Усилитель мощности Решетникова. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Усилители мощности транзисторные

 Комментарии к статье

В усилителях мощности снижают искажения несколькими способами. Обычно вводят глубокую ООС, охватывающую усилитель с выходным каскадом, работающим в режиме В. Однако это чревато увеличением динамических искажений. Поэтому чаще в выходном каскаде высококачественного усилителя устанавливают режим А с неглубокой ООС. Но это требует термостабилизации большого тока покоя выходного каскада. Известен принцип построения усилителей звуковой частоты с коррекцией искажений в мостовых схемах усилителей с экономичным режимом В.

На рисунке показана функциональная схема усилительного устройства, состоящая из предварительного усилителя А1, выходного каскада на транзисторах V1 и V2, работающего в режиме В, и элементов моста R1C1, R2 и L1. Связь между выходным напряжением на нагрузке Uн и напряжением сигнала Uc выражается для данного устройства равенством

Ua= AUe+Bi,

где i - базовый ток выходных транзисторов, А и В - коэффициенты, численные значения которых зависят от параметров элементов.

Из формулы следует, что основным источником искажений может быть лишь базовый ток выходных транзисторов, поэтому, если построить усилитель, в котором коэффициент В будет равен нулю, можно устранить основной источник искажений. Условие компенсации нелинейных искажений совпадает с условием баланса моста, когда L1 = R1R2C1.

Описанный метод компенсации нелинейных искажений применен в усилителе мощности, предложенном О. Решетниковым.

(нажмите для увеличения)

Усилитель работает в диапазоне частот 20...20000 Гц при неравномерности АЧХ ±1 дБ. Выходная мощность усилителя 30 Вт при нагрузке 8 Ом и коэффициенте гармоник менее 0,02 %. При нагрузке 4 Ом выходная мощность достигает 40 Вт. Чувствительность усилителя 0,2 В. Уровень собственных шумов 75 дБ.

Четырехкаскадный предварительный усилитель работает в режиме A (A1, V3...V6 и V9), выходной каскад (V12, V15, V16) - в режиме В. Усилитель снабжен защитой выходного каскада от перегрузок и короткого замыкания (V7 и V13). В первом каскаде применен малошумящий операционный усилитель на микросхеме К140УД8Б, охваченный ООС (C1R2R5C3) так, что коэффициент усиления на частотах выше 20 Гц постоянен и приблизительно равен 15. Во втором каскаде применен малошумящий транзистор V4, в коллекторную цепь которого для поручения максимального усиления включен источник тока на транзисторе V3. Третий каскад - двойной эмиттерный повторитель на транзисторах V5, V6 служит для согласования входного сопротивления четвертого каскада, выполненного на транзисторе V9, с выходным сопротивлением второго каскада (V4). Мост R5C6R29L1 сбалансирован на радиочастотах.

На низких частотах малый уровень нелинейных искажений обеспечивается глубокой (50...70 дБ) ООС, напряжение которой поступает в эмиттерную цепь транзистора V4 с выхода усилителя через делитель R12 и R15. В усилителе могут быть применены транзисторы V3, V5, V6, V7, V13 - КТ3107Б, КТ3107Д, (несколько хуже КТ361В, КТ361Д), V4 - КТ3102А, КТ342Г; V9, V15- КТ626А, КТ626Б, КТ616В, КТ814В, КТ814Г; катушки L1 и L2 намотаны виток к витку в два слоя проводом ПЭВ-2 1,0 на каркасах диаметром 7 мм, длиной 28 мм и содержит соответственно 30 и 46 витков.

Если усилитель правильно собран, никакого налаживания не потребуется. Мост R15C6R29L1 настраивают по минимуму искажений на выходе. Для этого на вход усилителя подают синусоидальный сигнал частотой 50...100 кГц, Подбором емкости конденсатора С6, наблюдая выходной сигнал на экране осциллографа, добиваются минимальных искажений формы сигнала.

Смотрите другие статьи раздела Усилители мощности транзисторные.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Электромобиль VENTRA с системой очистки воздуха 11.10.2026

Даже автомобили без двигателя внутреннего сгорания не являются полностью безвредными для окружающей среды. При движении любой автомобиль изнашивает шины и тормозные элементы, в результате чего в воздух и на дорожное покрытие попадают мельчайшие частицы. Студенты Эйндховенского технологического университета решили обратить внимание именно на этот мало заметный источник загрязнения и создали концептуальный электромобиль VENTRA, способный собирать часть таких загрязняющих веществ непосредственно во время движения. Проект разработала команда TU/ecomotive, которая оснастила VENTRA специальной системой улавливания частиц, образующихся при износе шин и торможении. Авторы концепта считают, что переход на электрическую тягу сам по себе не решает проблему автомобильных выбросов. Более тяжелые электромобили дополнительно нагружают шины, а их электродвигатели способны обеспечивать очень быстрое ускорение, что также может способствовать повышенному износу резины. Собранные около колес частицы си ...>>

Лазерное переключение магнитов 10.10.2026

Технологии хранения данных постоянно стремятся уменьшить размеры элементов памяти и одновременно увеличить скорость записи информации. Один из возможных путей связан с использованием света, который способен переносить энергию с огромной скоростью и воздействовать на очень небольшие области материала. Инженеры Университета Калифорнии в Сан-Диего (UC San Diego) продемонстрировали необычный способ управления магнитным состоянием вещества, при котором внешнее магнитное поле вообще не требуется. В обычных жестких дисках информация записывается в виде последовательности крошечных магнитных областей, соответствующих значениям 1 и 0. Для изменения их состояния обычно необходимо внешнее магнитное поле, однако такой способ требует значительных энергетических затрат и ограничивает скорость записи. Исследователи UC San Diego предложили альтернативу - так называемое оптическое переключение, при котором магнитное состояние изменяется под воздействием лазерного излучения. По оценкам специалистов, ...>>

Случайная новость из Архива Магнитно-резонансная томография одного атома 03.08.2019 Группа ученых их Центра квантовых нанотехнологий (Center for Quantum Nanoscience, QNS), вместе с их коллегами из США, произвели магнитно-резонансную томографическую (МРТ) съемку на самом маленьком на сегодняшний день уровне. Объектами этой съемки выступали отдельные атомы, а в результате у ученых получилось наглядная визуализация распределения магнитного поля этих атомов. Магнитно-резонансная томография, как правило, производится в больницах и других медицинских учреждениях, как часть процесса диагностики заболеваний. МРТ-технология позволяет получить картину плотности распределения спинов (вращения) электронов и протонов атомов человеческого тела, и чем больше таких вращений регистрируется чувствительными датчиками оборудования, тем более качественной и информативной получается производимая съемка. Однако, ученые, о которых шла речь немного выше, доказали, что МРТ-технологию можно использовать и по отношению к единичным атомам, находящимся на поверхности. Для этого применяется туннельный сканирующий микроскоп, который при помощи наконечника, "заточенного" до атомарной толщины, позволяет просканировать и получить изображение отдельных атомов. В данных экспериментах были исследованы атомы двух химических элементов, железа и титана, оба которых являются магнитными материалами. При помощи процесса манипулирования наноразмерными объектами атомы этих элементов были помещены на поверхность и, поэтому, они были хорошо видимы при помощи туннельного микроскопа. После этого исследователи произвели сканирование этих атомов наконечником микроскопа, что позволило получить картину распределения магнитного поля каждого атома и картину магнитного взаимодействия между атомами, которые или притягивались, или отталкивались, подобно крошечным магнитам в зависимости от направления вращения их электронов. В скором времени исследователи при помощи "атомарной" МРТ-технологии планирую провести исследования и составить карты распределения магнитных полей более сложных структур, таких, как органические молекулы и кристаллы магнитных материалов. Это, в свою очередь, снабдит ученых новыми данными о строении материи, которые можно будет использовать позже при разработке новых материалов, к примеру. Кроме этого, данная технология может быть использована для измерений и управления состоянием квантовых систем, выполняющих определенные вычислительные функции намного быстрее обычных компьютеров.

Другие интересные новости:

▪ Процессор Qualcomm Snapdragon G3x Gen1

▪ Напечатан дом из экологически чистых биоматериалов

▪ Нейтрино расскажут, почему мы существуем

▪ Драйвер светодиодного дисплея MAX6957

▪ HBA-плата HighPoint Rocket 750 подключает до 40 SATA 3.0 HD

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Радиолюбителю-конструктору. Подборка статей

▪ статья Наделала синица славы, а моря не зажгла. Крылатое выражение

▪ статья Кто такая Жанна Д'Арк? Подробный ответ

▪ статья Машинист скрепера. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Доработка программаторов для гарантированного программирования микросхем PCF8582. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Импульсный повышающий преобразователь. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026