Усилитель мощности Решетникова. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Усилители мощности транзисторные

 Комментарии к статье

В усилителях мощности снижают искажения несколькими способами. Обычно вводят глубокую ООС, охватывающую усилитель с выходным каскадом, работающим в режиме В. Однако это чревато увеличением динамических искажений. Поэтому чаще в выходном каскаде высококачественного усилителя устанавливают режим А с неглубокой ООС. Но это требует термостабилизации большого тока покоя выходного каскада. Известен принцип построения усилителей звуковой частоты с коррекцией искажений в мостовых схемах усилителей с экономичным режимом В.

На рисунке показана функциональная схема усилительного устройства, состоящая из предварительного усилителя А1, выходного каскада на транзисторах V1 и V2, работающего в режиме В, и элементов моста R1C1, R2 и L1. Связь между выходным напряжением на нагрузке Uн и напряжением сигнала Uc выражается для данного устройства равенством

Ua= AUe+Bi,

где i - базовый ток выходных транзисторов, А и В - коэффициенты, численные значения которых зависят от параметров элементов.

Из формулы следует, что основным источником искажений может быть лишь базовый ток выходных транзисторов, поэтому, если построить усилитель, в котором коэффициент В будет равен нулю, можно устранить основной источник искажений. Условие компенсации нелинейных искажений совпадает с условием баланса моста, когда L1 = R1R2C1.

Описанный метод компенсации нелинейных искажений применен в усилителе мощности, предложенном О. Решетниковым.

(нажмите для увеличения)

Усилитель работает в диапазоне частот 20...20000 Гц при неравномерности АЧХ ±1 дБ. Выходная мощность усилителя 30 Вт при нагрузке 8 Ом и коэффициенте гармоник менее 0,02 %. При нагрузке 4 Ом выходная мощность достигает 40 Вт. Чувствительность усилителя 0,2 В. Уровень собственных шумов 75 дБ.

Четырехкаскадный предварительный усилитель работает в режиме A (A1, V3...V6 и V9), выходной каскад (V12, V15, V16) - в режиме В. Усилитель снабжен защитой выходного каскада от перегрузок и короткого замыкания (V7 и V13). В первом каскаде применен малошумящий операционный усилитель на микросхеме К140УД8Б, охваченный ООС (C1R2R5C3) так, что коэффициент усиления на частотах выше 20 Гц постоянен и приблизительно равен 15. Во втором каскаде применен малошумящий транзистор V4, в коллекторную цепь которого для поручения максимального усиления включен источник тока на транзисторе V3. Третий каскад - двойной эмиттерный повторитель на транзисторах V5, V6 служит для согласования входного сопротивления четвертого каскада, выполненного на транзисторе V9, с выходным сопротивлением второго каскада (V4). Мост R5C6R29L1 сбалансирован на радиочастотах.

На низких частотах малый уровень нелинейных искажений обеспечивается глубокой (50...70 дБ) ООС, напряжение которой поступает в эмиттерную цепь транзистора V4 с выхода усилителя через делитель R12 и R15. В усилителе могут быть применены транзисторы V3, V5, V6, V7, V13 - КТ3107Б, КТ3107Д, (несколько хуже КТ361В, КТ361Д), V4 - КТ3102А, КТ342Г; V9, V15- КТ626А, КТ626Б, КТ616В, КТ814В, КТ814Г; катушки L1 и L2 намотаны виток к витку в два слоя проводом ПЭВ-2 1,0 на каркасах диаметром 7 мм, длиной 28 мм и содержит соответственно 30 и 46 витков.

Если усилитель правильно собран, никакого налаживания не потребуется. Мост R15C6R29L1 настраивают по минимуму искажений на выходе. Для этого на вход усилителя подают синусоидальный сигнал частотой 50...100 кГц, Подбором емкости конденсатора С6, наблюдая выходной сигнал на экране осциллографа, добиваются минимальных искажений формы сигнала.

Смотрите другие статьи раздела Усилители мощности транзисторные.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива Низкопрофильный WLan адаптер от ELECOM 17.01.2004 ELECOM начала продажи трехдиапазонного WLan адаптера LD-WL54AG/PCI, стоимостью 80 USD. LD-WL54AG/ PCI поддерживает стандарты IEEE 802.11a/b/g, шифрование WEP 64/128/152 бит, максимально возможное соединение - 54 Мбит/сек. Адаптер LD-WL54AG/PCI очень прост в установке и на стройке. Большим плюсом адаптера является низкопрофильная компоновка, размеры платы - 120х64 мм, вес - 80 грамм.

Другие интересные новости:

▪ LG отказалась от бизнеса мобильных телефонов

▪ Полнокадровый автофокусный объектив Meike 85mm F/1.8

▪ Ученые доказали правоту Ницше

▪ Система очистки воды на основе плазмы

▪ Мысли распознаны и записаны

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Электродвигатели. Подборка статей

▪ статья Пишущая машинка. История изобретения и производства

▪ статья Какая разница между НДС и акцизом? Подробный ответ

▪ статья Паяльные работы свинцовым припоем. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Светотелефон. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Электронно-оптические преобразователи. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026