Бесплатная техническая библиотека

Должностная инструкция для учителя-дефектолога. Полный документ

Охрана труда / Должностные инструкции

 Комментарии к статье

I. Общие положения

1. Учитель-дефектолог относится к категории специалистов.
2. На должность учителя-дефектолога назначается лицо, имеющее высшее дефектологическое образование (без предъявления требований к стажу работы; стаж педагогической работы от 2 до 5 лет; от 5 до 10 лет; от 10 до 20 лет; свыше 20 лет).
3. Назначение на должность учителя-дефектолога и освобождение от нее производится приказом директора учреждения.
4. Учитель-дефектолог должен знать:

• законодательство Украины.
• конвенцию о правах ребенка.
• возрастную и специальную педагогику и психологию.
• анатомо-физиологические и клинические основы дефектологии.
• методы и приемы предупреждения и исправления отклонений в развитии обучающихся (воспитанников).
• нормативные и методические документы по вопросам профессиональной и практической деятельности.
• программно-методическую литературу по работе с обучающимися (воспитанниками), имеющими отклонения в развитии.
• новейшие достижения дефектологической науки.
• правила и нормы охраны труда, техники безопасности и противопожарной защиты.

На время отсутствия учителя-дефектолога (отпуск, болезнь, пр.) его обязанности исполняет лицо, назначенное приказом директора учреждения. Данное лицо, приобретает соответствующие права и несет ответственность за качественное и своевременное исполнение возложенных на него обязанностей.

II. Должностные обязанности

Учитель-дефектолог:

1. Осуществляет работу, направленную на максимальную коррекцию отклонений в развитии у обучающихся (воспитанников).
2. Обследует обучающихся (воспитанников), определяет структуру и степень выраженности имеющегося у них дефекта.
3. Комплектует группы для занятий с учетом психофизического состояния обучающихся (воспитанников).
4. Проводит групповые и индивидуальные занятия по исправлению отклонений в развитии, восстановлению нарушенных функций.
5. Работает в тесном контакте с учителями и воспитателями, посещает занятия и уроки.
6. Консультирует педагогических работников и родителей (лиц, их заменяющих) по применению специальных методов и приемов оказания помощи детям, имеющим отклонения в развитии.
7. Ведет необходимую документацию.
8. Способствует формированию общей культуры личности, социализации, осознанного выбора и освоения профессиональных программ.
9. Использует разнообразные формы, приемы, методы и средства обучения в рамках государственных стандартов.
10. Реализует образовательные программы.
11. Обеспечивает уровень подготовки обучающихся (воспитанников), соответствующий требованиям государственного образовательного стандарта, и несет ответственность за их реализацию не в полном объеме.
12. Систематически повышает свою профессиональную квалификацию.
13. Участвует в деятельности методических объединений и других формах методической работы.
14. Осуществляет связь с родителями (лицами, их заменяющими).
15. Выполняет правила и нормы охраны труда, техники безопасности и противопожарной защиты.
16. Обеспечивает охрану жизни и здоровья обучающихся в период образовательного процесса.

III. Права

Учитель-дефектолог вправе:

1. Знакомиться с проектами решений руководства учреждения, касающихся его деятельности.
2. По вопросам, находящимся в его компетенции вносить на рассмотрение руководства учреждения предложения по улучшению деятельности учреждения и совершенствованию методов работы; замечания по деятельности работников учреждения; варианты устранения имеющихся в деятельности учреждения недостатков.
3. Запрашивать лично или по поручению руководства учреждения от структурных подразделений и иных специалистов информацию и документы, необходимые для выполнения его должностных обязанностей.
4. Привлекать специалистов всех (отдельных) структурных подразделений к решению задач, возложенных на него (если это предусмотрено положениями о структурных подразделениях, если нет - то с разрешения руководителя учреждения).
5. Требовать от руководства учреждения оказания содействия в исполнении им его должностных обязанностей и прав.

IV. Ответственность

Учитель-дефектолог несет ответственность:

1. За ненадлежащее исполнение или неисполнение своих должностных обязанностей, предусмотренных настоящей Должностной инструкцией - в пределах, определенных действующим трудовым законодательством Украины.
2. За правонарушения, совершенные в процессе осуществления своей деятельности - в пределах, определенных действующим административным, уголовным и гражданским законодательством Украины.
3. За причинение материального ущерба - в пределах, определенных действующим трудовым и гражданским законодательством Украины.

 Рекомендуем интересные статьи раздела Должностные инструкции:

▪ Старший телеоператор технического отдела. Должностная инструкция

▪ Торговый представитель. Должностная инструкция

▪ Менеджер по качеству. Должностная инструкция

Смотрите другие статьи раздела Должностные инструкции.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Впервые преоодолена передача ВИЧ от матери к ребенку 02.01.2026

Проблема вертикальной передачи ВИЧ - от матери к ребенку - остается одной из ключевых задач глобальной медицины. Недавний отчет Всемирной организации здравоохранения (ВОЗ) демонстрирует историческое достижение: Бразилия впервые в своей истории полностью преодолела этот путь передачи вируса. Страна стала 19-й в мире и первой с населением более 100 миллионов человек, которая достигла такого результата. Достижения Бразилии основаны на комплексных медицинских программах, обеспечивающих своевременный доступ к диагностике и терапии для всех слоев населения. ВОЗ официально подтвердило, что уровень передачи ВИЧ от матери к ребенку снизился до менее двух процентов. Более 95% беременных женщин в стране получают регулярный скрининг на ВИЧ и необходимое лечение в рамках стандартного ведения беременности. Изначально программа тестировалась в крупных муниципалитетах и штатах с населением более 100 тысяч человек, а затем была масштабирована на всю страну. Такой подход позволил унифицировать ста ...>>

Нанослой германия увеличивает эффективность солнечных батарей на треть 02.01.2026

Разработка высокоэффективных солнечных батарей остается одной из ключевых задач современной энергетики. Недавнее исследование южнокорейских ученых позволило повысить производительность тонкопленочных солнечных элементов почти на 30%, что открывает новые перспективы для возобновляемых источников энергии, гибкой электроники и сенсорных устройств. Команда исследователей сосредоточилась на элементах на основе моносульфида олова (SnS) - нетоксичного и доступного материала, который идеально подходит для гибких солнечных панелей. До настоящего времени эффективность SnS-устройств оставалась низкой из-за проблем на границе контакта с металлическим электродом. В этой области возникали структурные дефекты, диффузия элементов и электрические потери, что существенно ограничивало возможности таких батарей. "Этот интерфейс был главным барьером для достижения высокой производительности", - отмечает профессор Джейонг Хо из Национального университета Чоннам. Для решения этих проблем ученые предлож ...>>

Электростатическое решение для борьбы с льдом и инеем 01.01.2026

Борьба с льдом и инеем на транспортных средствах и критически важных поверхностях зимой остается сложной и затратной задачей. Ученые из Virginia Tech разработали инновационную технологию, способную разрушать лед и иней без использования тепла или химических реагентов, что открывает новые возможности для безопасной и экологичной зимней эксплуатации транспорта. Исследователи обнаружили, что лед и иней образуют кристаллическую решетку с так называемыми ионными дефектами - заряженными участками, способными перемещаться под воздействием электрического поля. Эти дефекты являются ключом к управлению прочностью льда и его удалением с поверхностей. Когда на замерзшую поверхность подается положительный электрический заряд, отрицательные ионные дефекты притягиваются к источнику поля. Это вызывает разрушение кристаллической решетки льда, в результате чего часть льда буквально "отскакивает" от поверхности. Такой эффект позволяет удалять лед без применения внешнего тепла или химических средств ...>>

Случайная новость из Архива Инновационное производство 3D-наночипов 27.07.2013 Новая технология микроскопии облегчит разработку и обеспечит контроль производства трехмерных полупроводниковых чипов. Ученые из Национального института стандартов и технологий (National Institute of Standards and Technology, NIST) модернизировали разработанную ими несколько лет назад технологию оптической микроскопии и приспособили ее для наблюдения наноразмерных объектов, что позволяет произвести контроль производства элементов трехмерных полупроводниковых чипов нового поколения. С помощью этой технологии, называемой TSOM (Through-Focus Scanning Optical Microscopy), можно не только рассмотреть наноразмерные компоненты чипов, которые до недавнего времени были двухмерными конструкциями, но и с достаточно высокой точностью определить различия в их формах и размерах, что и требуется для проведения технологического контроля. Новые поколения полупроводниковых чипов имеют в своем составе трехмерные элементы, которые накладываются друг на друга. Для правильной и надежной работы чипа в целом требуется, чтобы все компоненты имели правильные формы и строго заданные габариты. Существующие методы микроскопии - электронная, атомно-силовая и другие - могут обеспечить контроль формы и размеров элементов чипа, но делают это крайне медленно, с риском нанести повреждения хрупкой структуре чипа, а также обходятся они крайне дорого. А использование оптических методов микроскопии ограничивается тем, что размеры элементов чипов намного меньше половины длины волны света видимого диапазона (250 нм для зеленого света), поэтому оптический микроскоп физически не может увидеть столь маленькие объекты. Технология TSOM позволяет увидеть оптическим способом объекты, размеры которых приблизительно равны 10 нм, а в перспективе и еще меньше. В методе TSOM используется обычный оптический микроскоп, который делает не один, а множество расфокусированных двухмерных снимков интересующего объекта с нескольких точек зрения. Используя изменения яркости с этих расфокусированных снимков, компьютер вычисляет градиенты света и определяет границы снимаемых объектов, создавая таким образом результирующее трехмерное изображение. Изображения, получаемые с помощью метода TSOM, несколько абстрактны, но детали, которые на них видны, позволяют с достаточно высокой точностью определить различия в формах и размерах компонентов полупроводниковых чипов. "Наши исследования показали, что с помощью метода TSOM мы можем рассмотреть элементы размерами около 10 нм, чего вполне достаточно для обеспечения контроля технологических процессов производства полупроводников на ближайшее десятилетие, - рассказывает Рэвикирэн Аттота (Ravikiran Attota), ученый из NIST. - Кроме этого, технологию TSOM можно будет использовать не только в электронной промышленности, но и в других отраслях, в науке и везде, где требуется производить анализ и контроль форм крошечных трехмерных объектов".

Другие интересные новости:

▪ Какао с перцем от майя

▪ Астронавтки впервые вышли в открытый космос

▪ Пристегните ремни, пассажиры на задних сиденьях

▪ Электронный амортизатор теннисной ракетки

▪ Складной аккумулятор

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Студенту на заметку. Подборка статей

▪ статья Сердце красавицы склонно к измене. Крылатое выражение

▪ статья Какое множество чисел равняется единице в Великобритании в юридическом смысле? Подробный ответ

▪ статья Аппаратчик ХВО установки. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Автоматика освещения в туалете. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Блокиратор межгорода. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026