Áåñïëàòíàÿ òåõíè÷åñêàÿ áèáëèîòåêà äëÿ ëþáèòåëåé è ïðîôåññèîíàëîâ ÁÅÑÏËÀÒÍÀß ÒÅÕÍÈ×ÅÑÊÀß ÁÈÁËÈÎÒÅÊÀ  íàøåé
Áåñïëàòíîé òåõíè÷åñêîé áèáëèîòåêå Âû ìîæåòå áåñïëàòíî è áåç ðåãèñòðàöèè ñêà÷àòü
G3VM - ñåìåéñòâî MOSFET-ðåëå îò Omron, ñòàòüÿ 2015 ãîäà èç æóðíàëà Íîâîñòè ýëåêòðîíèêè.
 ðåçóëüòàòàõ ïîèñêà çàïèøèòå íàçâàíèå æóðíàëà,
ãîä è íîìåð. Çàòåì íàæìèòå íà ññûëêó "ñêà÷àòü â Áåñïëàòíîé òåõíè÷åñêîé áèáëèîòåêå" è
áåñïëàòíî ñêà÷àéòå àðõèâ ñ íóæíûì Âàì íîìåðîì.
Ïîëíîå íàçâàíèå ñòàòüè è äîïîëíèòåëüíàÿ èíôîðìàöèÿ: G3VM - ñåìåéñòâî MOSFET-ðåëå îò Omron. ÀÍÍÎÒÀÖÈß: Ìàëîãàáàðèòíîñòü, ïðàêòè÷åñêè íåîãðàíè÷åííûé ðåñóðñ ðàáîòû, ñòîéêîñòü ê âèáðàöèè è óäàðàì, âûñîêàÿ ñêîðîñòü ïåðåêëþ÷åíèÿ è îòñóòñòâèå äðåáåçãà êîíòàêòîâ - ïðè÷èíû âñå áîëåå øèðîêîãî ðàñïðîñòðàíåíèÿ MOSFET-ðåëå. Êîìïàíèÿ Omron âûïóñêàåò áîëüøóþ ëèíåéêó ýòèõ óñòðîéñòâ, îò ðåëå îáùåãî íàçíà÷åíèÿ äî èçäåëèé ñ áîëüøèìè òîêàìè èëè íàïðÿæåíèÿìè êîììóòàöèè. Ýëåêòðîìàãíèòíûå ðåëå, ñëóæèâøèå ÷åëîâå÷åñòâó ïî÷òè 200 ëåò, ïîñòåïåííî ñäàþò ñâîè ïîçèöèè íà ðûíêå êîììóòàöèîííîãî îáîðóäîâàíèÿ, óñòóïàÿ ìåñòî ñ Äëÿ áûñòðîãî áåñïëàòíîãî ñêà÷èâàíèÿ ìîæíî ñðàçó ïåðåéòè â íóæíûé ðàçäåë Áèáëèîòåêè.
Ïîèñê ïî êíèãàì, æóðíàëàì è ñáîðíèêàì:
Ðåêîìåíäóåì ñêà÷àòü â íàøåé Áåñïëàòíîé òåõíè÷åñêîé áèáëèîòåêå:
▪ ðàçäåë ñàéòà Ìóçûêàíòó
▪ æóðíàëû Ðàäèîàìàòîð (ãîäîâûå àðõèâû)
▪ êíèãà Êàáåëüíûå ñåòè ïðîìûøëåííûõ ïðåäïðèÿòèé. Ëèãåðìàí È.È., 1975
▪ êíèãà Çàïèñü ñ ìèêðîôîíà. Êîçþðåíêî Þ.È., 1975
▪ ñòàòüÿ Ïî÷åìó ×åð÷èëëü îäíàæäû ïðèíÿë ïèñüìî Ðóçâåëüòà çà òèïîãðàôñêèé äîêóìåíò?
▪ ñòàòüÿ Ïî÷åìó êåíãóðó âñòðå÷àþòñÿ òîëüêî â Àâñòðàëèè?
▪ ñïðàâî÷íèê Çàðóáåæíûå ìèêðîñõåìû è òðàíçèñòîðû. Ñåðèÿ M
Áåñïëàòíàÿ òåõíè÷åñêàÿ äîêóìåíòàöèÿ äëÿ ëþáèòåëåé è ïðîôåññèîíàëîâ
|