Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Антенное согласующее устройство. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Антенны. Измерения, настройка, согласование

Комментарии к статье Комментарии к статье

Оптимального согласования трансивера с антенно-фидерным трактом достигают применением на радиостанции антенных согласующих устройств (АСУ). Они позволяют успешно эксплуатировать, в частности, современные транзисторные трансиверы, не допускающие работу с КСВ более двух. Одна из проблем, с которой сталкивается радиолюбитель при изготовлении АСУ, - необходимость иметь катушку с переменной индуктивностью. Такие катушки сегодня - большая редкость, да и стоят они весьма дорого.

Очевидным решением проблемы может быть АСУ с катушкой, индуктивность которой изменяется ступенями с помощью переключателя. Однако используя одну катушку с отводами и переключатель, практически невозможно обеспечить плавную регулировку индуктивности с заданным шагом во всем диапазоне требуемых ее изменений (например, от долей до десятков микрогенри шагом 0,1 мкГн).

WD8OYG описал вариант АСУ (D. L. Kinkaid. An automatic antenna tuner. - QST, 1996, January, p. 35- 37), в котором были использованы девять отдельных катушек. Их последовательное включение в различных комбинациях позволяет получить для выбранных им номиналов перекрытие по индуктивности от 0,08 до 40 мкГн с шагом 0,08 мкГн. Следует сразу отметить, что простым в управлении АСУ с такой "переменной" катушкой получается лишь благодаря применению в нем микроконтроллера, который, производя соответствующие коммутации, и обеспечивает последовательное изменение индуктивности с необходимым шагом.

Упрощенный вариант АСУ, предложенный WD8OYG, разработал DL1DA (Kurt C. Schips. Kompaktes Antennenanpassgerat. - СQ DL, 1997, № 3, s. 206, 207). Он содержит лишь десять переключателей. Оправданием для такого упрощения может служить то, что радиолюбитель в стационарных условиях использует вполне определенные антенны. Повозившись один раз с их согласованием, можно записать полученные оптимальные значения L и С согласующего устройства и устанавливать их по таблице при смене антенн и диапазонов. Это вряд ли подходит для участия в соревнованиях, но в обычной повседневной работе вполне приемлемо.

Схема АСУ DL1DA показана на рисунке. Оно представляет собой Г- или L-образный контур, образованный катушкой индуктивности (L1-L9) и конденсатором переменной емкости С1. Переключателем S10 можно выбрать вариант подключения конденсатора С1 (на вход или на выход), что расширяет диапазон согласуемых АСУ сопротивлений.

Антенное согласующее устройство

Индуктивность катушек L1-L9 образует ряд с кратностью изменения индуктивности, близкой к двум: 0,08; 0,16; 0,31; 0,62 ; 1,25; 2,5; 5 ; 10 и 20 мкГн. Таким образом, если включена (точнее, не замкнута соответствующим переключателем) только катушка L1, индуктивность будет 0,08 мкГн. Если включена только L2, индуктивность - 0,16 мкГн; если включены только L1 и L2, индуктивность - 0,24 мкГн; если включена только L3, индуктивность - 0,31 мкГн и т.д.

Согласующее устройство было изготовлено для использования с QRP радиостанцией с выходной мощностью около 10 Вт, поэтому в нем были использованы детали от обычных радиовещательных приемников. Конденсатор C1 - сдвоенный блок конденсаторов с максимальной емкостью 360 пФ, у которого обе секции включены параллельно. Переключатели S1-S10 - аналогичны переключателям типа П2К. Катушки намотаны на кольцевых магнитопроводах из карбонильного железа. При повторении конструкции крайне желательно использовать кольцевые магнитопроводы, которые могут обеспечить минимальную связь между отдельными катушками. Как вариант можно рекомендовать (особенно для более высоких мощностей) использование кольцевых каркасов из диэлектрика и установку дополнительных экранов между катушками.

Данное согласующее устройство обеспечивает согласование 50-омного тракта с антеннами, имеющими входное сопротивление в пределах 10...500 Ом на диапазонах 10-80 м и в более узких пределах на диапазоне 160 м.

Смотрите другие статьи раздела Антенны. Измерения, настройка, согласование.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Впервые преоодолена передача ВИЧ от матери к ребенку 02.01.2026

Проблема вертикальной передачи ВИЧ - от матери к ребенку - остается одной из ключевых задач глобальной медицины. Недавний отчет Всемирной организации здравоохранения (ВОЗ) демонстрирует историческое достижение: Бразилия впервые в своей истории полностью преодолела этот путь передачи вируса. Страна стала 19-й в мире и первой с населением более 100 миллионов человек, которая достигла такого результата. Достижения Бразилии основаны на комплексных медицинских программах, обеспечивающих своевременный доступ к диагностике и терапии для всех слоев населения. ВОЗ официально подтвердило, что уровень передачи ВИЧ от матери к ребенку снизился до менее двух процентов. Более 95% беременных женщин в стране получают регулярный скрининг на ВИЧ и необходимое лечение в рамках стандартного ведения беременности. Изначально программа тестировалась в крупных муниципалитетах и штатах с населением более 100 тысяч человек, а затем была масштабирована на всю страну. Такой подход позволил унифицировать ста ...>>

Нанослой германия увеличивает эффективность солнечных батарей на треть 02.01.2026

Разработка высокоэффективных солнечных батарей остается одной из ключевых задач современной энергетики. Недавнее исследование южнокорейских ученых позволило повысить производительность тонкопленочных солнечных элементов почти на 30%, что открывает новые перспективы для возобновляемых источников энергии, гибкой электроники и сенсорных устройств. Команда исследователей сосредоточилась на элементах на основе моносульфида олова (SnS) - нетоксичного и доступного материала, который идеально подходит для гибких солнечных панелей. До настоящего времени эффективность SnS-устройств оставалась низкой из-за проблем на границе контакта с металлическим электродом. В этой области возникали структурные дефекты, диффузия элементов и электрические потери, что существенно ограничивало возможности таких батарей. "Этот интерфейс был главным барьером для достижения высокой производительности", - отмечает профессор Джейонг Хо из Национального университета Чоннам. Для решения этих проблем ученые предлож ...>>

Электростатическое решение для борьбы с льдом и инеем 01.01.2026

Борьба с льдом и инеем на транспортных средствах и критически важных поверхностях зимой остается сложной и затратной задачей. Ученые из Virginia Tech разработали инновационную технологию, способную разрушать лед и иней без использования тепла или химических реагентов, что открывает новые возможности для безопасной и экологичной зимней эксплуатации транспорта. Исследователи обнаружили, что лед и иней образуют кристаллическую решетку с так называемыми ионными дефектами - заряженными участками, способными перемещаться под воздействием электрического поля. Эти дефекты являются ключом к управлению прочностью льда и его удалением с поверхностей. Когда на замерзшую поверхность подается положительный электрический заряд, отрицательные ионные дефекты притягиваются к источнику поля. Это вызывает разрушение кристаллической решетки льда, в результате чего часть льда буквально "отскакивает" от поверхности. Такой эффект позволяет удалять лед без применения внешнего тепла или химических средств ...>>

Случайная новость из Архива

Карты памяти стандарта UFS 05.04.2016

Комитет JEDEC опубликовал спецификации нового стандарта карточек флеш-памяти. Это карты и стандарт Universal Flash Storage (UFS) Removable Card Standard. Спецификации интерфейса новых карт опираются на вторую (последнюю) версию спецификаций встраиваемой памяти Universal Flash Storage 2.0 (UFS).

Стандарт UFS предложен примерно шесть лет назад в качестве замены устаревшего параллельного интерфейса eMMC. Интерфейс передачи данных в стандарте UFS последовательный и по одной линии в версии UFS 2.0 можно передавать информацию со скоростью до 600 Мбайт/с. Фактически в лице карточек памяти UFS Removable Card мы получаем внешние SSD для смартфонов и гаджетов.

Как следует из спецификаций, внешние размеры карт UFS точно такие же, как у карточек памяти формфактора microSD - 11 на 15 мм. При этом расположение контактов совершенно другое и все углы у карты UFS скругленные! Кстати, стандарт UFS и соответствующие карты памяти защищены без малого десятком патентов компании Samsung. По-видимому, именно этим можно объяснить медленное внедрение накопителей с шиной UFS в смартфоны и планшеты. До сих пор микросхемы памяти с шиной UFS кроме компании Samsung относительно массово выпускала только Toshiba (SK Hynix приступила к выпуску чипов с шиной UFS только осенью прошлого года), а в смартфонах память UFS начала появляться лишь в прошлом году и то в единичных моделях.

Карты памяти UFS поддерживают скорость обмена до 600 Мбайт/с сразу в обоих направлениях (полный дуплекс). При этом интерфейс создает гибкую очередь команд для обеспечения пропускной способности по требованию приложений. Подобные возможности, уверены в комитете, будут важны для бесперебойной записи видео с качеством 4K/8K, для панорамных съемок и для съемок с помощью дронов.

Другие интересные новости:

▪ Осмотр груди с помощью робота

▪ Камера с постфокусировкой Lytro Illum

▪ Планшеты Samsung Galaxy Tab 3

▪ Жесткий диск Western Digital Black 6 Тбайт

▪ Видеоигры на карте реального мира

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Компьютерные устройства. Подборка статей

▪ статья Фридьеш Каринти. Знаменитые афоризмы

▪ статья Как императорский пингвин-самец помогает самке в выведении птенцов? Подробный ответ

▪ статья Животновод, крупный рогатый скот. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Особенности применения варикапов. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья А веревка-то целая! Секрет фокуса. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026