www.diagram.com.ua
www.diagram.com.ua
Русский: Русская версия English: English version
Translate it!
Поиск по сайту

+ Поиск по журналам
+ Поиск по статьям сайта
+ Поиск по схемам СССР
+ Поиск по Библиотеке

Бесплатная техническая библиотека:
Все статьи А-Я
Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
Новости науки и техники
Журналы, книги, сборники
Архив статей и поиск
Схемы, сервис-мануалы
Электронные справочники
Инструкции по эксплуатации
Голосования
Ваши истории из жизни
На досуге
Случайные статьи
Отзывы о сайте

Справочник:
Большая энциклопедия для детей и взрослых
Биографии великих ученых
Важнейшие научные открытия
Детская научная лаборатория
Должностные инструкции
Домашняя мастерская
Жизнь замечательных физиков
Заводские технологии на дому
Загадки, ребусы, вопросы с подвохом
Инструменты и механизмы для сельского хозяйства
Искусство аудио
Искусство видео
История техники, технологии, предметов вокруг нас
И тут появился изобретатель (ТРИЗ)
Конспекты лекций, шпаргалки
Крылатые слова, фразеологизмы
Личный транспорт: наземный, водный, воздушный
Любителям путешествовать - советы туристу
Моделирование
Нормативная документация по охране труда
Опыты по физике
Опыты по химии
Основы безопасной жизнедеятельности (ОБЖД)
Основы первой медицинской помощи (ОПМП)
Охрана труда
Радиоэлектроника и электротехника
Строителю, домашнему мастеру
Типовые инструкции по охране труда (ТОИ)
Чудеса природы
Шпионские штучки
Электрик в доме
Эффектные фокусы и их разгадки

Техническая документация:
Схемы и сервис-мануалы
Книги, журналы, сборники
Справочники
Параметры радиодеталей
Прошивки
Инструкции по эксплуатации
Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатный архив статей
(150000 статей в Архиве)

Алфавитный указатель статей в книгах и журналах

Бонусы:
Ваши истории
Загадки для взрослых и детей
Знаете ли Вы, что...
Зрительные иллюзии
Веселые задачки
Каталог Вивасан
Палиндромы
Сборка кубика Рубика
Форумы
Карта сайта

ДИАГРАММА
© 2000-2020

Дизайн и поддержка:
Александр Кузнецов

Техническое обеспечение:
Михаил Булах

Программирование:
Данил Мончукин

Маркетинг:
Татьяна Анастасьева

Перевод:
Наталья Кузнецова

Контакты

При использовании материалов сайта обязательна ссылка на http://www.diagram.com.ua

сделано в Украине
сделано в Украине

Диаграмма. Бесплатная техническая библиотека

Бесплатная техническая библиотека Бесплатная техническая библиотека, Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Мощные СВЧ-транзисторы Philips Semiconductors. Справочные данные

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

Комментарии к статье Комментарии к статье

СВЧ-транзисторы применяются во многих областях человеческой деятельности: телевизионные и радиовещательные передатчики, ретрансляторы, радары гражданского и военного назначения, базовые станции сотовой системы связи, авионика и т. д.

В последние годы заметна тенденция перехода с биполярной технологии производства СВЧ-транзисторов на технологии VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) и LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors). Самая передовая технология LDMOS обладает наилучшими характеристиками, такими, как линейность, усиление, тепловые режимы, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность. Производимые Philips транзисторы имеют исключительно высокую повторяемость характеристик от партии к партии, и компания Philips этим гордится. При замене вышедших из строя транзисторов можно не беспокоиться о процессе настройки оборудования заново, так как все параметры транзисторов абсолютно идентичны. Этим не может похвастаться ни один из конкурентов Philips.

Все новые разработки Philips базируются на новой современной LDMOS-технологии.

Транзисторы для базовых станций сотовой связи

Кроме транзисторов упакованных в корпуса, Philips выпускает интегрированные модули.

Таблица 1.Транзисторы LDMOS 800 МГц- 1,0 ГГц
Тип Pвых, Вт Корпус
BLF1043 10 SOT538
BLF1046 45 SOT467
BLF1049 125 SOT502A
BLF0810-90 16 SOT502A
BLF0810-180 32 SOT502A
BLF900-110 25 SOT502A


Таблица 2. Транзисторы LDMOS 1,8 - 2,0 ГГц
Тип Pвых, Вт Корпус
BLF2043 10 SOT538
BLF1822-10 10 SOT467C
BLF1822-30 30 SOT467C
BLF1820-70 65 SOT502A
BLF1820-90 90 SOT502A


Таблица 3. Транзисторы LDMOS 2,0 - 2,2 ГГц для WCDMA
Тип PсрWCDMA,Вт Корпус
BLF1822-10 1 SOT467C
BLF1822-30 4 SOT467C
BLF202230   SOT608A
BLF2022-70 7,5 SOT502A
BLF2022-120 20 SOT539A
BLF2022-125 20 SOT634A
BLF2022-150 25 SOT634A
BLF2022-180 35 SOT539A

Таблица 4. Основные интегрированные модули
Тип Pвых, Вт Технология Частота Область применения
BGY916 19 BIPOLAR 900 МГц GSM
BGY916/5 19 BIPOLAR 900 МГц GSM
BGY925 23 BIPOLAR 900 МГц GSM
BGY925/5 23 BIPOLAR 900 МГц GSM
BGY2016 19 BIPOLAR 1800-2000 МГц GSM
BGF802-20 4 LDMOS 900-900 МГц CDMA
BGF 844 20 LDMOS 800-900 МГц GSM/EDGE (USA)
BGF944 20 LDMOS 900-1000 МГц GSM/EDGE (EUROPE)
BGF1801-10 10 LDMOS 1800-1900 МГц GSM/EDGE (EUROPE)
BGF1901-10 10 LDMOS 1900-2000 МГц GSM/EDGE (USA)

Отличительные особенности интегрированных модулей:
  • LDMOS-технология (пайка прямо на радиатор, линейность, большее усиление), o пониженное искажение,
  • меньший нагрев полупроводника за счет использования медного фланца, o интегрированная компенсация температурного смещения,
  • 50-омные входы/выходы,
  • линейное усиление,
  • поддержка многих стандартов (EDGE, CDMA).
Рекомендуемые решения для стандарта GSM: на 800 МГц: BGF844 + BLF1049 на 900 МГц: BGF944 + BLF1049 на 1800 МГц: BGF1801-10 + BLF1820-10 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-10

Рекомендуемые решения для стандарта CDMA: на 800 МГц: BGF802-20 + BLF0810-180 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-90

Рекомендуемые решения для стандарта EDGE:

BGF0810-90
  • выходная мощность: 40 Вт,
  • усиление: 16 дБ,
  • КПД: 37%,
  • ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
  • амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.
BLF1820-90
  • выходная мощность: 40 Вт,
  • усиление: 12 дБ,
  • КПД: 32%,
  • ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
  • амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.
Транзисторы для вещательных станций

На протяжении последних 25 лет компания Philips сохраняет лидерство в данной области. Использование последних достижений в технологии LDMOS (серии BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx,) позволяет постоянно укреплять позиции на рынке. В качестве примера можно привести огромный успех транзистора BLF861 для ТВ-передатчиков. В отличие от транзисторов конкурентов, BLF861 зарекомендовал себя высоконадежным и высокостабильным элементом, защищенным от выхода из строя при отключении антенны. Никто из конкурентов не смог приблизиться к характеристикам BLF861 по стабильности работы. Можно назвать основные сферы применения таких транзисторов: передатчики на частоты от HF до 800 МГц, частные радиостанции PMR (TETRA), передатчики VHF гражданского и военного назначения.

Таблица 5. L- и S-полосные транзисторы для радаров

  Тип F, ГГц Vcc,B Tp, мкс Коэфф. заполнения, % Мощность, Вт КПД,% Усиление, дБ
L-полоса RZ1214B35Y 1,2-1,4 50 150 5 >35 >30 >7
RZ1214B65Y 1,2-1,4 50 150 5 >70 >35 >7
RX1214B130Y 1,2-1,4 50 150 5 >130 >35 >7
RX1214B170W 1,2-1,4 42 500 10 >170 >40 >6
RX1214B300Y 1,2-1,4 50 150 5 >250 >35 >7
RX1214B350Y 1,2-1,4 50 130 6 >280 >40 >7
Bill 21435 1,2-1,4 36 100 10 >35 45 >13
BLL1214-250 1,2-1,4 36 100 10 >250 45 >13
S-полоса BLS2731-10 2,7-3,1 40 100 10 >10 45 9
BLS2731-20 2,7-3,1 40 100 10 >20 40 8
BLS2731-50 2,7-3,1 40 100 10 >50 40 9
BLS2731-110 2,7-3,1 40 100 10 >110 40 7,5
Верхняя S-полоса BLS3135-10 3,1-3,5 40 100 10 >10 40 9
BLS3135-20 3,1-3,5 40 100 10 >20 40 8
BLS3135-50 3,1-3,5 40 100 10 >50 40 8
BLS3135-65 3,1-3,5 40 100 10 >65 40 >7

 

Таблица 6. Транзисторы для авионики

  Тип F,ГГц Vcc,B Tp, мкс Коэфф. заполнения, % Мощность, Вт КПД,% Усиление, дБ
BIPOLAR MZ0912B50Y 0,96-1,215 50 10 10 >50 >42 >7
MX0912B100Y 0,96-1,215 50 10 10 >100 >42 >7
MX0912B251Y 0,96-1,215 50 10 10 >235 >42 >7
MX0912B351Y 0,96-1,215 42 10 10 >325 >40 >7
LDMOS

Vds




BLA1011-200 1,03-1,09 36 50 1 >200 50 15
BLA1011-10 1,03-1,09 36 50 1 >10 40 16
BLA1011-2 1,03-1,09 36 50 1 >2 - 18

Основные характеристики транзистора BLF861A
  • Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель),
  • выходная мощность более 150 Вт,
  • усиление более 13 дБ,
  • КПД более 50%,
  • закрывает полосу от 470 до 860 МГц (полосы IV и V),
  • надежный, устойчивый к рассогласованию,
  • устойчив к отключению антенны,
  • является индустриальным стандартом в ТВ-передатчиках на сегодняшний день.
Новая модель транзистора BLF647
  • разработан на основе BLF861A,
  • большой коэффициент усиления 16 дБ на 600 МГц,
  • выходная мощность до 150 Вт,
  • закрывает полосу от 1,5 до 800 МГц,
  • надежный, устойчивый к рассогласованию,
  • устойчив к отключению антенны,
  • имеет встроенный резистор, позволяющий работать на частотах HF и VHF,
  • Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель).
Транзистор BLF872
  • разрабатывается как более мощная замена BLF861A,
  • начало производства 1 квартал 2004 года,
  • выходная мощность до 250 Вт,
  • самый надежный транзистор по устойчивости к рассогласованию,
  • сохраняет линейность,
  • сохраняет надежность,
  • смещение тока Idq менее 10% на 20 лет,
  • коэффициент усиления более 14 дБ,
  • закрывает полосу от 470 до 860 МГц.
Транзисторы для радаров и авионики

Новые транзисторы Philips для радаров и авионики также производятся по современной LDMOS-технологии. Кристаллы, выполненные по технологии LDMOS, меньше нагреваются, являются более надежными, имеют большее усиление, не требуют изолятора между подложкой и радиатором. Соответственно, для достижения тех же характеристик требуется меньшее число транзисторов, что дополнительно повышает надежность и снижает стоимость изделия.

Новые разработки:

BLA0912-250
  • полоса от 960 до 1250 МГц (все главные частоты авионики),
  • высокое усиление до 13 дБ,
  • надежность, устойчивость к рассогласованию фаз 5:1,
  • линейность,
  • образцы будут доступны с июня 2003 года.
BLS2934-100
  • полоса от 2,9 до 3,4 ГГц (все главные частоты авионики),
  • использование стандартного негерметичного корпуса,
  • образцы будут доступны к концу 2003 года.
Подводя итоги, можно с уверенностью сказать, что компания Philips идет в ногу со временем и предлагает транзисторы, позволяющие создавать новые устройства, которые обладают более совершенными характеристиками: меньший размер, большая выходная мощность, меньшее число компонентов обвязки и меньшая цена конечного изделия.

Автор: Владимир Захаров, zww@gamma.spb.ru; Публикация: cxem.net

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Рекомендуем скачать в нашей Бесплатной технической библиотеке:

раздел сайта Медицина

журналы Наука и жизнь (годовые архивы)

книга Самая большая скорость. Филинович С.Р., 1983

книга В помощь радиолюбителю - рационализатору. Петровский Б.Н., 1951

статья Мильон терзаний

статья Почему некоторые древние города оказались под слоями земли и откуда она взялась?

сборник Архив схем и сервис-мануалов мобильных телефонов Panasonic

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:

[lol][;)][roll][oops][cry][up][down][!][?]




Бесплатная техническая библиотека Бесплатная техническая документация для любителей и профессионалов