Бесплатная техническая библиотека
Высококачественный усилитель мощности. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Усилители мощности транзисторные
Комментарии к статье
Высококачественный усилитель мощности предназначен для работы с предварительным усилителем, обеспечивающим выходное напряжение 2В. Отличительные черты усилителя - высокая устойчивость к самовозбуждению и очень малые нелинейные искажения.
(нажмите для увеличения)
Основные параметры:
- Номинальный диапазон частот, Гц.......20...20 000
- Номинальная выходная мощность, Вт, на нагрузке сопротивлением 8 Ом.......35
- Коэффициент гармоник, %, не более, в номинальном диапазоне частот при выходном напряжении, В 2.......0,002
- 3.......0,005
- 4.......0,007
- 8.......0,02
- 17.......0,05
- Относительный уровень шума и фона при замкнутом накоротко входе, дБ.......-104
Усилитель содержит два каскада усиления напряжения сигнала. Первый из них - дифференциальный, на транзисторах V1, V2 с источником тока в эмиттерных цепях на транзисторе V5. Второй каскад выполнен на транзисторах V7, V8: Выходной каскад - квазикомплементарный, на транзисторах V15-V18. Необходимое для работы выходного каскада напряжение смещения создается устройством, собранным на. транзисторе V14 и диодах V9-VII Температурная стабилизация тока покоя транзисторов V17, V18 (220...250 мА) осуществляется за счет тепловой связи между корпусом одного из них и корпусом транзистора V14. Терморезистор R20 служит для температурной компенсации дрейфа нуля выходного напряжения усилителя; для этого терморезистор установлен на теплоотводе транзистора V8.
Малые нелинейные искажения и высокая стабильность усилителя обусловлены в основном ООС, охватывающей выходной каскад. Напряжение обратной связи снимается с делителя R25R26 и подается на вход каскада через транзистор V13. Это требует увеличения тока покоя транзисторов V8, V13 до 25 мА и установки их, как и транзисторов V15-V18, на теплоотводе. Цепи L4R48 и C12R49 выравнивают нагрузку выходного каскада на высоких частотах.
Еще одна местная отрицательная обратная связь (глубиной около 15 дБ охватывает выходной каскад и предшествующий ему каскад усиления на транзисторах V7, V8 Напряжение обратной связи подается с выхода усилителя через резистор R23 на базу транзистора V7. Цепь C8R27C9 ослабляет эту связь на высоких частотах, предотвращая самовозбуждение охваченных его каскадов и сужает полосу пропускания до 300-350 кГц.
Полоса пропускания первого каскада (примерно 30 кГц) и глубина обратной связи (около 30 дБ в диапазоне звуковых частот), охватывающей весь усилитель мощности через делитель напряжения RJ3RJ4, выбраны с таким расчетом" чтобы общая обратная связь на частотах выше 1 МГц не действовала. Сужение полосы пропускания первого каскада достигнуто включением в эмиттерные цепи транзисторов VI, V2 катушки L1 и отделением базы второго из этих транзисторов с выхода усилителя резисторами R12, R15 (они увеличивают спад АЧХ каскада с ростом частоты). Цепь R15C7 корректирует фазу в области высших частот звукового диапазона.
Вместо указанных на схеме в усилителе можно использовать транзисторы КТ644А, КТ644В (вместо КТ626Б); КТ805Б, КТ903А, КТ908А (вместо КТ805А) КТ3102А, КТ3102В/КТ3102Д (вместо КТ3102Б): КТ373Г (вместо КТ3107Б) Диоды Д104 можно заменить диодами Д219А, Д219Б, Д220А, Д220Б.
например, можно намотать проводом ПЭВ-2 диаметром 0,15 мм (35 витков) на унифицированном трехсекционном каркасе, помещенном в арматуру от фильтра ПЧ транзисторного приемника "Сокол", вторую и третью - монтажным проводом площадью сечения 0,1 мм2 (12 15 витков на ферритовых (400НН) кольцах типоразмера К10 X 6 X 4. В качестве катушек L2, L3 можно использовать унифицированные дроссели Д-0,1, Д-0,2. Катушка L4 намотана в 4 слоя на каркасе диаметром 15 мм и содержит 40 витков провод* ПЭВ-2- 1,0.
Для питания выходного каскада усилителя пригоден обычный двухполярный выпрямитель с фильтрующими конденсаторами емкостью не менее 10000мкФ и быстродействующей защитой от перегрузок по току. Источник питания каскадов усиления напряжения сигнала должен быть стабилизированным. Напряжение пульсаций не должно превышать 2 мВ.
Налаживание усилителя сводится к устранению (подстроечным резистором R17) постоянной составляющей напряжения на выходе, установке (подбором резистора R35) требуемого тока покоя выходного каскада и к проверке устойчивости работы усилителя (если взамен указанных на схеме применены транзисторы других типов). Критерий устойчивой работы - отсутствие самовозбуждения при увеличении глубины любой ООС с выхода усилителя на 10 дБ. При недостаточной устойчивости необходимо подобрать конденсаторы С8, С9 и резистор R28.
Усилитель может работать на нагрузку сопротивлением 4 Ом. Для этого необходимо уменьшить напряжение питания выходного каскада до + 24 В (потребляемый ток при этом увеличится примерно в 1,5 раза), а индуктивность катушки L4 - до 10 мкГн.
Смотрите другие статьи раздела Усилители мощности транзисторные.
Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.
<< Назад
Последние новости науки и техники, новинки электроники:
Нанорешетка прочнее титана
13.02.2025
Создание легких и прочных материалов всегда было одной из ключевых задач для инженеров и ученых. Особенно актуальна эта проблема для аэрокосмической отрасли, где снижение веса конструкций может привести к значительной экономии топлива и повышению эффективности. Традиционные материалы, такие как алюминий и титан, обладают ограничениями, а углеродное волокно, хотя и является прорывным материалом, не всегда может обеспечить необходимые характеристики. И вот, исследователи из Университета Торонто представили революционный материал, который может кардинально изменить ситуацию.
Ученые разработали уникальный материал, который сочетает в себе легкость и высочайшую прочность. Секрет этого достижения заключается в использовании наноструктурированных материалов, которые имитируют природные формы, такие как кости, ракушки или соты. Эти формы обеспечивают равномерное распределение нагрузки, предотвращая образование слабых мест, где может начаться разрушение.
Для поиска оптимальных форм исслед ...>>
Отцовство меняет мозг
13.02.2025
Беременность - это удивительный период, полный перемен и адаптации, не только для будущей матери, но и для отца. Долгое время считалось, что изменения в мозгу происходят только у женщин, связанные с гормональными и физиологическими процессами вынашивания и рождения ребенка. Однако, новые исследования показывают, что мозг мужчины также претерпевает значительные трансформации в этот период, хотя и менее очевидные.
Ученые выявили, что у мужчин, готовящихся стать отцами, увеличивается количество серого вещества в определенных областях мозга. Речь идет о зонах, которые отвечают за родительскую мотивацию, эмпатию и внимание. Эти изменения связаны с гормональной перестройкой организма мужчины, что способствует формированию тесной связи с ребенком еще до его рождения. Интересно, что подобные изменения наблюдаются и у женщин, но в их случае они более интенсивны и обусловлены физиологическими процессами беременности и родов.
Эти трансформации в мозгу родителей являются результатом нейропла ...>>
Система помощи водителю God's Eye
12.02.2025
Китайская компания BYD представила свою новую усовершенствованную систему ADAS под названием "Глаз Бога" (God's Eye), которая обещает стать настоящим прорывом в области автомобильных технологий.
Особенностью системы "Глаз Бога" является то, что компания BYD планирует оснащать ею все свои модели, даже самые доступные. Это может кардинально изменить ситуацию на рынке электромобилей, сделав передовые функции помощи водителю доступными для более широкого круга потребителей. Система "Глаз Бога" имеет три уровня, каждый из которых разработан для разных моделей автомобилей и ценовых категорий.
Система начального уровня God's Eye C ориентирована на доступные автомобили BYD, включая хэтчбек Seagull, стоимость которого в Китае начинается от 69 800 юаней (примерно 8610 евро). Эта недорогая система использует кластер из трех камер, расположенных за лобовым стеклом, и работает на базе платформы DiPilot 100, имеющей вычислительную мощность 100 TOPS. God's Eye C включает в себя 12 камер (три с ...>>
Случайная новость из Архива Samsung начал производство 3D-чипов памяти
08.08.2013
Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства новых чипов флэш-памяти NAND, емкостью 16 ГБ. В новых микросхемах впервые в промышленных масштабах реализована технология размещения ячеек в объемной структуре 3D V-NAND.
С момента появления 40 лет назад и до сегодняшнего дня флэш-память представляла собой планарную, двухмерную структуру ячеек. Повышать плотность хранения информации до настоящего времени позволяло уменьшение технологического процесса производства. Однако с приближением технологического процесса к 10-нм норме между ячейками памяти стала возникать интерференция, в результате чего надежность хранения данных снизилась ниже допустимого предела.
Технология 3D V-NAND призвана решить эту проблему: открыть новый способ повышения плотности хранения данных в дальнейшем, сохранив такую технологическую норму, которая обеспечит необходимый уровень надежности.
В новых чипах памяти, выполненных по технологии 3D V-NAND, ячейки расположены по отношению друг к другу в трех измерениях. Соединение ячеек по вертикали обеспечивается специальными проводниками. В одной микросхеме может быть до 24 слоев с ячейками, при этом через специальные отверстия проводник может изолированно проходить сквозь другие слои и, например, соединять ячейки первого и двадцать четвертого слоев.
В Samsung утверждают, что 3D V-NAND позволяет добиться 8-кратного увеличения емкости: например, оснастить ноутбук не 128 ГБ памяти, а 1 ТБ.
Однако новая технология позволяет не только повысить плотность, но и получить гораздо более высокую надежность (в 2-10 раз) по сравнению с NAND-памятью, выполненной на базе 10-нм техпроцесса. Кроме того, 3D V-NAND обеспечивает более высокую скорость записи - вдвое выше, - утверждают в Samsung.
|
Другие интересные новости:
▪ Какое настроение у Интернета
▪ Аккумуляторы из двойного углерода
▪ Внешние твердотельные накопители до 2 Тбайт Samsung T5
▪ Автоматическое ограничение скорости электросамокатов на тротуарах
▪ Золотые детекторы взрывчатки
Лента новостей науки и техники, новинок электроники
Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:
▪ раздел сайта Цветомузыкальные установки. Подборка статей
▪ статья Основы социальной работы. Шпаргалка
▪ статья Какое совпадение связало смерти солиста Boney M и Григория Распутина? Подробный ответ
▪ статья Земляника альпийская. Легенды, выращивание, способы применения
▪ статья Настройка и согласование антенно-фидерных устройств. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
▪ статья Карточная цепь. Секрет фокуса
Оставьте свой комментарий к этой статье:
Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua
2000-2025