Бесплатная техническая библиотека

Как проходил подъем ФРГ в послевоенный период? Подробный ответ

Справочник / Большая энциклопедия. Вопросы для викторины и самообразования

 Комментарии к статье

Знаете ли Вы?

Как проходил подъем ФРГ в послевоенный период?

После капитуляции Германии западная зона оккупации возвращалась к нормальной жизни. Оккупационными властями были проведены судебные процессы против военных преступников, проводилась декартелизация, восстановление политических партий, профсоюзов.

Но социально-экономическая политика западных держав в Германии характеризовалась определенной двойственностью. С одной стороны, никто из союзников не хотел возрождения мощного, агрессивного конкурента. С другой стороны, Западу необходима была сильная Германия, которую нужно было активно подключить к борьбе против общего противника - СССР. Эта дилемма и определяла действия западных держав в германском вопросе.

Возрождению нормальной деятельности рыночных механизмов дала старт сепаратная денежная реформа, осуществленная по инициативе США в 1948 г. Хотя эта реформа и обострила кризис и привела к окончательному разделу Германии, для западной зоны оккупации она имела позитивные внутриполитические последствия.

Для превращения новой Германии в типичную западную демократию необходимо было также создать политические структуры, обеспечивающие оптимальные условия для функционирования государства и общества.

В день четырехлетия капитуляции гитлеровской Германии созданный по инициативе западных держав в их зонах оккупации Парламентский совет утвердил Основной закон, на базе которого были проведены выборы в бундестаг - нижнюю палату нового западногерманского парламента. Наиболее количество мест в нем получил блок ХДС/ХСС. Верхняя палата парламента формировалась из немецких земель. После завершения конституциирования парламента, 7 сентября 1949 г. было провозглашено образование ФРГ. Первым канцлером ее стал лидер ХДС К. Аденауэр.

Главной задачей нового правительства стало определение стратегии экономического восстановления страны, ее дальнейшего развития. В противовес сложившейся с начала ХХ в. практике централизованного хозяйства на новом историческом этапе была принята программа перехода к свободному конкурентному рыночному хозяйству. Этот новый порядок получил название "социальное рыночное хозяйство". Согласно ему рыночное развитие должно было дополняться сильной социальной политикой государства, способной смягчать социальные контрасты и социальную несправедливость, порождаемую рыночными отношениями.

Эти идеи стали воплощаться в жизнь канцлером ФРГ К. Аденауэром и министром экономики Л. Эрхардом.

Модель социального рыночного хозяйства была успешно претворена в жизнь. В ФРГ были завершена индустриальная модернизация, создан мощный потенциал массового производства предметов длительного пользования, была обеспечена практически полная занятость работоспособного населения, повысился жизненный уровень. То, что произошло в экономике ФРГ в 1950-е гг., не без основания называли чудом: в короткий срок страна, пребывавшая в состоянии разрухи, вышла на передовые рубежи в мировом масштабе. В 1950-е гг. среднегодовые темпы роста производства в ФРГ держались на уровне 9 %, что является даже для высокоразвитой страны чрезвычайно высоким показателем. Это позволило ФРГ к 1962 г. утроить свой национальный доход.

Помимо внутриполитических и экономических задач, правительству К. Аденауэра приходилось заниматься внешнеполитическими вопросами, связанными с определением места ФРГ в биполярной системе, восстановлением ее статуса в международных делах. ФРГ была подключена к военно-политическим структурам Запада, в том числе к НАТО. ФРГ активно участвовала в развитии экономической интеграции западноевропейских стран. Все эти шаги наряду с впечатляющими успехами собственной экономики позволили ФРГ укрепить свое положение: начав в 1949 г. практически с нуля, менее чем за 10 лет ФРГ сумела во многом восстановить свой престиж как ключевой европейской державы.

Но многие факторы, обеспечившие мощный рывок ФРГ в 1950-е гг., к концу десятилетия исчерпали себя. Это вело к падению влияния ХДС/ХСС. Нарастали оппозиционные настроения. Страна все явственнее шла к укреплению консервативных позиций.

Автор: Ирина Ткаченко

 Случайный интересный факт из Большой энциклопедии:

 Проверьте свои знания! Знаете ли Вы...

▪ Кто был Мухаммед?

▪ Влияют ли планеты на погоду и климат?

▪ Кому в университете выдали рекомендательное письмо со строчкой: Он - гений математики?

Смотрите другие статьи раздела Большая энциклопедия. Вопросы для викторины и самообразования.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Расставание действительно может причинять физическую боль 16.09.2026

Разрыв отношений с близким человеком способно вызывать настолько сильные переживания, что привычное выражение "разбитое сердце" иногда воспринимается почти буквально. Человек может испытывать тревогу, тоску и эмоциональное напряжение, сопровождающиеся вполне реальными телесными ощущениями. Исследования работы мозга показывают, что такая связь между эмоциональными и физическими страданиями может иметь вполне определенную нейробиологическую основу. Эксперимент, позволивший изучить этот вопрос, провела команда психолога Итана Кросса из Мичиганского университета. В исследовании участвовали 40 человек, недавно переживших расставание по инициативе партнера. Все добровольцы продолжали остро реагировать на произошедшее, что позволило исследователям изучить мозговую активность в период наиболее сильных переживаний. Во время эксперимента участников помещали в аппарат магнитно-резонансной томографии. Испытуемым поочередно показывали фотографию бывшего партнера и подвергали предплечье воздей ...>>

Научно доказана невозможность создания нейтринного лазера 16.09.2026

Лазер давно перестал быть исключительно лабораторной технологией: сегодня он используется в связи, медицине, промышленности и научных исследованиях. Поэтому физики периодически предлагают необычные варианты устройств, способных работать по аналогичным принципам, но с другими типами частиц. В 2025 году появилась идея создать лазер, формирующий направленный поток нейтрино. Однако последующий теоретический анализ показал, что привлекательная на первый взгляд концепция сталкивается не просто с техническими трудностями, а с фундаментальными законами квантовой физики. Первоначальную концепцию предложили профессор Массачусетского технологического института (MIT) Джо Формаджио (Joe Formaggio) и Бен Джонс (Ben Jones) из Техасского университета в Арлингтоне. Согласно их замыслу, облако радиоактивных атомов следовало охладить до сверхнизких температур порядка нанокельвинов - миллиардных долей кельвина. В таких условиях атомы могли бы сформировать Бозе - Эйнштейновский конденсат, особое квантов ...>>

Индекс нижнего белья раскрыл состояние швейцарских почв 15.09.2026

Почва кажется обычной частью окружающего нас ландшафта, однако под ее поверхностью существует сложная экосистема, от состояния которой напрямую зависит жизнь человека. Миллиарды микроорганизмов, черви, грибы и другие обитатели почвы перерабатывают органические вещества и участвуют в круговороте питательных элементов. Чтобы привлечь внимание общества к этой мало заметной проблеме, исследователи из Цюрихского университета придумали весьма необычный эксперимент: они закопали более 2000 пар хлопкового нижнего белья в садах, на лугах, полях и газонах по всей Швейцарии. Проект получил название "Доказательство в виде нижнего белья" и представлял собой не массовую шутку, а научный эксперимент, позволяющий наглядно оценить биологическую активность почвы. Исследователи помещали хлопковые изделия в землю, а примерно через два месяца извлекали их и сравнивали степень разрушения ткани. Некоторые образцы за это время практически исчезали, оставляя лишь отдельные фрагменты швов, тогда как на други ...>>

Случайная новость из Архива Квантовый рубеж миниатюризации транзисторов 21.06.2026 Исследователи из Корейского передового института науки и технологий (KAIST) представили новую методику атомарно-точных расчетов, которая дает количественный ответ на этот вопрос. Они разработали подход, позволяющий заранее предсказывать, при каких размерах квантовое туннелирование начнет вызывать неконтролируемый рост токов утечки и сделает транзистор неработоспособным. Вместо слепого экспериментирования с образцами методика предлагает инженерам осознанный инструмент проектирования, основанный на фундаментальных законах квантовой физики. В основе расчетов лежит усовершенствованная версия теории функционала плотности - мощного метода, который уже давно успешно применяется для моделирования электронных структур молекул и материалов. Ученые расширили ее возможности специальным вычислительным фреймворком, который детально описывает сложные квантовые процессы именно на границе между металлическим электродом и полупроводниковым каналом. Такой подход особенно ценен сейчас, когда реальные размеры транзисторных структур вплотную приближаются к атомарным масштабам и классические модели перестают работать. Главная трудность дальнейшего уменьшения транзисторов связана с квантовым туннелированием. При слишком малых размерах электроны начинают "просачиваться" сквозь энергетические барьеры, которые в привычной классической физике должны были бы их надежно останавливать. В результате растут паразитные токи утечки, ухудшается управление током между истоком и стоком, падает соотношение токов во включенном и выключенном состояниях. Экспериментально исследовать эти границы крайне сложно: контактные области имеют атомарные размеры, а их геометрию и электронную структуру трудно контролировать с необходимой точностью. Для проверки своей методики специалисты KAIST выбрали однослойный дисульфид молибдена (MoS2) - перспективный двумерный полупроводник толщиной всего в один атом, который рассматривается как один из кандидатов на роль канального материала транзисторов следующего поколения. Они смоделировали контакты этого материала с различными металлами, включая скандий, серебро, золото и палладий, и рассмотрели две основные архитектуры соединения: верхний контакт и краевой контакт. Расчеты показали, что критическая длина туннелирования - то расстояние, при котором электроны начинают существенно проникать в канал и мешать нормальной работе транзистора - не является постоянной величиной. Эта характеристика сильно зависит от работы выхода металла (энергии, необходимой для извлечения электрона из металла) и от атомарной геометрии самой контактной структуры. Иными словами, грамотный выбор материала электрода и способа его соединения с двумерным каналом позволяет отодвинуть квантовый предел миниатюризации дальше, чем считалось ранее. Согласно результатам KAIST, при оптимальном сочетании металла и конфигурации контакта критическую длину туннелирования удается снизить до значений менее 4 нм - уже настоящих физических размеров, а не условных маркетинговых обозначений. В частности, для транзисторов n-типа более перспективными оказались верхние контакты с металлами, обладающими малой работой выхода, тогда как для p-типа предпочтительнее краевые контакты с металлами высокой работы выхода. Эти данные дают инженерам новый инструмент: теперь можно заранее рассчитывать контактное сопротивление, оценивать режимы туннельной утечки и прогнозировать предельную масштабируемость 2D-транзисторов на атомном уровне, значительно сокращая количество дорогостоящих и трудоемких экспериментальных итераций.

Другие интересные новости:

▪ Выгода от биоразлагаемого пластика поставлена под сомнение

▪ Безрамочный смартфон со встроенной солнечной батареей

▪ TDA8939TH - цифровой усилитель класса D

▪ Браслет стреляет антисептиком

▪ Водородная биобатарейка

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Домашняя мастерская. Подборка статей

▪ статья В печенках сидеть. Крылатое выражение

▪ статья Что такое коллаж? Подробный ответ

▪ статья Ель европейская. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Гаражный светофор. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Иголка-молниеотвод. Физический эксперимент

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026