Бесплатная техническая библиотека

Справочник кроссвордиста. Быстрый поиск слова по маске. Кинорежиссеры отечественные

Справочник кроссвордиста / Алфавитный указатель

 Комментарии к статье

Известные личности / Кино, театр, цирк, эстрада / Кинорежиссеры отечественные

(3)

РОУ

(4)

АЛОВ

РОММ

ФРЭЗ

(5)

БАСОВ

БЫКОВ

ЗАРХИ

ЛУКОВ

МАМИН

МИТТА

МОРОЗ

ПИЧУЛ

(6)

БАЛАЯН

БАРНЕТ

ВЕРТОВ

ВОЛЧЕК

ГАЙДАЙ

ДЗИГАН

ДОРМАН

ЕГОРОВ

КАРМЕН

КЛИМОВ

ЛОТЯНУ

НАУМОВ

ОЗЕРОВ

ПЕТРОВ

ПТУШКО

ПЫРЬЕВ

РОШАЛЬ

ХЕЙФИЦ

ХИТРУК

ХУЦИЕВ

ЧУХРАЙ

ШУКШИН

ЭРМЛЕР

(7)

АРНШТАМ

АСАНОВА

ГУБЕНКО

ДАНЕЛИЯ

ДОНСКОЙ

ДОСТАЛЬ

ЗАХАРОВ

ЗГУРИДИ

КАТАНЯН

МЕНЬШОВ

РАЙЗМАН

РЯЗАНОВ

СЕГЕЛЬ

СМИРНОВ

СТОЛПЕР

ТАРАСОВ

ЧЕЛЮКИН

ЧХЕИДЗЕ

ШВЕЙЦЕР

ЮТКЕВИЧ

(8)

АБУЛАДЗЕ

ВИКТОРОВ

ДОВЖЕНКО

КОЗИНЦЕВ

ЛИОЗНОВА

МИКАЭЛЯН

МИХАЛКОВ

МУРАТОВА

ПАНФИЛОВ

ПУДОВКИН

САМСОНОВ

СОЛНЦЕВА

СОЛОВЬЕВ

ТАЛАНКИН

ТРАУБЕРГ

ШЕПИТЬКО

(9)

АННЕНСКИЙ

БОНДАРЧУК

ВАСИЛЬЕВЫ

ГЕРАСИМОВ

ГОВОРУХИН

ЕГИАЗАРОВ

ИОСЕЛИАНИ

КАЛАТОЗОВ

ЛУКИНСКИЙ

ОРДЫНСКИЙ

РОСТОЦКИЙ

ХАНЖОНКОВ

(10)

АБДРАШИТОВ

КВИНИХИДЗЕ

КУЛИДЖАНОВ

ПАРАДЖАНОВ

ПРОТАЗАНОВ

ТАРКОВСКИЙ

ЭЙЗЕНШТЕЙН

(11)

АЛЕКСАНДРОВ

МАСЛЕННИКОВ

РАЗУМОВСКИЙ

ТОДОРОВСКИЙ

Поиск слова для решения кроссворда:

Заменяйте каждую неизвестную букву символом *. Например, соб*ка, *ошка, мы**а. Пары е - ё, и - й приравниваются.

Смотрите другие статьи раздела Справочник кроссвордиста.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива Разработка энергонезависимой памяти CeRAM 06.02.2014 Инновационная технология энергонезависимой памяти, которая может лучше масштабироваться и показывать более высокую производительность, чем флеш-память и традиционная резистивная память (ReRAM), заинтересовала крупного разработчика процессорных архитектур ARM Holdings. Память CeRAM (Correlated electron RAM, память с коррелированным электроном) активно продвигает компания Symetrix. ARM, в свою очередь, поддерживает её исследования. В проект, занимающийся исследованием CeRAM-памяти, вовлечены компании Symetrix, ARM, Университет Колорадо и Техасский университет. Конкретные цели, длительность и бюджет проекта не озвучены, но участник исследования, профессор Арауджо (Araujo), отметил, что вскоре Symetrix получит важные данные о CeRAM-приборах с помощью атомно-силового микроскопа, который позволяет разглядывать детали размером порядка 5 нм. Эти данные должны будут продемонстрировать "новые переключающие" свойства устройства. Интенсивные исследования таких технологий как ReRAM и CeRAM объясняются тем фактом, что флеш-память подходит к своему технологическому барьеру и разрабатывать устройства по техпроцессам менее 10-20 нм будет весьма проблематично. Поэтому отрасли нужны принципиально новые разработки. Что касается ReRAM, то в развитии этой технологии исследователей подстерегают множество барьеров. Понимание физических процессов формирования и разрушения так называемых проводящих нитей в изолирующем слое между верхними и нижними электродами в ReRAM-памяти оказалось затруднительным, а без этого продвигаться дальше сложно. В отличие от ReRAM, CeRAM является резистивной памятью, в которой используются те же окиси переходных металлов (TMO), такие как NiO, но при этом не используются нити и гальванопластика. Вместо этого в CeRAM-памяти наблюдаются квантовые эффекты корреляции позиций электронов, откуда она и получила своё название. В структуре CeRAM выделяется активная область TMO, которая разделяет два проводящих слоя TMO, тогда как в ReRAM окись переходного металла занимает полностью всю область между слоями металла. TMO имеют неполные атомные оболочки 3d или 4d, которые проходят через переход металл-изолятор. В случае с NiO достаточно напряжения 0,6 В для записи изолированного состояния и 1,2 В для записи проводящего состояния. При этом не требуются никакие термодинамические фазовые переходы, как в традиционной ReRAM. Скорость переключения ячеек CeRAM-памяти может достигать десятки фемтосекунд, а напряжение питания при чтении составляет всего около 0,1-0,2 В. Состояние памяти остаётся стабильным даже при нагреве вплоть до 400 градусов Цельсия.

Другие интересные новости:

▪ Samsung начал производство 3D-чипов памяти

▪ OQO model 02

▪ LTE-модемы Intel

▪ Комбинированный привод с двумя лазерами для DVD-дисков

▪ Мощный полупроводник толщиной в один атом

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Дом, приусадебное хозяйство, хобби. Подборка статей

▪ статья Кому живется весело, вольготно на Руси? Крылатое выражение

▪ статья Говорили ли люди когда-нибудь на латыни? Подробный ответ

▪ статья Машинист моечной установки колесных пар тележек. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Лак для соломенных шляп. Простые рецепты и советы

▪ статья Устройство защитного отключения нагрузки. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026