Трехполосный регулятор тембра. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Аудиотехника

 Комментарии к статье

Корректирующий усилитель темброблока собран на операционном усилителе (ОУ). Наличие ОУ позволяет дополнить устройство регулятором средних частот, что достигается введением положительной частотно-зависимой обратной связи.

Основные технические характеристики:

• Номинальное входное напряжение 250 мВ.......(50 мB)
• Максимальное входное напряжение 500мВ.......(100мВ)
• Пределы регулировки тембра на частотах 100 Гц и 10 кГц относительно частоты 1 кГц (R8 в среднем положении).......(±18 дБ (±18дБ)
• Пределы регулировки тембра на частоте 1 кГц.......(±8дБ (±8дБ)
• Напряжение питания.......(±15В (±2,5 В)
• Потребляемый ток.......(15мА (4мА)

Когда движок резистора R8 находится в нижнем по схеме положении, происходит ослабление входного сигнала в полосе пропускания полосою го фильтра (R11, С6, С7, R12). Если движок резистора R8 находится в верхнем положении, то происходит усиление выходного сигнала на частоте около 1 кГц (увеличивается глубина частотно-зависимой положительной обратной связи). Конденсатор С8 обеспечивает завал амплитудно-частотной характеристики устройства на частотах свыше 20 кГц.

Практика показала, что большая глубина регулировки на частотах 100 Гц и 10 кГц и сравнительно меньшая, на частоте 1 кГц, создают слушателям психологический комфорт при эксплуатации этого темброблока, а отсутствие резких перегибов в фазово-частотной характеристике (в отличие от полосовых регуляторов на LC-контурах) способствует "открытому" звучанию и не вносит дополнительной окраски.

При использовании схемы в микшерских пультах или в усилителях для электромузыкальных инструментов можно изменить центральную частоту регулятора средних частот, но при этом необходимо изменить и частоту раздела регуляторов низких и высоких частот. Если условие Fсч=Fраздела ВЧ, НЧ не выполняется, устройство работает как генератор синусоидальных колебаний.

Схема сохраняет работоспособность при снижении напряжения питания до 2В, что позволяет использовать ее в переносной аппаратуре с батарейным питанием.

Смотрите другие статьи раздела Аудиотехника.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Впервые преоодолена передача ВИЧ от матери к ребенку 02.01.2026

Проблема вертикальной передачи ВИЧ - от матери к ребенку - остается одной из ключевых задач глобальной медицины. Недавний отчет Всемирной организации здравоохранения (ВОЗ) демонстрирует историческое достижение: Бразилия впервые в своей истории полностью преодолела этот путь передачи вируса. Страна стала 19-й в мире и первой с населением более 100 миллионов человек, которая достигла такого результата. Достижения Бразилии основаны на комплексных медицинских программах, обеспечивающих своевременный доступ к диагностике и терапии для всех слоев населения. ВОЗ официально подтвердило, что уровень передачи ВИЧ от матери к ребенку снизился до менее двух процентов. Более 95% беременных женщин в стране получают регулярный скрининг на ВИЧ и необходимое лечение в рамках стандартного ведения беременности. Изначально программа тестировалась в крупных муниципалитетах и штатах с населением более 100 тысяч человек, а затем была масштабирована на всю страну. Такой подход позволил унифицировать ста ...>>

Нанослой германия увеличивает эффективность солнечных батарей на треть 02.01.2026

Разработка высокоэффективных солнечных батарей остается одной из ключевых задач современной энергетики. Недавнее исследование южнокорейских ученых позволило повысить производительность тонкопленочных солнечных элементов почти на 30%, что открывает новые перспективы для возобновляемых источников энергии, гибкой электроники и сенсорных устройств. Команда исследователей сосредоточилась на элементах на основе моносульфида олова (SnS) - нетоксичного и доступного материала, который идеально подходит для гибких солнечных панелей. До настоящего времени эффективность SnS-устройств оставалась низкой из-за проблем на границе контакта с металлическим электродом. В этой области возникали структурные дефекты, диффузия элементов и электрические потери, что существенно ограничивало возможности таких батарей. "Этот интерфейс был главным барьером для достижения высокой производительности", - отмечает профессор Джейонг Хо из Национального университета Чоннам. Для решения этих проблем ученые предлож ...>>

Электростатическое решение для борьбы с льдом и инеем 01.01.2026

Борьба с льдом и инеем на транспортных средствах и критически важных поверхностях зимой остается сложной и затратной задачей. Ученые из Virginia Tech разработали инновационную технологию, способную разрушать лед и иней без использования тепла или химических реагентов, что открывает новые возможности для безопасной и экологичной зимней эксплуатации транспорта. Исследователи обнаружили, что лед и иней образуют кристаллическую решетку с так называемыми ионными дефектами - заряженными участками, способными перемещаться под воздействием электрического поля. Эти дефекты являются ключом к управлению прочностью льда и его удалением с поверхностей. Когда на замерзшую поверхность подается положительный электрический заряд, отрицательные ионные дефекты притягиваются к источнику поля. Это вызывает разрушение кристаллической решетки льда, в результате чего часть льда буквально "отскакивает" от поверхности. Такой эффект позволяет удалять лед без применения внешнего тепла или химических средств ...>>

Случайная новость из Архива Производство DRAM с использованием EUV-литографии 18.07.2021 SK Hynix объявила о начале массового производства микросхем DRAM LPDDR4-4266 объемом 8 Гбит на основе узла 1a-nm, который является четвертым поколением техпроцессов в диапазоне 10-20 нм. Это первый случай, когда SK Hynix использовала оборудование с технологией экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV) в серийном производстве, после частичного внедрения на прошлых этапах. SK Hynix ожидает, что новая технология приведет к улучшению показателей производительности и себестоимости. По мнению специалистов, узел 1a-nm обеспечит на четверть большее количество чипов с одной пластины по сравнению с предыдущим узлом 1z-nm. Компания планирует начать отгрузку данного типа мобильной DRAM со второй половины 2021 года. Постепенно SK Hynix планирует переводить на нормы 1a-nm все большее количество своих продуктов памяти, включая микросхемы DDR5 для серверной, настольной и мобильной техники. Чо Янгманн (Cho Youngmann), вице-президент SK Hynix, заявил: "Благодаря повышенной производительности и экономической конкурентоспособности новейшая 1a-nm DRAM не только поможет обеспечить высокую прибыльность, но и укрепит статус SK Hynix в роли ведущей технологической компании, благодаря раннему внедрению технологии EUV-литографии для массового производства".

Другие интересные новости:

▪ Проекционные автомобильные системы Mitsubishi

▪ Обычные собаки приняли робота в свою компанию

▪ Выращены миниатюрные нейросети мозга

▪ SONY представила пишущий DVD-проигрыватель с доступом в Интернет

▪ Солнечная башня, дающая электричество круглосуточно

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Нормативная документация по охране труда. Подборка статей

▪ статья Все трын трава. Крылатое выражение

▪ статья Могут ли у человека с рождения отсутствовать отпечатки пальцев? Подробный ответ

▪ статья Работы на стоечных линиях связи и при подвеске кабелей связи. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Плавный пуск и остановка электродвигателя. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Телефонный автоответчик. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026