Полевые транзисторы серии КП504

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Полевые n-канальные кремниевые транзисторы КП504А-КП504Е средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Прибор оснащен встроенным защитным обратносмещенным диодом, включенным между истоком и стоком.

Транзисторы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в приводных узлах маломощных электродвигателей и другой аппаратуре бытового и промышленного назначения.

Приборы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92) с жесткими штампованными лужеными выводами (рис. 1). Зарубежный аналог транзистора КП504А -BSS88.

Основные характеристики при Токр.ср = 25±10°С

• Пороговое напряжение, В, при токе стока 1 мА и соединенных затворе истоке . . .0,6...2
• Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при токе стока 0,25 А и напряжении затвор-исток 4,5 В для КП504А- КП504В, КП504Д, КП504Е......8
• КП504Г......10
• Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при токе стока 14 мА и напряжении затвор-исток 1,8 В для КП504А- КП504В, КП504Д, КП504Е......15
• КП504Г......18
• Остаточный ток стока, мкА, не более, при максимально допустимом напряжении сток-исток и нулевом напряжении затвор- исток......1
• Ток утечки затвора, мкА, не более, при нулевом напряжении сток-исток и напряжении затвор-исток ±20 В......±0,1
• Крутизна вольт-амперной характеристики, А/В, не менее, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при напряжении сток-исток 5 В и токе стока 0,25 А.......0,14
• Постоянное прямое напряжение защитного диода, В, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при нулевом напряжении затвор-исток и токе через диод 0,5 А для
• КП504А, КП504В-КП504Д......1,3
• КП504Б, КП504Е......1,8

Тепловое сопротивление кристалл-среда, °С/Вт, не более, для

• КП504А, КП504Б......125
• КП504В-КП504Е......177
• Емкость* транзистора, пФ, не более, при нулевом напряжении затвор-исток, напряжении сток-исток 25 В и частоте 1 МГц входная......140
• выходная......30
• проходная......9

* Справочные параметры.

Предельно допустимые значения

• Наибольшее напряжение сток-исток, В, для КП504А, КП504Б, КП504Д, КП504Е......240
• КП504В......200
• КП504Г......250
• Наибольшее напряжение затвор-исток, В......±10
• Наибольший постоянный ток* стока, мА, для
• КП504А, КП504Б......250
• КП504В, КП504Д, КП504Е......200
• КП504Г......180
• Наибольший импульсный ток* стока, А......1
• Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность**, Вт, при температуре окружающей среды не более 25 °С, для КП504А, КП504Б......1
• КП504В- КП504Е......0,7
• Наибольшая температура кристалла, °С......150
• Рабочий температурный интервал окружающей среды, °С......-55...+125

* При условии непревышения предельных значений мощности рассеяния и температуры кристалла

** При температуре окружающей среды Токр.ср от +25 до +125 °С максимальную рассеиваемую мощность Рmax необходимо уменьшать в соответствии с формулой Рmax = ( Ткр max - Токр.ср)/RT.кр-ср, где Ткр max наибольшая температура кристалла; RT.кр-ср - тепловое сопротивление кристалл-среда.

Допустимое значение статического потенциала - 30 В в соответствии с ОСТ 11 073.062. Режим работы и условия монтажа транзисторов в аппаратуру - по ОСТ 11 336.907.0.

Наиболее важные графические типовые зависимости параметров транзисторов серии КП504 представлены ниже. На рис. 2,а и б показаны выходные характеристики при двух значениях температуры окружающей среды, а на рис. 3 - зависимость тока стока от напряжения затвор-исток. На рис. 4 изображена нормализованная зависимость сопротивления открытого канала прибора от температуры (RK - отношение текущего сопротивления канала к сопротивлению при температуре кристалла +25 °С).

Рис. 5 иллюстрирует температурное изменение порогового напряжения, а рис. 6 - максимально допустимой постоянной мощности рассеяния. Представление о том, как меняются значения входной, выходной и проходной емкости транзисторов при изменении напряжения сток-исток, дает график на рис. 7. Зависимость крутизны вольт-амперной характеристики и сопротивления открытого канала от тока стока представлены на рис. 8 и 9 соответственно. Мощностные возможности встроенного защитного диода демонстрирует рис. 10.

Автор: В.Киселев, г.Минск, Белоруссия

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

Рекомендуем скачать в нашей Бесплатной технической библиотеке:

журналы Радиодело (годовые архивы)

журналы Квант (годовые архивы)

книга Левинштейн М.Е., Симин Г.С. Барьеры. От кристалла до интегральной схемы. , 1987

книга Простые батарейные радиоприемники. Тарасов Ф.И., 1952

статья Зарядное устройство для гальванических элементов

статья Электронный пароль

справочник Вхождение в режим сервиса зарубежных телевизоров. Книга №24

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:

E-mail (не обязательно):

Комментарий: