Menu English Ukrainian Russian Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Стробоскопическая светодинамическая установка. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Цветомузыкальные установки

Комментарии к статье Комментарии к статье

Отличительная особенность описываемой светодинамической установки - применение вместо обычных ламп накаливания специальных импульсных. Это позволяет устранить основной недостаток таких устройств - высокую инерционность. С ее помощью можно получить отличное световое сопровождение музыкальных произведений, а также решить проблему с оформлением дискотек, концертных залов, жилой комнаты.

На страницах "Радио" в разное время были описаны светодинамические установки (СДУ) различной степени сложности (например, [1, 2]). Во всех этих устройствах использованы лампы накаливания, коммутируемые тиристорами или мощными транзисторами. Однако лампам накаливания присущи существенные недостатки: инерционность и ограниченный срок службы, от которых свободна предлагаемая стробоскопическая СДУ. Она состоит из блока питания и трех активных полосовых фильтров, к их выходам подключены три идентичных блока управления импульсными лампами А1-АЗ (рис. 1).

Стробоскопическая СДУ
(нажмите для увеличения)

Блок питания - однополупериодный выпрямитель VD6, VD7, подключенный к сети через балластный конденсатор С12. Выпрямитель нагружен на стабилитроны VD4, VD5 и конденсаторы фильтра С10, СП, формирующие двуполярное напряжение для питания операционных усилителей DA1, DA2. Применение источника с балластным конденсатором позволило значительно уменьшить габариты СДУ. Однако при этом все элементы конструкции имеют гальваническую связь с сетью, что необходимо помнить при налаживании и эксплуатации. По этой же причине переменные резисторы должны быть снабжены диэлектрическими ручками.

Входной сигнал с линейного выхода магнитофона, радиоприемника или CD-проигрывателя поступает на первичную обмотку трансформатора Т1, предназначенного для гальванической развязки источника сигнала от элементов СДУ. Если входной сигнал мал (меньше 0,3 В), трансформатор должен быть повышающим и обеспечивать амплитуду напряжения на вторичной обмотке около 0,5 В, Далее сигнал поступает на входы активных полосовых фильтров через переменные резисторы, которыми устанавливают оптимальный уровень.

Фильтры выполнены на сдвоенных ОУ DA1, DA2 и заимствованы из [1]. Методика их расчета неоднократно публиковалась на страницах журнала, поэтому здесь не приведена. В СДУ применены фильтры с параметрами: коэффициент усиления на резонансной частоте - 40 дБ; добротность - 10; резонансные частоты - 680 Гц (верхнего по схеме), 3000 Гц (среднего) и 9800 Гц (нижнего). Вообще количество фильтров может быть любым и ограничено лишь мощностью блока питания. Для желающих перестроить резонансные частоты приведем следующие рекомендации. Настраивая фильтр на другую резонансную частоту, необходимо изменить емкость конденсаторов С1, С2 (С4, С5 или С7, С8). Для того, чтобы при этом остались прежними коэффициент усиления на резонансной частоте и добротность фильтра, следует выдерживать соотношение: С2=10С1 (аналогично С4=10С5, С7=10С8). Тогда, зная требуемую резонансную частоту fo, можно определить значение емкости одного из конденсаторов фильтра. Так, для верхнего по схеме фильтра

С1 =[( 1 /R2 + 1 /R3)/( 10R4)] ^/(6,28fo),

где емкость конденсатора С1 - в фарадах, частота fo - в герцах, сопротивление резисторов - в омах. Аналогично рассчитывают емкость конденсаторов других фильтров.

Нагрузка фильтров - транзисторы VT1-VT3, включенные с общим эмиттером. При малом уровне входного сигнала или в случае, если его частота не попадает в полосу пропускания фильтра, амплитуда отфильтрованного сигнала недостаточна для открывания соответствующего транзистора. Напряжение на его коллекторе - около -8В. Если же на входе фильтра сигнал достаточного уровня и его частота попадает в полосу пропускания фильтра, транзистор открывается амплитудой отрицательной полуволны отфильтрованного сигнала и на его коллекторе наблюдаются импульсы положительной полярности. В цепях базы транзисторов VT1-VT3 последовательно включены вычитающие стабилитроны VD1-VD3, которые увеличивают зону нечувствительности. Импульсы с транзисторов поступают на блоки А1-АЗ.

Рассмотрим работу блока А1. Блоки А2 и A3 работают аналогично. Когда импульсы отсутствуют, происходит зарядка накопительного конденсатора 1С1 до напряжения около 300 В через резисторы 1R1, 1R2 и диод 1VD1. Так как тринистор 1VS1 закрыт, конденсатор 1С2 заряжается через резистор 1R5. Импульсом положительной полярности, поступающим с коллектора транзистора VT1, открывается тринистор, разряжая конденсатор 1С2 на первичную обмотку трансформатора 1Т1. На его вторичной обмотке возникает импульс высокого напряжения, который "поджигает" импульсную лампу VL1. После вспышки лампы процесс зарядки конденсаторов 1С1, 1С2 повторяется. Диоды 1VD2, 1VD3 защищают тринистор от обратного напряжения.

Отметим, что на коллекторах транзисторов могут формироваться как отдельные импульсы, так и пачки импульсов. В последнем случае импульсная лампа включится лишь первым импульсом в пачке, имеющим амплитуду, достаточную для открывания тринистора. Так как для зарядки накопительных конденсаторов 1С1, 1С2 требуется определенное время, последующие импульсы в пачке не вызовут вспышку импульсной лампы. СДУ смонтирована на четырех отдельных платах: на трех платах собраны блоки А1-АЗ, на четвертой - остальные элементы. Такое разделение на отдельные платы оказалось довольно удобным по следующим причинам. Для получения максимального эффекта от светового сопровождения импульсные лампы необходимо разнести в пространстве, например, расположив по углам комнаты. Однако использовать длинные провода для подключения импульсных ламп (один из которых - высоковольтный) нецелесообразно и опасно. Намного удобнее разнести сами блоки А1 -A3. К тому же при их расположении на отдельных платах очень просто получить как отдельные, так и связанные между собой стробоскопы. Для этого надо подключить блоки А1-АЗ к простому цифровому устройству, формирующему определенную последовательность управляющих импульсов.

Чертеж основной печатной платы СДУ приведен на рис. 2. В отверстия, обведенные полуокружностью, необходимо запаять перемычки, соединяющие верхний и нижний печатные проводники. Чертеж печатной платы блоков А1-АЗ показан на рис.3.

Вместо микросхемы К157УД2 можно использовать ОУ серий К140, К153, К544, К553. Особое внимание обратите на корректирующие цепи. Транзисторы - любые из серий КТ361, КТ3107, КТ502; диоды VD6, VD7, 1VD2-3VD2, 1VD3-3VD3 - серий КД209, КД105 с буквенными индексами Б-Г; стабилитроны VD4, VD5 - Д814А-Д814Г, VD1-VD3 -КС133А-КС147А; тринисторы - КУ202М, КУ202Н. Резисторы - МЛТ, переменные - СПЗ, СПО или аналогичные. Конденсаторы С12, 1С2-ЗС2 - К73-17 на напряжение не менее 400 В; С10, С11 -К50-35, К50-16; 1С1-ЗС1 - К50-27 или другие на напряжение более 350 В; остальные - любые керамические. Трансформатор Т1 - ТОТ-64 или другой малогабаритный.

Трансформаторы 1Т1-ЗТ1 намотаны на деревянных каркасах с диаметром стержня 10 мм, диаметром щек 20 мм и расстоянием между щеками 10 мм. Магнитопровод не используют. Первой наматывают вторичную обмотку проводом ПЭВ-2 0,1. Наиболее быстро и просто изготовить трансформатор можно с помощью электродрели. Специально подсчитывать число витков вторичной обмотки нет необходимости: ее наматывают почти до полного заполнения каркаса. Обмотку следует два-три раза пропитать расплавленным парафином для предотвращения высоковольтных пробоев между витками. После слоя изоляции наматывают первичную обмотку, содержащую 10...20 витков провода ПЭЛ или ПЭВ-2 диаметром 0,3...0,6 мм.

Необходимо обратить внимание на тип проводов для подключения импульсных ламп. Провода, идущие от вторичной обмотки трансформаторов 1Т1-3Т1, должны иметь хорошую изоляцию. Также следует избегать его скрутки с другими проводами. Общая длина проводов не должна превышать одного метра.

В заключение некоторые рекомендации по налаживанию СДУ. Вначале необходимо установить движки переменных резисторов в нижнее по схеме положение. Затем, подав входной сигнал, медленно вращать движок резистора R1. В момент включения лампы VL1 следует зафиксировать положение движка переменного резистора. Аналогично настраивают другие каналы. Надо отметить одну особенность СДУ. При значительном повышении уровня входного сигнала, а также в случае установки завышенного уровня сигнала на входе хотя бы одного фильтра вспышки импульсных ламп будут отсутствовать.

Для уменьшения броска тока при включении устройства в сеть последовательно с конденсатором С12 целесообразно включить резистор сопротивлением 36...47 Ом. Изоляция обмоток трансформатора Т1 должна быть рассчитана на напряжение не менее 300 В. Лучше его намотать самостоятельно, а обмотки надежно заизолировать. Общий провод устройства не должен соединяться с корпусом.

Литература

  1. Егоров К. Пятиканальная СДУ - Радио, 1994, №4, с. 36-38.
  2. Низовцев А. Трехканальная светодинамическая установка. - Радио, 1997, №6, с. 31,32.

Автор: А. Таразов, г. Санкт-Петербург; Публикация: Н. Большаков, rf.atnn.ru

Смотрите другие статьи раздела Цветомузыкальные установки.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Использование Apple Vision Pro во время операций 16.03.2024

Медицинская команда больницы Кромвеля в Лондоне впервые применила Apple Vision Pro в ходе двух операций на позвоночнике. Это событие подтверждает потенциал гарнитуры в качестве медицинского инструмента, изменяющего подход к хирургической практике. Хотя сами врачи не использовали Vision Pro, операционная медсестра работала с виртуальной реальностью, используя очки во время подготовки и выполнения процедур. Гарнитура позволила просматривать виртуальные экраны в операционной, выбирать инструменты и следить за ходом операции. Программное обеспечение, разработанное компанией eXeX, специализирующейся на создании приложений на основе искусственного интеллекта для хирургии, существенно улучшило процесс оказания медицинской помощи пациентам. Использование Apple Vision Pro открывает новые возможности для разработки приложений в сфере здравоохранения, таких как клиническое образование, планирование операций, обучение и медицинская визуализация. Внедрение Apple Vision Pro в медицинскую пр ...>>

Хранение углерода в Северное море 16.03.2024

Министр энергетики Норвегии Терье Осланд объявил о запуске проекта Longship, нацеленного на создание центрального хранилища углекислого газа в Северном море. Этот амбициозный проект оценивается в $2,6 млрд и направлен на применение технологии CCS (углеродного захвата и хранения) для смягчения воздействия климатических изменений. Норвегия уже имеет опыт в области CCS благодаря успешным проектам Sleipner и Snohvit, и сейчас стремится увеличить объем углерода, запечатываемого под морским дном. План Longship предусматривает создание мощности по захвату и хранению 1,5 млн. тонн углерода ежегодно в течение 25 лет. Несмотря на позитивные перспективы, существуют опасения по поводу долгосрочных последствий такого хранения. Однако сторонники проекта утверждают, что морское хранение углерода имеет ряд преимуществ, включая минимальное воздействие на окружающую среду. Проект Longship осуществляется при участии компаний Equinor, Shell и TotalEnergies через совместное предприятие Northern Li ...>>

Выращены мини-органы из амниотической жидкости человека 15.03.2024

Международная команда ученых под руководством профессора Фань Сюлиня из Университета Чжэцзян разработала уникальный способ выращивания мини-органов из клеток, обнаруженных в амниотической жидкости человека. Этот значительный прорыв в медицине может привести к улучшению диагностики и лечения врожденных заболеваний. Органоиды, представляющие собой трехмерные клеточные структуры, имитирующие органы в меньшем масштабе, были выращены из клеток легких, почек и тонкого кишечника, найденных в амниотической жидкости. Этот метод открывает новые возможности для изучения различных состояний плода и может стать ключом к ранней диагностике и лечению врожденных дефектов. Хотя пока не проводились попытки использования этого метода в лечении, ученые надеются, что их исследования в будущем помогут бороться с серьезными врожденными заболеваниями, которые затрагивают миллионы новорожденных ежегодно. Этот прорыв может изменить практику медицинских вмешательств, позволяя диагностировать и лечить врожд ...>>

Случайная новость из Архива

Нанопровода на графене растут сами 09.05.2013

Инженеры из Университета штата Иллинойс пытались вырастить на листе графена полупроводниковые соединении из нанопроводов и обнаружили, что нанопровода растут совершенно неожиданным способом. Это открытие крайне важно для электронной промышленности и меняет парадигму технологии эпитаксии.

Нанопровода - это крошечные полоски полупроводникового материала. Эксперты полагают, что именно нанопровода станут основой электроники будущего и будут широко применяться для изготовления транзисторов, солнечных панелей, лазеров, датчиков и д.р.

Американские ученые исследовали возможности нанопроводов, выращивая их с помощью технологии ван-дер-ваальсовой эпитаксии на плоской подложке из полупроводниковых материалов, таких как кремний. В частности они занимались выращиванием проводов так называемого класса III-V (три-пять). Данные полупроводники очень необходимы для создания солнечных панелей и лазеров нового поколения. Ранее ученые уже наблюдали рост нанопроводов III-V на кремниевых подложках.

Недавно исследователи из Университета штата Иллинойс решили попробовать вырастить нанопровода из индий арсенид галлия (InGaAs) на листе графена и обнаружили неожиданный результат. Нанопровода из InGaAs самостоятельно сформировались в необычную структуру, в которой сердцевина состоят из одного материала, арсенида индия, а внешняя оболочка из другого, InGaAs. При этом структуру нанопроводов можно регулировать с помощью соотношения индия и галлия, что позволяет настроить оптические и токопроводящие свойства нанопроводов.

Над разработкой подобной технологии композитных нанопроводов работают многие лаборатории и до сих пор изготовление крохотных проводков в "оплетке" из другого материала считалось сложным процессом, требующим особого подхода. Выращивание композитных нанопроводов на графеновой подложке является большим достижением. Сам графен обладает массой преимуществ, в сравнении с кремнием. Так, графен гибкий и отлично проводит ток, к тому же сырье для графена (углерод) можно брать прямо из воздуха. В настоящее время около 80% стоимости солнечной ячейки составляет стоимость кремниевой подложки. Если удастся наладить массовое производство графена, то нас ожидает резкое удешевление электроники и солнечной энергетики.

Другие интересные новости:

▪ Весь цикл работы ДНК отслежен

▪ Новая технология вместо болезненных уколов

▪ Добыча полезных ресурсов на Луне

▪ 75,6 ТБ данных на куске кварца

▪ Внешние накопители Transcend StoreJet 35T3 8 Тбайт

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Заземление и зануление. Подборка статей

▪ статья Суворов Александр Васильевич. Знаменитые афоризмы

▪ статья Как совершенствовалась одежда? Подробный ответ

▪ статья Работы на подмостях с перемещаемым рабочим местом. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Определение тока насыщения катушек индуктивности с магнитопроводами. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Угаданный день рождения. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





All languages of this page

Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2024