Полевые транзисторы серии КП504
Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы
Комментарии к статье
Полевые n-канальные кремниевые транзисторы КП504А-КП504Е средней мощности с
изолированным затвором и обогащением канала изготавливают по
эпитаксиально-планарной технологии. Прибор оснащен встроенным защитным
обратносмещенным диодом, включенным между истоком и стоком.
Транзисторы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с
бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях
напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в приводных узлах маломощных
электродвигателей и другой аппаратуре бытового и промышленного назначения.
Приборы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92) с жесткими штампованными
лужеными выводами (рис. 1). Зарубежный аналог транзистора КП504А -BSS88.

Основные характеристики при Токр.ср = 25±10°С
- Пороговое напряжение, В, при токе стока 1 мА и соединенных затворе истоке . .
.0,6...2
- Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не
более 300 мкс и их скважности не менее 50, при токе стока 0,25 А и напряжении
затвор-исток 4,5 В для
КП504А- КП504В, КП504Д, КП504Е......8
- КП504Г......10
- Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не
более 300 мкс и их скважности не менее 50, при токе стока 14 мА и напряжении
затвор-исток 1,8 В для
КП504А- КП504В, КП504Д, КП504Е......15
- КП504Г......18
- Остаточный ток стока, мкА, не более, при максимально допустимом напряжении
сток-исток и нулевом напряжении затвор- исток......1
- Ток утечки затвора, мкА, не более, при нулевом напряжении сток-исток и
напряжении затвор-исток ±20 В......±0,1
- Крутизна вольт-амперной характеристики, А/В, не менее, при длительности
импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при напряжении
сток-исток 5 В и токе стока 0,25 А.......0,14
- Постоянное прямое напряжение защитного диода, В, не более, при длительности
импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при нулевом напряжении
затвор-исток и токе через диод 0,5 А для
- КП504А, КП504В-КП504Д......1,3
- КП504Б, КП504Е......1,8
Тепловое сопротивление кристалл-среда, °С/Вт, не более, для
- КП504А, КП504Б......125
- КП504В-КП504Е......177
- Емкость* транзистора, пФ, не более, при нулевом напряжении затвор-исток,
напряжении сток-исток 25 В и частоте 1 МГц
входная......140
- выходная......30
- проходная......9
* Справочные параметры.
Предельно допустимые значения
- Наибольшее напряжение сток-исток, В, для КП504А, КП504Б, КП504Д, КП504Е......240
- КП504В......200
- КП504Г......250
- Наибольшее напряжение затвор-исток, В......±10
- Наибольший постоянный ток* стока, мА, для
- КП504А, КП504Б......250
- КП504В, КП504Д, КП504Е......200
- КП504Г......180
- Наибольший импульсный ток* стока, А......1
- Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность**, Вт, при температуре окружающей
среды не более 25 °С, для
КП504А, КП504Б......1
- КП504В- КП504Е......0,7
- Наибольшая температура кристалла, °С......150
- Рабочий температурный интервал окружающей среды, °С......-55...+125
* При условии непревышения предельных значений мощности рассеяния и температуры
кристалла
** При температуре окружающей среды Токр.ср от +25 до +125 °С максимальную
рассеиваемую мощность Рmax необходимо уменьшать в соответствии с формулой Рmax =
( Ткр max - Токр.ср)/RT.кр-ср, где Ткр max наибольшая температура кристалла;
RT.кр-ср - тепловое сопротивление кристалл-среда.
Допустимое значение статического потенциала - 30 В в соответствии с ОСТ 11
073.062. Режим работы и условия монтажа транзисторов в аппаратуру - по ОСТ 11
336.907.0.
Наиболее важные графические типовые зависимости параметров транзисторов серии
КП504 представлены ниже. На рис. 2,а и б показаны выходные характеристики при
двух значениях температуры окружающей среды, а на рис. 3 - зависимость тока
стока от напряжения затвор-исток. На рис. 4 изображена нормализованная
зависимость сопротивления открытого канала прибора от температуры (RK -
отношение текущего сопротивления канала к сопротивлению при температуре
кристалла +25 °С).
Рис. 5 иллюстрирует температурное изменение порогового напряжения, а рис. 6 -
максимально допустимой постоянной мощности рассеяния. Представление о том, как
меняются значения входной, выходной и проходной емкости транзисторов при
изменении напряжения сток-исток, дает график на рис. 7. Зависимость крутизны
вольт-амперной характеристики и сопротивления открытого канала от тока стока
представлены на рис. 8 и 9 соответственно. Мощностные возможности встроенного
защитного диода демонстрирует рис. 10.

Автор: В.Киселев, г.Минск, Белоруссия
Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.
Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.
Рекомендуем скачать в нашей Бесплатной технической библиотеке:
журналы Блокнот Радиоаматора (годовые архивы)
журналы Юный техник (годовые архивы)
книга Обслуживание релейной защиты электроавтоматики и вторичных цепей электростанций и подстанций. Рыбак Х.А., 1984
книга Учебный радиоконструктор на моделях. Воробьев С.И., 1970
статья Изображение можно поймать
статья Хоть видит око, да зуб неймет
справочник Сервисные меню зарубежных телевизоров. Книга №3
Оставьте свой комментарий к этой статье: