Антенна GP с емкостной нагрузкой для 160 м. Схема, описание

Бесплатная техническая библиотека ЭНЦИКЛОПЕДИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ Бесплатная библиотека / Схемы радиоэлектронных и электротехнических устройств Антенна GP с емкостной нагрузкой для 160 метров. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Антенны КВ Комментарии к статье Таблица 1
Высота штыря, м	18	21.5	25	28	32	35.5	39
E, м	16.5	15	11.5	6.5	5.9	4	1.5
А (75 Ом), м	13.6
А (75 Ом), м	9.6
Диаметр А, мм	22
Длина фидера, м	27 или 52.75

Автор: Виктор Холод, г.Грайворон; Публикация: Н. Большаков, rf.atnn.ru

Смотрите другие статьи раздела Антенны КВ.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Впервые преоодолена передача ВИЧ от матери к ребенку 02.01.2026

Проблема вертикальной передачи ВИЧ - от матери к ребенку - остается одной из ключевых задач глобальной медицины. Недавний отчет Всемирной организации здравоохранения (ВОЗ) демонстрирует историческое достижение: Бразилия впервые в своей истории полностью преодолела этот путь передачи вируса. Страна стала 19-й в мире и первой с населением более 100 миллионов человек, которая достигла такого результата. Достижения Бразилии основаны на комплексных медицинских программах, обеспечивающих своевременный доступ к диагностике и терапии для всех слоев населения. ВОЗ официально подтвердило, что уровень передачи ВИЧ от матери к ребенку снизился до менее двух процентов. Более 95% беременных женщин в стране получают регулярный скрининг на ВИЧ и необходимое лечение в рамках стандартного ведения беременности. Изначально программа тестировалась в крупных муниципалитетах и штатах с населением более 100 тысяч человек, а затем была масштабирована на всю страну. Такой подход позволил унифицировать ста ...>>

Нанослой германия увеличивает эффективность солнечных батарей на треть 02.01.2026

Разработка высокоэффективных солнечных батарей остается одной из ключевых задач современной энергетики. Недавнее исследование южнокорейских ученых позволило повысить производительность тонкопленочных солнечных элементов почти на 30%, что открывает новые перспективы для возобновляемых источников энергии, гибкой электроники и сенсорных устройств. Команда исследователей сосредоточилась на элементах на основе моносульфида олова (SnS) - нетоксичного и доступного материала, который идеально подходит для гибких солнечных панелей. До настоящего времени эффективность SnS-устройств оставалась низкой из-за проблем на границе контакта с металлическим электродом. В этой области возникали структурные дефекты, диффузия элементов и электрические потери, что существенно ограничивало возможности таких батарей. "Этот интерфейс был главным барьером для достижения высокой производительности", - отмечает профессор Джейонг Хо из Национального университета Чоннам. Для решения этих проблем ученые предлож ...>>

Электростатическое решение для борьбы с льдом и инеем 01.01.2026

Борьба с льдом и инеем на транспортных средствах и критически важных поверхностях зимой остается сложной и затратной задачей. Ученые из Virginia Tech разработали инновационную технологию, способную разрушать лед и иней без использования тепла или химических реагентов, что открывает новые возможности для безопасной и экологичной зимней эксплуатации транспорта. Исследователи обнаружили, что лед и иней образуют кристаллическую решетку с так называемыми ионными дефектами - заряженными участками, способными перемещаться под воздействием электрического поля. Эти дефекты являются ключом к управлению прочностью льда и его удалением с поверхностей. Когда на замерзшую поверхность подается положительный электрический заряд, отрицательные ионные дефекты притягиваются к источнику поля. Это вызывает разрушение кристаллической решетки льда, в результате чего часть льда буквально "отскакивает" от поверхности. Такой эффект позволяет удалять лед без применения внешнего тепла или химических средств ...>>

Случайная новость из Архива

Микросхема IR25750L для измерения тока 27.12.2014

IR25750L - новое решение от International Rectifier для измерения тока без использования дополнительных датчиков. Микросхема измеряет падение напряжения на сопротивлении открытого канала MOSFET или напряжение насыщения IGBT транзистора, выполняющего роль ключевого элемента для управления мощностью в нагрузке.

IR25750L позволяет избавиться от токоизмерительного резистора или других дорогостоящих датчиков, при этом повышается общий КПД системы и экономится место на печатной плате. Микросхема может применяться для построения токовой защиты в системах электропривода, индукционного нагрева и других промышленных системах.

IR25750L не требует дополнительного внешнего питания - вход затвора (GATE) не только обеспечивает синхронизацию моментов измерения падения напряжения на силовом транзисторе с его открытым состоянием, но и обеспечивает необходимое питание микросхемы. Благодаря применению передовых высоковольтных технологий International Rectifier, микросхема обеспечивает блокировку высоковольтного входного напряжения транзистора (до 600 В) от низковольтной части схемы в периоды закрытого состояния транзистора.

Другими преимуществами новой микросхемы являются низкая емкость входа GATE и встроенная цепочка формирования внутренней временной задержки (порядка 200 нс) после появления активного сигнала на входе GATE - для обеспечения полного открытия силового транзистора перед началом измерения напряжения на нем. Выводы GATE и CS защищены внутренними ограничительными диодами с напряжением 20,8 В.

При построении силовых систем, требующих более точного измерения тока, возможна установка внешней программируемой цепи температурной компенсации. Встроенная ESD-защита и отличный иммунитет к эффекту защелкивания на всех выводах обеспечивают промышленной микросхеме IR25750L высокую степень интегрированной защиты.

Другие интересные новости:

▪ Смартфон и завтрак с антипиренами

▪ Сорняки как топливо

▪ Беспроводное подключение Xbox к ПК

▪ Nvidia Parker - однокристальная система нового поколения для автомобильного сегмента

▪ Раскрыта причина шрамов

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта И тут появился изобретатель (ТРИЗ). Подборка статей

▪ статья Кипеть млеком и медом. Крылатое выражение

▪ статья Какая деревня дала название четырем химическим элементам? Подробный ответ

▪ статья Опунция. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Подсветка мыши. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Зарядное устройство для аккумуляторов до 24 элементов. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте