Комплементарные мощные транзисторы серий КТ8115, КТ8116. Справочные данные

Бесплатная техническая библиотека

ЭНЦИКЛОПЕДИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ
Бесплатная библиотека / Схемы радиоэлектронных и электротехнических устройств

Комплементарные мощные транзисторы серий КТ8115, КТ8116. Справочные данные

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

Комментарии к статье

Кремниевые мощные составные транзисторы КТ8115А - КТВ115В (структуры р-n-р) и КТ8116А - КТ8116В (n-р-n), изготовляемые по эпитаксиально-планарной технологии, предназначены для работы в оконечных ступенях усилителей 3Ч, в преобразователях напряжения и другой аппаратуре широкого применения. Приборы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-28 (ТО-220) с жесткими штампованными лужеными выводами (рис. 1). Масса прибора - не более 2,5 г.

Комплементарные мощные транзисторы серий КТ8115, КТ8116

Зарубежные аналоги: КТ8115А - TIP127, КТ8115Б - TIP126, КТ8115В - TIP125, КТ8116А - TIP122, КТ8116Б - TIP121, КТ8116В - TIP120.

Основные характеристики при Токр.ср = 25°С

Граничное напряжение коллектор-эмиттер, В, не менее, при токе коллектора 100 мА и нулевом токе базы для КТ8115А, КТ8116А......100
КТ8115Б, КТ8116Б......80
КТ8115В, КТ8116В......60
Обратный ток коллектора, мА, не более, при максимальном напряжении коллектор-база и нулевом токе эмиттера......0,2
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА, не более, для КТ8115А, КТ8116А (при напряжении коллектор-эмиттер 50 В), КТ8115Б, КТ8116Б (40 В), КТ8115В, КТ8116В (30 В) .....0.5
Обратный ток эмиттера, мА, не более, при напряжении база-эмиттер 5 В и нулевом токе коллектора......2
Статический коэффициент передачи тока базы, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 3 В и токе эмиттера 0,5 А и ЗА......1000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В, не более, при токе коллектора 3 А и токе базы 12 мА......2
5 А и 20 мА соответственно......4
Напряжение насыщения база-эмиттер, В, не более, при токе коллектора 3 А и токе базы 12 мА......2,5
Модуль коэффициента передачи тока базы, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 4 В, токе коллектора 3 А и частоте 1 МГц.....4
Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт, не более......1,92

Предельно допустимые значения

Наибольшее напряжение коллектор-база, В, для КТ8115А, КТ8116А......100
КТ8115Б, КТ8116Б.....80
КТ8115В, КТ8116В......60
Наибольшее напряжение коллектор-эмиттер, В, для КТ8115А, КТ8116А.....100
КТ8115Б, КТ8116Б......80
КТ8115В, КТ8116В......60
Наибольшее напряжение эмиттер-база, В......5
Наибольший постоянный ток коллектора, А......5
Наибольший импульсный ток коллектора, А......8
Наибольший постоянный ток базы, А......0,12
Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, с теплоотводом......65
Наибольшая температура перехода, °С......150
Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С -60...+125

Допустимое значение статического потенциала - 2000 В (VI степень жесткости по ОСТ 11073.062). Не разрешается использование транзисторов при предельных значениях двух и более параметров. Для повышения надежности рекомендуется эксплуатировать приборы при значениях параметров не более 70% от предельно допустимых.

При монтаже транзисторов в устройство, находящееся под напряжением, базовый вывод необходимо припаивать первым, а при демонтаже - отключать последним. Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочем токе, соизмеримом с неуправляемым обратным током переходов во всем интервале рабочей температуры.

Допустимо не более чем однократное изгибание выводов. Место изгиба не должно быть ближе 5 мм от корпуса, радиус изгиба - не менее 1,5 мм. Во время изгибания необходимо принять меры, исключающие передачу усилия на корпус.

На рис. 2 изображена типовая зависимость статического коэффициента передачи тока базы транзисторов, а на рис. 3 - типовые зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора.

Комплементарные мощные транзисторы серий КТ8115, КТ8116

При повышении температуры корпуса транзистора сверх +25°С мощность, рассеиваемую коллектором, необходимо уменьшать в соответствии с кривой, изображенной на рис. 4.

Комплементарные мощные транзисторы серий КТ8115, КТ8116

Рис. 5 определяет область безопасной работы транзисторов в статическом и импульсном режимах.

Комплементарные мощные транзисторы серий КТ8115, КТ8116

Автор: В.Киселев, г.Минск

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Искусственная кожа для эмуляции прикосновений 15.04.2024

В мире современных технологий, где удаленность становится все более обыденной, сохранение связи и чувства близости играют важную роль. Недавние разработки немецких ученых из Саарского университета в области искусственной кожи представляют новую эру в виртуальных взаимодействиях. Немецкие исследователи из Саарского университета разработали ультратонкие пленки, которые могут передавать ощущение прикосновения на расстоянии. Эта передовая технология предоставляет новые возможности для виртуального общения, особенно для тех, кто оказался вдали от своих близких. Ультратонкие пленки, разработанные исследователями, толщиной всего 50 микрометров, могут быть интегрированы в текстильные изделия и носиться как вторая кожа. Эти пленки действуют как датчики, распознающие тактильные сигналы от мамы или папы, и как исполнительные механизмы, передающие эти движения ребенку. Прикосновения родителей к ткани активируют датчики, которые реагируют на давление и деформируют ультратонкую пленку. Эта ...>>

Кошачий унитаз Petgugu Global 15.04.2024

Забота о домашних животных часто может быть вызовом, особенно когда речь заходит о поддержании чистоты в доме. Представлено новое интересное решение стартапа Petgugu Global, которое облегчит жизнь владельцам кошек и поможет им держать свой дом в идеальной чистоте и порядке. Стартап Petgugu Global представил уникальный кошачий унитаз, способный автоматически смывать фекалии, обеспечивая чистоту и свежесть в вашем доме. Это инновационное устройство оснащено различными умными датчиками, которые следят за активностью вашего питомца в туалете и активируются для автоматической очистки после его использования. Устройство подключается к канализационной системе и обеспечивает эффективное удаление отходов без необходимости вмешательства со стороны владельца. Кроме того, унитаз имеет большой объем смываемого хранилища, что делает его идеальным для домашних, где живут несколько кошек. Кошачий унитаз Petgugu разработан для использования с водорастворимыми наполнителями и предлагает ряд доп ...>>

Привлекательность заботливых мужчин 14.04.2024

Стереотип о том, что женщины предпочитают "плохих парней", долгое время был широко распространен. Однако, недавние исследования, проведенные британскими учеными из Университета Монаша, предлагают новый взгляд на этот вопрос. Они рассмотрели, как женщины реагируют на эмоциональную ответственность и готовность помогать другим у мужчин. Результаты исследования могут изменить наше представление о том, что делает мужчин привлекательными в глазах женщин. Исследование, проведенное учеными из Университета Монаша, приводит к новым выводам о привлекательности мужчин для женщин. В рамках эксперимента женщинам показывали фотографии мужчин с краткими историями о их поведении в различных ситуациях, включая их реакцию на столкновение с бездомным человеком. Некоторые из мужчин игнорировали бездомного, в то время как другие оказывали ему помощь, например, покупая еду. Исследование показало, что мужчины, проявляющие сочувствие и доброту, оказались более привлекательными для женщин по сравнению с т ...>>

Случайная новость из Архива

Сгенерирован кратчайший электронный взрыв 27.02.2023

Вы когда-нибудь задумывались, почему ваш компьютер и другие электронные устройства иногда работают быстро, а иногда медленно? Все сводится к скорости, с которой электроны, мельчайшие частицы нашего микромира, вытекают из крошечных проводов внутри транзисторов электронных микросхем и создают импульсы. Разработка способов роста данной скорости имеет решающее значение для заслуги наибольшего потенциала производительности электроники и ее программ.

Но какое самое короткое время для электронов, чтобы вытекать из крохотного металлического свинца в электронной схеме?

Используя чрезвычайно короткие лазерные вспышки, команда исследователей под руководством профессора Элефтериоса Гулиэлмакиса, руководителя группы экстремальной фотоники Института физики Университета Ростока, и сотрудников Института исследования твердого тела Макса Планка в Штутгарте использовала состояние современных сегодня.

В то время как давно известно, что свет может высвобождать электроны из металлов (Эйнштейн был первым, кто объяснил, как), этим процессом чрезвычайно тяжело манипулировать. Электрическое поле света изменяет свое направление примерно миллион миллиардов раз в секунду, что затрудняет контроль над тем, как оно отрывает электроны от поверхности металлов.

Чтобы преодолеть эту проблему, ученые из Ростока и их коллеги использовали современную технологию, ранее разработанную их группой, - синтез светового поля, - что позволило им сократить световую вспышку до меньшего, чем полный размах его собственного поля. В свою очередь они использовали эти вспышки, чтобы осветить кончик вольфрамовой иглы, чтобы освободить электроны в вакуум.

"Используя световые импульсы, содержащие всего один цикл своего поля, теперь можно дать электронам точно контролируемый удар, чтобы освободить их от вольфрамового кончика в течение очень короткого интервала времени", - объясняет Элефтериос Гулиэлмакис, руководитель исследовательской группы.

Но эту проблему невозможно было бы решить, если ученые также не нашли способ измерить кратковременность этих вспышек электронов. Чтобы преодолеть это препятствие, команда разработала новый тип камеры, которая может производить мгновенные снимки электронов в течение короткого времени, когда лазер выталкивает их из нанокончика в вакуум.

"Хитрость заключалась в том, чтобы использовать вторую, очень слабую, световую вспышку", - сказал доктор Хи-Йонг Ким, ведущий автор нового исследования. "Эта вторая лазерная вспышка может мягко исказить энергию взрыва электронов, чтобы узнать, как это выглядит со временем", - добавляет он. "Это как игра "Что в коробке?" где игроки пытаются узнать объект, не смотря на него, но просто повернув его, чтобы почувствовать его форму руками", - продолжает он.

Но как эту технологию можно использовать в электронике? "Поскольку технология быстро развивается, разумно ожидать разработки микроскопических электронных схем, в которых электроны двигаются в вакуумном пространстве среди плотно упакованных свинцов, чтобы предотвратить замедляющие их препятствия", - говорит Гулиэлмакис. "Использование света для выброса электронов и перемещение их между этими проводами может ускорить будущую электронику в несколько тысяч раз по сравнению с сегодняшней", - объясняет он.

Но исследователи считают, что их не так давно разработанная методология будет использована конкретно в научных целях. "Выброс электронов из металла в пределах доли цикла светового поля значительно упрощает эксперименты и позволяет нам использовать передовые теоретические методы для понимания эмиссии электронов способом, ранее невозможным", - говорит профессор Томас Феннел, соавтор исследования.