Компактное устройство радиоуправления Сигнал 1. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Радиоуправление

 Комментарии к статье

Кто из судо- или автомоделистов не стремится оснастить свое детище дистанционным управлением? Но если у вас нет еще опыта в постройке радиоэлектронных схем, то начинайте с самого простого - с одно-командной аппаратуры.

Для управления моделью используется малогабаритный передатчик, работающий в диапазоне ультракоротких волн (28,0-28,2 МГц). Хотя его мощность невелика, ее вполне хватит, чтобы управлять моделью на земле и на воде в радиусе не менее 30 м, а в воздухе - до 100 м.

Передатчик (рис. 1) состоит из высокочастотного генератора, выполненного на транзисторе Т1, и модулятора, который собран на транзисторах Т2-Т3 (по схеме симметричного мультивибратора).

Рис.1 (нажмите для увеличения)

Питание генератора в этой схеме осуществляется не постоянным напряжением, а пульсирующим. Частота пульсации определяется сопротивлением резистора R4, R5 и емкостью конденсаторов С8, С9.

Передатчик управляется кнопкой Кн, размыкающей общую цепь питания.

Приемник аппаратуры радиоуправления (рис. 2) выполнен на трех транзисторах. Первый каскад - сверхрегенеративный детектор на транзисторе Т4, который в основном и определяет чувствительность приемника.

Рис.2 (нажмите для увеличения)

Настройка па частоту сигнала осуществляется контуром L2C12C13. Емкостная связь с антенной - через конденсатор С11. Положительная обратная связь устанавливается подбором емкости конденсатора С15.

Сигнал низкой частоты, выделяющийся на резисторе R7, через фильтр R10С18 подается на вход электронного реле. Его схема, выполненная на транзисторах Т5 и Т6, совмещает в себе усилитель сигнала и электромагнитное реле. Коллекторный ток этого составного транзистора (он регулируется резистором R12) должен быть меньше тока отпускания реле Р1.

Усиленный сигнал выпрямляется диодами Д1 и Д2, работающими по схеме удвоения. На конденсаторе С20 создается отрицательное напряжение, которое через резистор R14 подается па вход электронного реле (на базу транзистора Т5). Коллекторный ток транзисторов Т5 и Т6 увеличивается, и роле Р1 срабатывает.

Изготовление приемника и передатчика начинается с платы. Из фольгированного гетинакса или стеклотекстолита вырежьте две одинаковые заготовки размером 45Х65 мм. При помощи копировальной бумаги монтажный рисунок (рис. 3 и 4) перенесите на фольгу.

Рис.3

Рис. 4

На месте будущих отверстий острым керном сделайте углубления. Участки фольги, которые должны остаться на плате, надо закрасить нитролаком, цапонлаком, асфальтобитумным или каким-либо другим лаком.

Сначала на все набитые керном углубления поставьте лаком точки D 2-3 мм. Внимательно следите за тем, чтобы углубление было в центре точки. Затем кисточкой или спичкой проведите соединительные линии.

В нашей конструкции катушки индуктивности L1 и L2 тоже изготовлены печатным способом. Выполняя "рисунок" катушек, будьте аккуратны. Вычертить спираль можно окружным пером, вставленным в ножку циркуля. Полуокружности чертят из двух центров, расположенных па расстоянии половины шага спирали. Ширина витков спирали - 1,5 мм.

После высыхания лака отретушируйте плату, подправьте "узор" скальпелем или лезвием безопасной бритвы. Подготовленную плату поместите в стеклянную банку или пластмассовую ванночку с раствором хлорного железа плотностью 1,3- 1,4. Чтобы получить такой раствор, в стакан с водой положите 150 г реактива.

Схема полностью обрабатывается за 45-50 мин, но если раствор хлорного железа подогреть до 40°С, плата вытравится за 10-15 мин.

С готовой платы удалите растворителем лак, хорошенько промойте ее сначала холодной, а затем горячей водой и высушите.

Теперь остается в местах углублений, набитых керном, просверлить отверстия диаметром 1-1,5 мм для выводов радиодеталей.

В приемнике и передатчике аппаратуры радиоуправления установлены малогабаритные детали: резисторы типа МЛТ-0,125 или УЛМ; постоянные конденсаторы типа КЛ, КТ, К10-7, КМ, КБМ и К50-6, подстроечные конденсаторы С3 и С13 типа КПКМ емкостью 4-5 пф или 5-20 пф. Отклонения от номиналов конденсаторов и резисторов, указанных на схеме, в пределах ±20% на работу блоков не повлияют. Те детали, которые подбираются в процессе настройки, на схеме помечены звездочкой.

Высокочастотные транзисторы Т1 и Т4 - типа П416, ГТ308 или П403 с коэффициентом усиления не менее 50. Перед установкой в схему обязательно проверьте их работоспособность.

Низкочастотные транзисторы Т2, Т3, Т5 и Т6 - типа МП39, МП42 с любым буквенным индексом.

Диоды Д1 и Д2 в схеме приемника - типа Д2 или Д9, имеющие прямое сопротивление 20-100 ом, а обратное - не менее 100 ком.

Дроссель передатчика Др1 должен иметь индуктивность порядка 8 мкГн. Подойдет любой высокочастотный дроссель заводского изготовления, лишь бы имел такую индуктивность. Можно изготовить дроссель самостоятельно, намотав на корпусе резистора МЛТ-0,5 (сопротивлением не менее 500 ком) 90 витков провода ПЭЛ-0,12.

Дроссель приемника Др2 - типа Д-0,1 с индуктивностью 20-50 мкГн. В этом случае на корпусе резистора нужно намотать 200 витков указанного провода.

Реле Р1 типа РЭС-10 или РЭС-15. Если нужного типа реле достать не удастся, то подойдет любое, лишь бы оно срабатывало от подключения батарейки для карманного фонаря (КБС-0,5) и имело сопротивление обмотки 100-300 ом.

Передатчик работает на самодельную антенну. Лучше всего изготовить ее из куска жесткого неизолированного провода D 1-2 мм и длиной 500 мм.

Чтобы не нанести повреждения, верхний конец антенны загните кольцом.

Приемная антенна любого типа, длиной не менее 300 мм.

Все детали аппаратуры радиоуправления установите на верхней стороне платы. При размещении деталей строго придерживайтесь монтажных схем.

В целях уменьшения веса и габаритов передатчика и приемника их питание осуществляется от батарей типа "крона".

Смотрите другие статьи раздела Радиоуправление.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Электромобиль VENTRA с системой очистки воздуха 11.10.2026

Даже автомобили без двигателя внутреннего сгорания не являются полностью безвредными для окружающей среды. При движении любой автомобиль изнашивает шины и тормозные элементы, в результате чего в воздух и на дорожное покрытие попадают мельчайшие частицы. Студенты Эйндховенского технологического университета решили обратить внимание именно на этот мало заметный источник загрязнения и создали концептуальный электромобиль VENTRA, способный собирать часть таких загрязняющих веществ непосредственно во время движения. Проект разработала команда TU/ecomotive, которая оснастила VENTRA специальной системой улавливания частиц, образующихся при износе шин и торможении. Авторы концепта считают, что переход на электрическую тягу сам по себе не решает проблему автомобильных выбросов. Более тяжелые электромобили дополнительно нагружают шины, а их электродвигатели способны обеспечивать очень быстрое ускорение, что также может способствовать повышенному износу резины. Собранные около колес частицы си ...>>

Лазерное переключение магнитов 10.10.2026

Технологии хранения данных постоянно стремятся уменьшить размеры элементов памяти и одновременно увеличить скорость записи информации. Один из возможных путей связан с использованием света, который способен переносить энергию с огромной скоростью и воздействовать на очень небольшие области материала. Инженеры Университета Калифорнии в Сан-Диего (UC San Diego) продемонстрировали необычный способ управления магнитным состоянием вещества, при котором внешнее магнитное поле вообще не требуется. В обычных жестких дисках информация записывается в виде последовательности крошечных магнитных областей, соответствующих значениям 1 и 0. Для изменения их состояния обычно необходимо внешнее магнитное поле, однако такой способ требует значительных энергетических затрат и ограничивает скорость записи. Исследователи UC San Diego предложили альтернативу - так называемое оптическое переключение, при котором магнитное состояние изменяется под воздействием лазерного излучения. По оценкам специалистов, ...>>

Случайная новость из Архива Основа для микросхем памяти ReRAM плотностью 100 Гбит 28.06.2017 Компания Sony Semiconductor Solutions рассказала о разработках, относящихся к памяти ReRAM, объединяющей достоинства DRAM и NAND. Разработанные специалистами Sony ключевые технологии позволят выпускать микросхемы памяти ReRAM высокой плотности. В памяти, созданной Sony Semiconductor Solutions, используются ионы меди. Конструкция ячейки включает всего один элемент для выборки и один резистивный элемент (структура 1S1R). Это дает возможность изготавливать память в виде простой матрицы пересекающихся линий и компоновать такие матрицы в несколько слоев, наращивая плотность. Одна из новых разработок - барьер между резервуаром ионов и электролитом, уменьшающий неравномерность сопротивления. За счет него удается увеличить плотность хранения. Вторая технология - легирование элемента выборки бором и углеродом, за счет чего уменьшается ток утечки и увеличивается ресурс. По оценке Sony Semiconductor Solutions, разработанные технологии позволят выпускать память ReRAM с временем записи 100 нс, ресурсом 10 млн циклов и плотностью около 100 Гбит. Ожидается, что ReRAM заполнит нишу между DRAM и NAND по стоимости, производительности и степени интеграции.

Другие интересные новости:

▪ Преломление света в кофе

▪ Идеальный перекус для здоровья сердца

▪ Трансплантация органов без отторжения тканей

▪ Создается искусственная кровь

▪ Выращивание морепродуктов в лабораториях

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Любителям путешествовать - советы туристу. Подборка статей

▪ статья Мишель де Монтень. Знаменитые афоризмы

▪ статья Почему Ливерпуль, выиграв Лигу Чемпионов, смог защищать титул только в виде исключения? Подробный ответ

▪ статья Функциональный состав телевизоров Daewoo. Справочник

▪ статья Тройной квадрат. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Плейер - на двоих. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026