Áåñïëàòíàÿ òåõíè÷åñêàÿ áèáëèîòåêà äëÿ ëþáèòåëåé è ïðîôåññèîíàëîâ Áåñïëàòíàÿ òåõíè÷åñêàÿ áèáëèîòåêà äëÿ ëþáèòåëåé è ïðîôåññèîíàëîâ

ÁÅÑÏËÀÒÍÀß ÒÅÕÍÈ×ÅÑÊÀß ÁÈÁËÈÎÒÅÊÀ

 íàøåé Áåñïëàòíîé òåõíè÷åñêîé áèáëèîòåêå Âû ìîæåòå áåñïëàòíî è áåç ðåãèñòðàöèè ñêà÷àòü
G3VM - ñåìåéñòâî MOSFET-ðåëå îò Omron, ñòàòüÿ 2015 ãîäà èç æóðíàëà Íîâîñòè ýëåêòðîíèêè.

 ðåçóëüòàòàõ ïîèñêà çàïèøèòå íàçâàíèå æóðíàëà, ãîä è íîìåð. Çàòåì íàæìèòå íà ññûëêó "ñêà÷àòü â Áåñïëàòíîé òåõíè÷åñêîé áèáëèîòåêå" è áåñïëàòíî ñêà÷àéòå àðõèâ ñ íóæíûì Âàì íîìåðîì.

Ïîëíîå íàçâàíèå ñòàòüè è äîïîëíèòåëüíàÿ èíôîðìàöèÿ:
G3VM - ñåìåéñòâî MOSFET-ðåëå îò Omron. ÀÍÍÎÒÀÖÈß: Ìàëîãàáàðèòíîñòü, ïðàêòè÷åñêè íåîãðàíè÷åííûé ðåñóðñ ðàáîòû, ñòîéêîñòü ê âèáðàöèè è óäàðàì, âûñîêàÿ ñêîðîñòü ïåðåêëþ÷åíèÿ è îòñóòñòâèå äðåáåçãà êîíòàêòîâ - ïðè÷èíû âñå áîëåå øèðîêîãî ðàñïðîñòðàíåíèÿ MOSFET-ðåëå. Êîìïàíèÿ Omron âûïóñêàåò áîëüøóþ ëèíåéêó ýòèõ óñòðîéñòâ, îò ðåëå îáùåãî íàçíà÷åíèÿ äî èçäåëèé ñ áîëüøèìè òîêàìè èëè íàïðÿæåíèÿìè êîììóòàöèè. Ýëåêòðîìàãíèòíûå ðåëå, ñëóæèâøèå ÷åëîâå÷åñòâó ïî÷òè 200 ëåò, ïîñòåïåííî ñäàþò ñâîè ïîçèöèè íà ðûíêå êîììóòàöèîííîãî îáîðóäîâàíèÿ, óñòóïàÿ ìåñòî ñ

Äëÿ áûñòðîãî áåñïëàòíîãî ñêà÷èâàíèÿ ìîæíî ñðàçó ïåðåéòè â íóæíûé ðàçäåë Áèáëèîòåêè.

Ïîèñê ïî êíèãàì, æóðíàëàì è ñáîðíèêàì:

Ðåêîìåíäóåì ñêà÷àòü â íàøåé Áåñïëàòíîé òåõíè÷åñêîé áèáëèîòåêå:

▪ ðàçäåë ñàéòà Ìóçûêàíòó

▪ æóðíàëû Ðàäèîàìàòîð (ãîäîâûå àðõèâû)

▪ êíèãà Êàáåëüíûå ñåòè ïðîìûøëåííûõ ïðåäïðèÿòèé. Ëèãåðìàí È.È., 1975

▪ êíèãà Çàïèñü ñ ìèêðîôîíà. Êîçþðåíêî Þ.È., 1975

▪ ñòàòüÿ Ïî÷åìó ×åð÷èëëü îäíàæäû ïðèíÿë ïèñüìî Ðóçâåëüòà çà òèïîãðàôñêèé äîêóìåíò?

▪ ñòàòüÿ Ïî÷åìó êåíãóðó âñòðå÷àþòñÿ òîëüêî â Àâñòðàëèè?

▪ ñïðàâî÷íèê Çàðóáåæíûå ìèêðîñõåìû è òðàíçèñòîðû. Ñåðèÿ M


Áåñïëàòíàÿ òåõíè÷åñêàÿ áèáëèîòåêà Áåñïëàòíàÿ òåõíè÷åñêàÿ äîêóìåíòàöèÿ äëÿ ëþáèòåëåé è ïðîôåññèîíàëîâ