Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Усилитель мощности на биполярных транзисторах. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Усилители мощности транзисторные

Комментарии к статье Комментарии к статье

Предлагаемый усилитель имеет низкий уровень нелинейных искажений и способен обеспечить номинальную мощность до 70 Вт в нагрузке сопротивлением 4 Ом. Автор отказался от электронной защиты мощных транзисторов и АС, ограничившись включением плавких вставок в цепи питания, в целях исключения возможного срабатывания защиты на комплексной нагрузке. Впрочем, для повышения надежности и мощности на плате предусмотрено размещение элементов для дополнительной пары мощных транзисторов.

Многие знают, как бывает трудно выбрать схему усилителя мощности среди большого разнообразия. Предлагаемый здесь УМЗЧ разрабатывался для широкого круга радиолюбителей, имеет достойные внимания технические характеристики и обеспечивает естественное и детальное звучание. Он относительно не сложен в сборке и настройке, не требователен к деталям, устойчив и надежен.

Схема одного канала усилителя мощности показана на рис. 1. Параметры, приведенные ниже, измерены при использовании стабилизированного блока питания.

Технические характеристики

  • Номинальная выходная мощность, Вт, на нагрузке сопротивлением 4 Ом.......70
  • 8 Ом.......40
  • Неравномерность АЧХ в полосе частот20...20000 Гц, дБ.......±0,5
  • Напряжение шума и фона при замкнутом входе, мВ, не более .......1
  • Коэффициент гармонических искажений при номинальной выходной мощности в полосе 20...20000 Гц, %, не более .......0,003
  • Номинальное входное напряжение, мВ .......550
  • Входное сопротивление, кОм.......68
  • Выходное сопротивление (с цепью R29L1), Ом .......0,04

Входной сигнал через цепи ФВЧ C1R2 и ФНЧ R1C2 поступает на дифференциальный каскад на транзисторах VT2, VT3, в эмиттерную цепь которых включен источник стабильного тока на транзисторе VT1. В коллекторных цепях каскада применено токовое зеркало на транзисторах VT4, VT5. Далее сигнал следует на усилитель напряжения (УН) на транзисторе VT8 с буферной нагрузкой в виде эмиттерного повторителя на транзисторе VT9. Буфер в этом случае позволяет разгрузить УН и ввести компенсационную ОС, уменьшающую нелинейные искажения. Далее усиленный по напряжению сигнал поступает на выходной каскад.

Выходной каскад, собранный на транзисторах VT10-VT15, представляет собой трехступенчатый эмиттерный повторитель. Транзистор VT7 задает его ток покоя и осуществляет термокомпенсацию смещения для мощных транзисторов. Транзистор VT6 является источником стабильного тока для эмиттерного повторителя и цепи смещения на VT7. Цепь R28C15 предохраняет УМЗЧ от самовозбуждения на высоких частотах. Цепь L1R29 повышает устойчивость усилителя при емкостном характере нагрузки. Диоды VD7, VD8 защищают выходные транзисторы от напряжения обратной полярности, а резисторы R26, R27 повышают термостабильность режима. Конденсатор С7 - фазокорректирующий, он обеспечивает устойчивость усилителя при охвате его общей обратной связью (ООС).

В усилителе можно использовать следующие детали. Резисторы R26, R27 - керамические мощностью 5 Вт, R28, R29 - МЛТ-1, остальные - МЛТ-0,125 или МЛТ-0,25. Резисторы R6, R7, R10, R11 следует подбирать с отклонением не более ±2%.

Усилитель мощности на биполярных транзисторах
Рис. 1 (нажмите для увеличения)

Конденсаторы С1, С5, С8, С11-С14 - К73-17; С4, С10, С15 - КМ-5, КМ-6 или К10-47; С2, С7 - керамические с нормированным ТКЕ, например, групп М75-М750. Диоды КД521В можно заменить на 1N4148. Возможные замены транзисторов: BD139 - на КТ817Г; BD140 - на КТ816Г. Мощные транзисторы 2SC5200, 2SA1943 заменимы на КТ8101, КТ8102; в крайнем случае возможно применение КТ819ГМ, КТ818ГМ. Катушка L1 - однослойная, с внутренним диаметром 10 мм, содержит 8 витков любого медного провода в лаковой изоляции диаметром по меди 0,7 мм.

Усилитель мощности на биполярных транзисторах
Рис. 2 (а,б)

Усилитель собран на печатной плате размерами 125x110 мм. Один из ее вариантов показан на рис. 2,а, а соответствующее расположение деталей - на рис. 2,6. На плате предусмотрено место под вторую пару выходных транзисторов. Это может быть необходимо, например, при увеличении выходной мощности или при использовании менее мощных транзисторов. В целом усилитель не требует особого монтажа, следует лишь придерживаться общеизвестных правил. Провода подключения блока питания и нагрузки сечением не менее 2,5 мм2 должны быть свиты по всей длине с шагом 10... 15 мм, их монтируют без жгутов. Вход усилителя подключают экранированным проводом.

Мощные транзисторы устанавливают на теплоотвод с поверхностью около 800 см2 (в расчете на один канал) через слюдяные прокладки. Для увеличения теплопроводности следует воспользоваться термопастой. Транзисторы VT12, VT13 также нужно устанавливать с небольшими теплоотводами площадью 10...15 см2. Транзистор VT7, используемый как термозависимый источник напряжения смещения, должен быть размещен рядом с корпусом одного из мощных транзисторов и иметь с ним хороший тепловой контакт. Усилитель желательно смонтировать на шасси из немагнитного металла, соединенного с общим проводом в одной точке.

После проверки правильности монтажа вход усилителя замыкают накоротко, движок подстроечного резистора R17 устанавливают в верхнее по схеме положение и к выходу подключают осциллограф. Вместо плавких вставок (предохранителей) впаивают токоограничивающие резисторы мощностью 1...2Вт сопротивлением 30... 50 Ом. Подав питание, проверяют отсутствие постоянного напряжения на выходе усилителя (допустимое значение ±15 мВ) и отсутствие самовозбуждения. Далее выпаивают защитные резисторы и устанавливают на свои места плавкие вставки. Затем подстроечным резистором R17 доводят ток покоя выходных транзисторов до 100 мА, ориентируясь по падению напряжения на резисторах R26, R27, равному 20 мВ. После прогрева усилителя в течение 10 мин подстраивают ток покоя. На этом налаживание можно считать законченным.

При выборе БП следует иметь в виду, что импульсный преобразователь в блоке, хотя и имеет меньшие габариты и вес, но является сильным источником помех в широкой полосе частот, борьба с которыми не всегда оправдана. Поэтому часто предпочтительней использовать обычный сетевой трансформатор с выпрямителем. Трансформатор должен иметь мощность не менее 150 Вт в расчете на один канал, это способствует меньшей "просадке" напряжения питания на максимальной мощности усилителя. Диоды должны быть рассчитаны на прямой ток не менее 10 А, например, КД2999А, КД2999Б. Они имеют малое падение прямого напряжения, соответственно уменьшается тепловыделение и повышается КПД блока питания в целом.

При желании данный усилитель можно оснастить токовой защитой выходных транзисторов, например, описанной в статье П. Зуева "Усилитель с многопетлевой ООС" ("Радио", 1984, № 11, с. 29-32; № 12, с. 42, 43).

Автор: В. Гречишкин

Смотрите другие статьи раздела Усилители мощности транзисторные.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Нанорешетка прочнее титана 13.02.2025

Создание легких и прочных материалов всегда было одной из ключевых задач для инженеров и ученых. Особенно актуальна эта проблема для аэрокосмической отрасли, где снижение веса конструкций может привести к значительной экономии топлива и повышению эффективности. Традиционные материалы, такие как алюминий и титан, обладают ограничениями, а углеродное волокно, хотя и является прорывным материалом, не всегда может обеспечить необходимые характеристики. И вот, исследователи из Университета Торонто представили революционный материал, который может кардинально изменить ситуацию. Ученые разработали уникальный материал, который сочетает в себе легкость и высочайшую прочность. Секрет этого достижения заключается в использовании наноструктурированных материалов, которые имитируют природные формы, такие как кости, ракушки или соты. Эти формы обеспечивают равномерное распределение нагрузки, предотвращая образование слабых мест, где может начаться разрушение. Для поиска оптимальных форм исслед ...>>

Отцовство меняет мозг 13.02.2025

Беременность - это удивительный период, полный перемен и адаптации, не только для будущей матери, но и для отца. Долгое время считалось, что изменения в мозгу происходят только у женщин, связанные с гормональными и физиологическими процессами вынашивания и рождения ребенка. Однако, новые исследования показывают, что мозг мужчины также претерпевает значительные трансформации в этот период, хотя и менее очевидные. Ученые выявили, что у мужчин, готовящихся стать отцами, увеличивается количество серого вещества в определенных областях мозга. Речь идет о зонах, которые отвечают за родительскую мотивацию, эмпатию и внимание. Эти изменения связаны с гормональной перестройкой организма мужчины, что способствует формированию тесной связи с ребенком еще до его рождения. Интересно, что подобные изменения наблюдаются и у женщин, но в их случае они более интенсивны и обусловлены физиологическими процессами беременности и родов. Эти трансформации в мозгу родителей являются результатом нейропла ...>>

Система помощи водителю God's Eye 12.02.2025

Китайская компания BYD представила свою новую усовершенствованную систему ADAS под названием "Глаз Бога" (God's Eye), которая обещает стать настоящим прорывом в области автомобильных технологий. Особенностью системы "Глаз Бога" является то, что компания BYD планирует оснащать ею все свои модели, даже самые доступные. Это может кардинально изменить ситуацию на рынке электромобилей, сделав передовые функции помощи водителю доступными для более широкого круга потребителей. Система "Глаз Бога" имеет три уровня, каждый из которых разработан для разных моделей автомобилей и ценовых категорий. Система начального уровня God's Eye C ориентирована на доступные автомобили BYD, включая хэтчбек Seagull, стоимость которого в Китае начинается от 69 800 юаней (примерно 8610 евро). Эта недорогая система использует кластер из трех камер, расположенных за лобовым стеклом, и работает на базе платформы DiPilot 100, имеющей вычислительную мощность 100 TOPS. God's Eye C включает в себя 12 камер (три с ...>>

Случайная новость из Архива

Электростимуляция мозга помогает справиться с инсультом 24.03.2016

Обычное осложнение после инсульта - полная или частичная потеря подвижности: человеку становится трудно говорить или двигать руками или ногами. Происходит так потому, что из-за закупорки сосудов в мозге гибнут нейроны, отвечающие, например, за сокращение мышц кисти, в результате контроль над кистью частично утрачивается. Восстановление во многих случаях возможно - больные снова начинают членораздельно говорить, могут взять в руки стакан и прочее - но происходит это чрезвычайно медленно и путем изнурительных упражнений.

Однако процесс реабилитации можно ускорить, если воспользоваться транскраниальной электростимуляцией, когда мозг прямо с поверхности головы стимулируют слабым электрическим током. Для участия в эксперименте Клер Олман (Claire Allman) и ее коллеги из Оксфорда пригласили 24 пациента, мужчин и женщин, у которых после инсульта в той или иной степени оказалась нарушена подвижность руки.

Каждый день в течение двух недель они приходили в лабораторию для электростимуляции, однако потраченное время и силы того стоили: тем, к кому применяли электростимулирующий метод, подвижность возвращалась быстрее, и такие пациенты вскоре могли не просто поднимать и опускать руки, но и брать предметы.

Магнитно-резонансная томография показала, что после стимуляции у больных, когда они пытались двигать руками, повышалась активность моторной коры мозга, от которой зависит волевой контроль движений; кроме того, в той же моторной коре увеличивалась доля серого вещества. Эффект от электростимуляции оставался надолго - улучшения в состоянии пациентов сохранялись и через три месяца после двухнедельного курса.

Другие интересные новости:

▪ Собаки похожи на своих владельцев

▪ Найден ген избыточного веса

▪ Радиостанция на основе искусственного интеллекта

▪ Оптически изолированные усилители FOD2742

▪ Древние люди травились тяжелыми металлами

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Электрику. ПТЭ. Подборка статей

▪ статья Факт биографии. Крылатое выражение

▪ статья Что такое Нобелевская премия? Подробный ответ

▪ статья Торговый брокер. Должностная инструкция

▪ статья Источник питания для лампы дневного света. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Приспособление для намотки статорных катушек. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2025