Бесплатная техническая библиотека

Справочник кроссвордиста. Быстрый поиск слова по маске. Церковные мужские имена

Справочник кроссвордиста / Алфавитный указатель

 Комментарии к статье

Человек, быт, общество / Имена / Церковные мужские имена

(5)

АВДИЙ

АГГИЙ

АЕТИЙ

АЛФИЙ

АРЕФА

ДАВИД

ЕРАЗМ

ЕРАСТ

ИАДОР

ИАКОВ

ИОАНН

ИСАЙЯ

ИУЛИЙ

КОСМА

САВЕЛ

СИСОЙ

(6)

АГАПИЙ

АЗАРИЯ

АНАНИЯ

АНТИПА

АРТЕМА

АРХИПП

ВЛАСИЙ

ГОРДИЙ

ДАМИАН

ДАНИИЛ

ДИОМИД

ИСМАИЛ

ИУЛИАН

ИУСТИН

КОДРАТ

КОСЬМА

ЛУКИАН

МАТФЕЙ

МАТФИЙ

ПАМФИЛ

ПУПЛИЙ

СЕРГИЙ

СИМЕОН

СТЕФАН

ТЕОДОЛ

УАЛЕНТ

ФАДДЕЙ

ФЕОДОР

ФЕОДОТ

ФЕОДУЛ

(7)

АВВАКУМ

АЛЕКСИЙ

АНТОНИЙ

ГАВРИИЛ

ДОМЕТИЙ

ЕВСЕВИЙ

ЕВФИМИЙ

ЕЛЕАЗАР

ЕМИЛИАН

ЗАХАРИЯ

ИЕРОФЕЙ

КАССИАН

КИПРИАН

МАКАРИЙ

МАРКЕЛЛ

НАРКИСС

ПАХОМИЙ

САЛАМАН

САМПСОН

СОФОНИЯ

ТАРАСИЙ

УАЛЕРИЙ

(8)

АВРААМИЙ

ВАЛЕРИАН

ДИМИТРИЙ

ДИОНИСИЙ

ЕВСИГНИЙ

ЕПИФАНИЙ

ИУВЕНТИН

ПАТРИКИЙ

ПРОКОПИЙ

УАЛЕНТИН

УАЛЕРИАН

ФЕОДОСИИ

(9)

ИУВЕНАЛИЙ

СЕВАСТИАН

(10)

ДОРИМЕДОНТ

ХАРАЛАМПИЙ

Поиск слова для решения кроссворда:

Заменяйте каждую неизвестную букву символом *. Например, соб*ка, *ошка, мы**а. Пары е - ё, и - й приравниваются.

Смотрите другие статьи раздела Справочник кроссвордиста.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Электромобиль VENTRA с системой очистки воздуха 11.10.2026

Даже автомобили без двигателя внутреннего сгорания не являются полностью безвредными для окружающей среды. При движении любой автомобиль изнашивает шины и тормозные элементы, в результате чего в воздух и на дорожное покрытие попадают мельчайшие частицы. Студенты Эйндховенского технологического университета решили обратить внимание именно на этот мало заметный источник загрязнения и создали концептуальный электромобиль VENTRA, способный собирать часть таких загрязняющих веществ непосредственно во время движения. Проект разработала команда TU/ecomotive, которая оснастила VENTRA специальной системой улавливания частиц, образующихся при износе шин и торможении. Авторы концепта считают, что переход на электрическую тягу сам по себе не решает проблему автомобильных выбросов. Более тяжелые электромобили дополнительно нагружают шины, а их электродвигатели способны обеспечивать очень быстрое ускорение, что также может способствовать повышенному износу резины. Собранные около колес частицы си ...>>

Лазерное переключение магнитов 10.10.2026

Технологии хранения данных постоянно стремятся уменьшить размеры элементов памяти и одновременно увеличить скорость записи информации. Один из возможных путей связан с использованием света, который способен переносить энергию с огромной скоростью и воздействовать на очень небольшие области материала. Инженеры Университета Калифорнии в Сан-Диего (UC San Diego) продемонстрировали необычный способ управления магнитным состоянием вещества, при котором внешнее магнитное поле вообще не требуется. В обычных жестких дисках информация записывается в виде последовательности крошечных магнитных областей, соответствующих значениям 1 и 0. Для изменения их состояния обычно необходимо внешнее магнитное поле, однако такой способ требует значительных энергетических затрат и ограничивает скорость записи. Исследователи UC San Diego предложили альтернативу - так называемое оптическое переключение, при котором магнитное состояние изменяется под воздействием лазерного излучения. По оценкам специалистов, ...>>

Случайная новость из Архива Intel Optane DC - первая оперативная память с микросхемами 3D XPoint 04.06.2018 Накопители Intel Optane еще не обрели особой распространенности, но уже не являются новинками. Однако еще в самом начале процессорный гигант обещал выпустить также оперативную память на основе тех же микросхем 3D XPoint, а в будущем и вовсе размыть границу между твердотельными накопителями и оперативной памятью. Компания Intel представила первую оперативную память Optane DC с памятью 3D XPoint. Модули выполнены в формате DIMM и совместимы по контактам с памятью DDR4. Изначально будут доступны модули объемом 128, 256 и 512 ГБ. Первое время такая память будет нацелена вовсе не на потребительский сегмент. Если точнее, то Intel говорит про использование в ЦОД. Более того, поставки для избранных клиентов начнутся лишь в конце года, а более широкое распространение запланировано на следующий год.

Другие интересные новости:

▪ Новая комплексная система безопасности для борьбы с киберугрозами

▪ Новые миниатюрные микросхемы для обслуживания батарей

▪ Опасный запах дождя

▪ Низкопрофильные ускорители GeForce GTX 1650

▪ Проектор меньше наперстка

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Металлоискатели. Подборка статей

▪ статья Не мышонок, не лягушка, а неведома зверушка. Крылатое выражение

▪ статья Кто такой Боливар? Подробный ответ

▪ статья Второе открытие кавитации. Детская научная лаборатория

▪ статья Обесцвечивание и дезодоризация керосина. Простые рецепты и советы

▪ статья Быстрый компаратор сетевого напряжения на КМОП микросхеме. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026