусственный хрящ превосходит настоящий

▪ Секрет жидкости, которая лучше всего утоляет жажду

▪ Термоядерный реактор в пять раз ярче Солнца

▪ Самообучаемая электрическая сеть

▪ Фотокамера Canon EOS 6D Mark II

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Индикаторы, датчики, детекторы. Подборка статей

▪ статья Мои университеты. Крылатое выражение

▪ статья Как крокодил стал причиной авиакатастрофы? Подробный ответ

▪ статья Лиственница сибирская. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Мыла из переведенных в твердое состояние (гидрогенизированных) жидких жиров и масел. Простые рецепты и советы

▪ статья Блок питания на КРЕН, 220/0-50 вольт 5 ампер. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2025