Расчет акустического фазоинвертора. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Радиолюбительские расчеты

 Комментарии к статье

Предлагаемый метод расчета основан на простейших измерениях, проводимых с вполне определенным экземпляром громкоговорителя, устанавливаемым в акустический фазоинвертор и на номографическом определении размеров последнего.

В первую очередь, руководствуясь рис. 1 и таблицей, необходимо изготовить "стандартный объем"- герметичный фанерный ящик, все стыки которого во избежание утечек воздуха тщательно подогнаны, проклеены и промазаны пластилином.

рис. 1

Далее измеряют собственную частоту резонанса громкоговорителя, находящегося в свободном пространстве. Для этого его подвешивают в воздухе вдалеке от крупных предметов (мебели, стен, потолка). Схема измерений приведена на рис. 2.

рис. 2

Здесь ЗГ - градуированный звуковой генератор, V - ламповый вольтметр переменного тока и Л - резистор сопротивлением 100-1000 Ом (при больших значениях сопротивления измерение оказывается более точным).

Вращая ручку настройки частоты звукового генератора в пределах от 15-20 до 200-250 гц, добиваются максимального отклонения стрелки вольтметра. Частота, при которой отклонение максимально и является резонансной частотой громкоговорителя в свободном пространстве Fв.

Следующий этап - определение резонансной частоты громкоговорителя Fв при его работе на "стандартный объем". Для этого громкоговоритель кладут диффузором на отверстие "стандартного объема" и слегка прижимают, во избежание утечек воздуха в месте стыка поверхностей. Метод определения частоты резонанса прежний, но в этом случае она будет в 2-4 раза выше.

Рис. 3

Рис. 4

Зная эти две частоты, с помощью номограмм находят размеры фазоинвертора. В зависимости от диаметра диффузора громкоговорителя выбирают номограмму, приведенную на рис. 3 (для диаметра ,200 мм), на рис. 4 (для диаметра 250 и 300 мм) или на рис. 5 (для диаметра 375 мм). По выбранной номограмме определяют объем фазоинвертора, для чего соединяют прямой линией точки, соответствующие найденным частотам, на осях "Резонансная частота

Рис. 5

Fв (см. рис. 4 точка А) и "Резонансная частота Fя (точка В). Отмечают точку пересечения С с вспомогательной осью и отсюда ведут вторую прямую линию через точку D до оси "оптимальный объем". Значение, соответствующее новой точке пересечения Е, и является искомым объемом.

Если нет каких-либо особых соображений для конструирования ящика специальной конфигурации, то расчет внутренних размеров его при заданной объеме может быть сделан по номограмме, показанной на рис. 6. Ширина фазоинвертора будет равна 1,4 высоты, а высота - 1,4 глубины. Пользование номограммой не представляет трудностей: проводят прямую линию между крайними осями, на которых нанесены' величины объемов. Точки пересечения прямой с осями А, В, С определят ширину, высоту и глубину ящика. Диаметр выреза для громкоговорителя берется равным размеру С, указанному в таблице.

Рис. 6

Далее, задавшись диаметром туннеля, необходимо определить его длину и проверить вмещается ли он в ящик фазоинвертора. Длину туннеля находят из графиков, приведен ных на рис. 7, для трех внутренних диаметров: графики А - для диаметра 50 мм, В - для диаметра 75 мм и В - для диаметра 120 мм. Выбрав соответствующие графики, по частоте Fв и объему фазоинвертора, определенным ранее, находят длину туннеля (пример на рис. 7,В). Она должна быть на 35-40 мм меньше внутренней глубины ящика. Если этого не получается, можно нисколько изменить конфигурацию ящика, сохранив его объем, или взять Другой диаметр туннеля.

Рис. 7

Фазоинвертор изготавливают из фанеры толщиной около 30 мм. Если нет такой толстой фанеры, то для повышения жесткости нужно приклеить внутри ящика по диагонали или крестообразно бруски размером 25Х75 мм. Ящик собирают на винтах и клее и все швы герметизируют. Заднюю стенку рекомендуется крепить шурупами (по пять штук на одну сторону) с фетровой прокладкой. Туннель делают из толстостенной картонной трубки.

Изготовив фазоинвертор и установив в него громкоговоритель, приступают к его демпфированию. Для этого громкоговоритель рекомендуется полностью закрыть с задней стороны слоем стекловаты толщиной 25-50 мм, прикрепляя ее к доске вокруг диффузородержателя с помощью кольца, привинченного шурупами или винтами.

Рис. 8

Достаточность демпфирования проверяется с помощью схемы, приведенной на рис. 8. Сопротивление резистора Я берется около 0,5 ом. Если же известен коэффициент демпфирования К усилителя, с которым будет работать агрегат, и сопротивление звуковой катушки громкоговорителя переменному току r, то его можно определять из формулы R=r/K ом. Переводи переключатель из одного положения в другое, прислушиваются к щелчку в громкоговорителе. Если он вполне отчетлив я нет "бубнения" или "звона", значит демпфирование достаточно. Окончательное решение принимают после прослушивания оркестровой музыки с хорошо выраженными басами и верхними котами.

Автор: Ю. Любимов; Публикация: Н. Большаков, rf.atnn.ru

Смотрите другие статьи раздела Радиолюбительские расчеты.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Кислотность океана разрушает зубы акул 03.10.2025

Мировые океаны выполняют важнейшую функцию - они поглощают около трети углекислого газа, выбрасываемого в атмосферу. Это помогает замедлять темпы глобального потепления, но имеет и обратную сторону. Растворяясь в воде, CO2 образует угольную кислоту, которая повышает концентрацию водородных ионов и приводит к снижению pH. Вода становится более кислой, а последствия этого процесса уже заметны для морских экосистем. Средний показатель кислотности океана сейчас равен примерно 8,1, тогда как еще недавно за условную норму брали значение 8,2. По прогнозам, к 2300 году уровень может упасть до 7,3 - это сделает океан почти в десять раз кислее нынешнего состояния. Для обитателей морей подобные изменения означают не просто сдвиг химического равновесия, а реальную угрозу физиологическим процессам, начиная от формирования раковин у моллюсков и заканчивая охотничьим поведением акул. Чтобы выяснить, как именно кислотная среда отражается на зубах акул, группа немецких исследователей провела эксп ...>>

Почтовый космический корабль Arc 03.10.2025

Космические технологии становятся частью инфраструктуры, способной повлиять на логистику, медицину и даже военную сферу. Идея использовать орбиту как глобальный склад для срочных поставок звучала еще недавно как научная фантастика, но стартап Inversion пытается превратить ее в практическое решение. Компания Inversion появилась в начале 2021 года благодаря Джастину Фиаскетти и Остину Бриггсу, которые на тот момент были студентами Бостонского университета. Их замысел состоял в том, чтобы сделать возможной доставку грузов не только через спутниковые сети данных, но и в буквальном смысле - физических предметов. В основе лежит простая мысль: если космос обеспечивает доступ к любой точке Земли, то и грузы должны перемещаться тем же маршрутом. Уже за три года работы команда из 25 специалистов успела построить демонстрационный аппарат "Ray". Его запуск состоялся в рамках миссии SpaceX Transporter-12. Устройство весом 90 килограммов проверяло ключевые технологии Inversion, включая двухком ...>>

Лазерное обогащение урана 02.10.2025

Ядерная энергия остается одним из ключевых источников стабильного электричества, особенно для стран с растущими потребностями в энергоснабжении. Однако обеспечение бесперебойных поставок топлива для атомных станций требует современных технологий обогащения урана, которые одновременно эффективны и безопасны. Американская компания Global Laser Enrichment (GLE) делает значительный шаг в этом направлении, завершив масштабное тестирование лазерной технологии обогащения урана. Демонстрационная программа была проведена на объекте в Уилмингтоне, Северная Каролина. Тестирование технологии SILEX (Separation of Isotopes by Laser EXcitation), разработанной австралийской Silex Systems, стартовало в мае 2025 года и продлится до конца года. В ходе экспериментов компания планирует получить сотни фунтов низкообогащенного урана (LEU), который может быть использован в качестве топлива для атомных электростанций. GLE была создана в 2007 году для коммерциализации лазерных методов обогащения урана в С ...>>

Случайная новость из Архива Модули памяти DDR4 RDIMM 64 ГБ от Samsung 08.09.2014 Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства модулей DDR4 RDIMM 64 ГБ, в которых используется технология пакетов 3D TSV. Новые высокопроизводительные модули с высокой плотностью будут играть ключевую роль в распространении корпоративных серверов и облачных приложений, а также в дальнейшей диверсификации решений для центров обработки данных, сообщили CNews в Samsung. Новые модули RDIMM включают 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых состоит из четырех 4-гигабитных кристаллов DDR4 DRAM. Чипы с низким энергопотреблением производятся с использованием современного технологического процесса Samsung класса 20 нм и технологии пакетов 3D TSV. "Представляя энергоэффективные модули DDR4, собранные с использованием технологии 3D TSV, мы делаем большой шаг по направлению к массовому рынку DDR4, который должен значительно расшириться благодаря ожидаемому появлению центральных процессоров нового поколения во второй половине этого года", - заявил Джихо Баик, вице-президент, отдел маркетинга решений памяти, Samsung Electronics. В целом, как отметили в компании, серийное производство модулей 3D TSV знаменует собой новый этап в истории технологий памяти, который следует после того, как Samsung впервые начала производить флэш-память 3D Vertical NAND (V-NAND) в прошлом году. В то время как в технологии 3D V-NAND используются высокие вертикальные структуры массивов ячеек внутри монолитного кристалла, 3D TSV - это инновационная технология построения пакетов, которая позволяет соединять между собой вертикальные слои кристаллов, пояснили в компании . "Для создания пакета 3D TSV DRAM кристаллы DDR4 стачиваются до толщины всего лишь в несколько десятков микронов, после чего в кристаллах создаются сотни мельчайших отверстий. Они вертикально соединяются между собой с помощью электродов, которые пропускаются через отверстия, - рассказали представители Samsung. - Благодаря этому новый модуль 64 ГБ TSV имеет в два раза большую производительность по сравнению с модулем 64 ГБ, где в пакетах используется проводной монтаж. Кроме того, энергопотребление модулей снижается приблизительно в два раза". В будущем, по мнению представителей Samsung, будет возможно соединять между собой более чем четыре кристалла DDR4, используя технологию 3D TSV, что позволит создавать модули DRAM с еще более высокой плотностью. Это позволит ускорить расширение рынка решений памяти премиум-уровня, а также переход с памяти DDR3 на память DDR4 на рынке серверов.

Другие интересные новости:

▪ Прогулка робота с мангустом по минному полю

▪ Флип-камера Canon PowerShot V10 для видеоблоггеров

▪ Микропластик делает почву менее плодородной

▪ Микро-принтер для смартфона Canon Zoemini

▪ Новый способ выработки электричества

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Преобразователи напряжения, выпрямители, инверторы. Подборка статей

▪ статья Галопом по Европам. Крылатое выражение

▪ статья В каком городе есть мечеть, в которой свои службы совершают также иудеи? Подробный ответ

▪ статья Виноград культурный. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Электронно-механический привод бензонасоса. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Электроискровой карандаш на основе виброзвонка. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2025