Бесплатная техническая библиотека

Вы можете бесплатно и без регистрации скачать электронную книгу
Я строю супергетеродин. Соболевский А.Г., 1967 (Массовая радиобиблиотека №0630).

Другие книги, журналы, справочники, а также схемы и сервис-мануалы вы можете скачать в нашей Бесплатной онлайн технической библиотеке.

Книги серии Массовая радиобиблиотека скачать бесплатно.

В книге в популярной форме рассказано о наиболее распространенном радиоприемнике-супергетеродине. Приведены схемы отдельных блоков, простейшие формулы, позволяющие подсчитать параметры будущего приемника. Рассказано о принципах конструирования ламповых и транзисторных супергетеродинных приемников, много места уделено их налаживанию. Предназначена для радиолюбителей, имеющих некоторый опыт сборки и налаживания приемников.

Ссылка для скачивания электронной книги
Я строю супергетеродин. Соболевский А.Г., 1967 (Массовая радиобиблиотека №0630): скачать с depositfiles.com

Ссылка для скачивания архива со всеми выпусками Массовой радиобиблиотеки:
скачать с depositfiles.com

Поиск по книгам, журналам и сборникам:

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Электромобиль VENTRA с системой очистки воздуха 11.10.2026

Даже автомобили без двигателя внутреннего сгорания не являются полностью безвредными для окружающей среды. При движении любой автомобиль изнашивает шины и тормозные элементы, в результате чего в воздух и на дорожное покрытие попадают мельчайшие частицы. Студенты Эйндховенского технологического университета решили обратить внимание именно на этот мало заметный источник загрязнения и создали концептуальный электромобиль VENTRA, способный собирать часть таких загрязняющих веществ непосредственно во время движения. Проект разработала команда TU/ecomotive, которая оснастила VENTRA специальной системой улавливания частиц, образующихся при износе шин и торможении. Авторы концепта считают, что переход на электрическую тягу сам по себе не решает проблему автомобильных выбросов. Более тяжелые электромобили дополнительно нагружают шины, а их электродвигатели способны обеспечивать очень быстрое ускорение, что также может способствовать повышенному износу резины. Собранные около колес частицы си ...>>

Лазерное переключение магнитов 10.10.2026

Технологии хранения данных постоянно стремятся уменьшить размеры элементов памяти и одновременно увеличить скорость записи информации. Один из возможных путей связан с использованием света, который способен переносить энергию с огромной скоростью и воздействовать на очень небольшие области материала. Инженеры Университета Калифорнии в Сан-Диего (UC San Diego) продемонстрировали необычный способ управления магнитным состоянием вещества, при котором внешнее магнитное поле вообще не требуется. В обычных жестких дисках информация записывается в виде последовательности крошечных магнитных областей, соответствующих значениям 1 и 0. Для изменения их состояния обычно необходимо внешнее магнитное поле, однако такой способ требует значительных энергетических затрат и ограничивает скорость записи. Исследователи UC San Diego предложили альтернативу - так называемое оптическое переключение, при котором магнитное состояние изменяется под воздействием лазерного излучения. По оценкам специалистов, ...>>

Случайная новость из Архива 8 ГБ модули мобильной памяти LPDDR4 от Samsung 21.10.2016 Компания Samsung Electronics объявила о выпуске мобильных модулей DRAM с низким потреблением мощности и двукратной скоростью передачи данных (low power, double data rate 4 - LPDDR4) объемом 8 ГБ. Как рассказали CNews В компании, новое решение ориентировано на работу в мобильных устройствах с большими Ultra HD дисплеями. В модуль DRAM 8 ГБ установлены четыре 16-гигабитных чипа памяти LPDDR4, изготовленных по 10-нм технологическому процессу. "Запуск нового мощного мобильного модуля DRAM 8 Гб приведет к появлению более производительных флагманских мобильных устройств нового поколения по всему миру, - сказал Ю Сон Чой, исполнительный вице-президент подразделения маркетинга и продаж устройств памяти Samsung Electronics. - Мы продолжим создавать высококачественные передовые решения для хранения данных, которые отвечают растущим потребностям самых современных устройств с такими функциями, как сдвоенная камера, видео в разрешении 4K UHD и технологии виртуальной реальности". Скорость передачи данных нового LPDDR4 8 ГБ модуля достигает 4266 Мбит/с, что вдвое выше, чем показатели DDR4 DRAM для ПК, обычно составляющие примерно 2133 Мбит/с. При условии, что ширина шины памяти составляет 64 бит (x64), это гарантирует передачу данных со скоростью до 34 ГБ в секунду. Габариты 8 Гб LPDDR4 составляют менее 15х15х1 мм, что отвечает требованиям к размерам большинства современных ультратонких мобильных устройств. В зависимости от предпочтений производителя комплект DRAM толщиной менее 1 мм можно использовать вместе с универсальным флеш-накопителем или мобильным процессором, что позволяет экономить пространство печатной платы устройства. В августе 2015 г. Samsung представил первое на рынке решение LPDDR4 DRAM емкостью 12 ГБ по техпроцессу 20-нм. Период разработки нового 16 ГБ LPDDR4 DRAM решения по техпроцессу 10-нм, а также 8 ГБ LPDDR4 DRAM, составил 14 месяцев.

Другие интересные новости:

Дроны помогут в борьбе с незаконным рыбным промыслом

Искусственный мозг с функционирующей системой защиты

Шпионский глаз

Модульный контроллер Fujitsu TeamPoS серии 7000 S для розничной торговли

Нейронные цепи регулируют аппетит

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Стабилизаторы напряжения. Подборка статей

▪ статья Жа Жа Габор. Знаменитые афоризмы

▪ статья Гусеницы каких бабочек вынуждены проводить в спячке до 13 зим перед превращением в куколку? Подробный ответ

▪ статья Режиссер монтажа. Должностная инструкция

▪ статья Лабораторный синтезатор СВЧ. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Универсальный преобразователь напряжения, 5 вольт. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

www.diagram.com.ua
2000-2026