Бесплатная техническая библиотека

В нашей Бесплатной технической библиотеке Вы можете бесплатно и без регистрации скачать статью "Одноручные пилы" из журнала Сам.

Краткое описание статьи "Одноручные пилы":

Одноручные пилы. ТЕМАТИКА: Оснащаем мастерскую. АННОТАЦИЯ: Обратите внимание на массивное полотно продольной пилы, заставляя работать которой, мой дед вгонял меня в пот. Это был прекрасный инструмент, но с полотном длиной 660 мм им было действительно тяжело работать. Чтобы сжечь калории, не надо было заниматься гимнастикой, что модно сегодня, а достаточно просто распустить на бруски дубовую доску толщиной 50 мм. Несмотря на доступные в наши дни сетевые и аккумуляторные электроинструменты маленькие ручные пилы еще широко распространены. Я думаю, что здесь дело не столько в деньгах, сколько в универсальности ручной пилы, позволяющей выполнять самые разнообразные работы без использования хитроумных приспособлений..

В результатах поиска запишите название журнала, год и номер. Затем нажмите на ссылку "скачать в Бесплатной технической библиотеке" и бесплатно скачайте архив с нужным Вам номером.

Для быстрого бесплатного скачивания можно сразу перейти в нужный раздел Библиотеки.

Поиск по книгам, журналам и сборникам:

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Электромобиль VENTRA с системой очистки воздуха 11.10.2026

Даже автомобили без двигателя внутреннего сгорания не являются полностью безвредными для окружающей среды. При движении любой автомобиль изнашивает шины и тормозные элементы, в результате чего в воздух и на дорожное покрытие попадают мельчайшие частицы. Студенты Эйндховенского технологического университета решили обратить внимание именно на этот мало заметный источник загрязнения и создали концептуальный электромобиль VENTRA, способный собирать часть таких загрязняющих веществ непосредственно во время движения. Проект разработала команда TU/ecomotive, которая оснастила VENTRA специальной системой улавливания частиц, образующихся при износе шин и торможении. Авторы концепта считают, что переход на электрическую тягу сам по себе не решает проблему автомобильных выбросов. Более тяжелые электромобили дополнительно нагружают шины, а их электродвигатели способны обеспечивать очень быстрое ускорение, что также может способствовать повышенному износу резины. Собранные около колес частицы си ...>>

Лазерное переключение магнитов 10.10.2026

Технологии хранения данных постоянно стремятся уменьшить размеры элементов памяти и одновременно увеличить скорость записи информации. Один из возможных путей связан с использованием света, который способен переносить энергию с огромной скоростью и воздействовать на очень небольшие области материала. Инженеры Университета Калифорнии в Сан-Диего (UC San Diego) продемонстрировали необычный способ управления магнитным состоянием вещества, при котором внешнее магнитное поле вообще не требуется. В обычных жестких дисках информация записывается в виде последовательности крошечных магнитных областей, соответствующих значениям 1 и 0. Для изменения их состояния обычно необходимо внешнее магнитное поле, однако такой способ требует значительных энергетических затрат и ограничивает скорость записи. Исследователи UC San Diego предложили альтернативу - так называемое оптическое переключение, при котором магнитное состояние изменяется под воздействием лазерного излучения. По оценкам специалистов, ...>>

Случайная новость из Архива Высоковольтные МОП-транзисторы для быстродействующих коммутационных устройств 12.04.2016 Компания Toshiba Electronics Europe (TEE), европейское подразделение по производству электронных компонентов корпорации Toshiba Corporation, представила новую серию быстродействующих высоковольтных МОП-транзисторов для создания импульсных регуляторов напряжения. Четыре устройства с номинальным напряжением 800 и 900 В с каналом n-типа обладают низким типовым сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)) вплоть до 1,9 Ом. Целевые области применения новых устройств - обратноходовые преобразователи для светодиодных осветительных приборов, дополнительные источники питания и другие схемы, в которых требуется коммутация токов ниже 5 А. Новые МОП-транзисторы, работающие в режиме обогащения, выпускаются с применением планарного технологического процесса производства полупроводников компании Toshiba восьмого поколения Pi-MOS-8, который сочетает высокий уровень интеграции и оптимизированную структуру ячеек. Эта технология обеспечивает снижение заряда и емкости затвора без потери преимуществ низкого значения RDS(ON), указали в компании. По задумке Toshiba, эти МОП-транзисторы дополнят слаботочными устройствами существующую серию приборов DTMOS IV с номинальным напряжением 800 В и технологией DTMOS4 Super Junction. Транзисторы TK3A90E на 2,5 А и TK5A90E на 4,5 А имеют номинальное значение VDSS 900 В и типовые номинальные значения RDS(ON) 3,7 и 2,5 Ом соответственно. Транзисторы TK4A80E на 4,0 А и TK5A80E на 5,0 А имеют номинальное значение VDSS 800 В и типовые номинальные значения RDS(ON) 2,8 и 1,9 Ом соответственно. Новые МОП-транзисторы Toshiba обладают сверхнизким максимальным током утечки, составляющим всего 10 мкА (VDS = 60 В), и диапазоном порогового напряжения затвора от 2,5 до 4,0 В (при VDS = 10 В и токе стока 0,4 мА). Все устройства поставляются в корпусах TO-220SIS стандартного форм-фактора.

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Антенны. Подборка статей

▪ статья Лампа накаливания. История изобретения и производства

▪ статья В чем разница между ураганом и смерчем? Подробный ответ

▪ статья Реле времени. Радио - начинающим

▪ статья Электронная записная книжка. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Схема импульсного стабилизатора. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

www.diagram.com.ua
2000-2026