Скачать бесплатно Книги по теории и практике радиосвязи

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Электромобиль VENTRA с системой очистки воздуха 11.10.2026

Даже автомобили без двигателя внутреннего сгорания не являются полностью безвредными для окружающей среды. При движении любой автомобиль изнашивает шины и тормозные элементы, в результате чего в воздух и на дорожное покрытие попадают мельчайшие частицы. Студенты Эйндховенского технологического университета решили обратить внимание именно на этот мало заметный источник загрязнения и создали концептуальный электромобиль VENTRA, способный собирать часть таких загрязняющих веществ непосредственно во время движения. Проект разработала команда TU/ecomotive, которая оснастила VENTRA специальной системой улавливания частиц, образующихся при износе шин и торможении. Авторы концепта считают, что переход на электрическую тягу сам по себе не решает проблему автомобильных выбросов. Более тяжелые электромобили дополнительно нагружают шины, а их электродвигатели способны обеспечивать очень быстрое ускорение, что также может способствовать повышенному износу резины. Собранные около колес частицы си ...>>

Лазерное переключение магнитов 10.10.2026

Технологии хранения данных постоянно стремятся уменьшить размеры элементов памяти и одновременно увеличить скорость записи информации. Один из возможных путей связан с использованием света, который способен переносить энергию с огромной скоростью и воздействовать на очень небольшие области материала. Инженеры Университета Калифорнии в Сан-Диего (UC San Diego) продемонстрировали необычный способ управления магнитным состоянием вещества, при котором внешнее магнитное поле вообще не требуется. В обычных жестких дисках информация записывается в виде последовательности крошечных магнитных областей, соответствующих значениям 1 и 0. Для изменения их состояния обычно необходимо внешнее магнитное поле, однако такой способ требует значительных энергетических затрат и ограничивает скорость записи. Исследователи UC San Diego предложили альтернативу - так называемое оптическое переключение, при котором магнитное состояние изменяется под воздействием лазерного излучения. По оценкам специалистов, ...>>

Случайная новость из Архива

Микросхемы памяти типа RRAM 200 мм2 1 ТБ 10.08.2013

Компания Crossbar сообщила о том, что ею создан рабочий массив резистивной памяти (RRAM) на обычной коммерческой фабрике. Это показатель того, что до массового производства (в теории) осталось недолго. Если учесть, что первые образцы подобной памяти были получены ещё в 2006 году, а к 2010 году на тот момент планировалось получение коммерческих образцов, нынешнее достижение Crossbar является достаточно значимым.

Напомним, что резистивная память характеризуется высоким быстродействием и малым энергопотреблением. Кроме этого, за счёт меньшего количество проблем с переходом на более тонкие техпроцессы (по сравнению с памятью NAND), RRAM пророчат в качестве замены современной флэш-памяти.

Возвращаясь к Crossbar, компания заявляет, что её разработка позволит создавать память объёмом 1 ТБ при площади микросхемы 200 мм2. Кроме этого, благодаря возможности "трёхмерной" архитектуры, можно создавать микросхемы объёмом несколько ТБ. Разработчик утверждает, что его память превосходит лучшие современные образы NAND по скорости записи в 20 раз, по уровню энергопотребления в 20 раз и имеет на порядок больший срок службы.

Другие интересные новости:

Получение воды даже из воздуха пустыни

Цифровой фотоаппарат Sony DSC-R1

Электромобиль Nio ET5

Мозг в отпуске

Боевые лазеры для бомбардировщиков

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Электрические счетчики. Подборка статей

▪ статья Каменное сердце. Крылатое выражение

▪ статья В скольких советских фильмах сыграла бронзовая статуя Пегаса, которую осматривал в магазине Горбунков? Подробный ответ

▪ статья Сапожник. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Смазка ременных уборов и сбруи. Простые рецепты и советы

▪ статья Волшебный огонь. Секрет фокуса

Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте