Бесплатная техническая библиотека

В нашей Бесплатной технической библиотеке Вы можете бесплатно и без регистрации скачать статью "Во всем виноват космос?" из журнала Наука и жизнь.

Краткое описание статьи "Во всем виноват космос?":

Во всем виноват космос? АННОТАЦИЯ: Метеорологи подвели предварительные климатические итоги 2013 года, который вошел в десятку самых теплых лет за все время наблюдений с 1850 года..

В результатах поиска запишите название журнала, год и номер. Затем нажмите на ссылку "скачать в Бесплатной технической библиотеке" и бесплатно скачайте архив с нужным Вам номером.

Для быстрого бесплатного скачивания можно сразу перейти в нужный раздел Библиотеки.

Поиск по книгам, журналам и сборникам:

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Донорское сердце способно быстро перенимать биологический возраст реципиента 12.10.2026

Возраст органов определяется не только количеством прожитых лет. На молекулярном уровне ткани могут стареть с разной скоростью, а после пересадки, как показывают новые эксперименты, их биологические характеристики способны заметно меняться под воздействием организма, в который они попадают. Исследователи из Бостона обнаружили, что молодые донорские сердца после трансплантации довольно быстро приобретают признаки биологического возраста реципиента, тогда как более старые органы могут, напротив, демонстрировать признаки омоложения. Чтобы оценить эти изменения, ученые применили три так называемых "часа старения" - молекулярных инструмента, позволяющих приблизительно определять биологический возраст клеток и тканей. В отличие от обычного календарного возраста, такие показатели отражают состояние организма на уровне определенных молекулярных изменений. Именно их анализ позволил специалистам проследить, как меняются пересаженные сердца спустя несколько месяцев после операции. Основные ...>>

Samsung Galaxy Buds On: клипсы с искусственным интеллектом вместо внутриканальных наушников 12.10.2026

Беспроводные наушники превратились в одно из самых привычных персональных электронных устройств, однако их конструкция по-прежнему во многом определяется необходимостью размещать излучатель внутри или непосредственно у слухового канала. Компания Samsung решила попробовать другой подход. Представленная модель Galaxy Buds On получила формат наушников-клипсов, которые закрепляются непосредственно на ухе и оставляют слуховой канал открытым. Samsung позиционирует новинку как устройство для продолжительного ношения, тренировок и прогулок, а также для ситуаций, когда пользователю важно одновременно слушать музыку и не терять связь с окружающей обстановкой. В отличие от традиционных внутриканальных моделей, Galaxy Buds On практически не изолируют человека от внешнего мира. При этом речь идет не об экспериментальном прототипе или утечке: официальная информация об устройстве уже опубликована в Samsung Newsroom. Открытая конструкция имеет и очевидный недостаток - добиться такой же глубины н ...>>

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Случайная новость из Архива Серийное производство памяти HBM2E 02.07.2020 Компания SK hynix объявила о начале полномасштабного серийного производства высокоскоростной памяти DRAM или HBM2E. Располагая 1024-разрядной шиной, каждая линия которой работает со скоростью 3,6 Гбит/с, память HBM2E обеспечивает пропускную способность 460 ГБ/с, превосходя память HBM2 по этому показателю на 50%. В стеке HBM2E может быть до восьми кристаллов плотностью 16 Гбит, связанных с помощью технологии TSV (Through Silicon Via), так что максимальный объем памяти достигает 16 ГБ. Это вдвое больше, чем в случае памяти HBM2. По словам SK Hynix, HBM2E - "оптимальное решение" для памяти систем ИИ следующего поколения, ускорителей глубокого обучения и суперкомпьютеров. Ожидается, что она найдет применение в суперкомпьютере экcафлопсного уровня, который сможет вывести фундаментальные и прикладные научные исследования на новый уровень.

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Веселые задачки. Подборка статей

▪ статья Электромагнитная индукция. История и суть научного открытия

▪ статья Какая страна имеет право не подписывать свои почтовые марки? Подробный ответ

▪ статья Насадка-распылитель для жидкостей. Домашняя мастерская

▪ статья Лампы прослужат дольше. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Нормы испытаний электрооборудования и аппаратов электроустановок потребителей. Полупроводниковые преобразователи и устройства. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

www.diagram.com.ua
2000-2026