|
|
Самовосстанавливающийся предохранитель, 5 ампер Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Защита аппаратуры от аварийных режимов работы сети
Схема такого "предохранителя" с максимальным током нагрузки 5 А показана на рис. 7.19. Его КПД превышает 90% в более чем десятикратном интервале изменения тока нагрузки. Ток, потребляемый в отсутствие нагрузки, - менее 0,5 мА.
Для уменьшения падения напряжения на "предохранителе" в качестве VT4 применен германиевый транзистор. При токе нагрузки меньше допустимого этот транзистор находится на грани насыщения. Это состояние поддерживает петля отрицательной ОС, которую при открытом и насыщенном транзисторе VT2 образуют транзисторы VT1 и VT3. Падение напряжения на участке коллектор-эмиттер транзистора VT4 не превышает 0,5 В при токе нагрузки 1 А и 0,6 В - при 5 А. При токе нагрузки, меньшем тока срабатывания защиты, транзистор VT3 находится в активном режиме и напряжение между его коллектором и эмиттером достаточно для открывания транзистора VT6, что обеспечивает насыщенное состояние транзистора VT2 и в конечном итоге - проводящее состояние ключа VT4. С увеличением тока нагрузки ток базы транзистора VT3 под действием отрицательной. ОС увеличивается, а напряжение на его коллекторе уменьшается до закрывания транзистора VT6 В этот момент и срабатывает защита. Самая неблагоприятная для "предохранителя" нагрузка - мощная лампа накаливания, у которой сопротивление холодной нити в несколько раз меньше, чем разогретой. Проверка, проведенная с автомобильной лампой 12 В (32 + 6) Вт, показала, что 0,06 с для разогрева вполне достаточно и "предохранитель" после ее включения надежно входит в рабочий режим. Но для более инерционных ламп длительность и период повторения импульсов возможно придется увеличить, установив конденсатор С2 большего номинала (но не оксидный). Транзистор ГТ806А можно заменить другим из этой же серии или мощным германиевым, например, П210 с любым буквенным индексом. Если германиевые транзисторы отсутствуют или необходимо работать при повышенной температуре, можно использовать и кремниевые с h2t3 > 40, например, КТ818 или КТ8101 с любыми буквенными индексами, увеличив номинал резистора R5 до 10 кОм. После такой замены напряжение, измеренное между коллектором и эмиттером транзистора VT4, не превышало 0,8 В при токе нагрузки 5 А. При изготовлении "предохранителя" транзистор VT4 необходимо установить на теплоотвод, например, алюминиевую пластину размерами 80x50x5 мм. Теплоотвод площадью 1,5...2 см2 нужен и транзистору VT3. Автор: Семьян А.П.
журналы Stereophile (годовые архивы) книга Наладка и обслуживание регуляторов частоты на тепловых электростанциях. Щуров В.М., 1966 книга Радиолюбительские конструкции супергетеродинов. Кравцов Н.Н., 1982 статья Всегда ли люди жили семьями? статья Цели организации первой медицинской помощи при массовых поражениях справочник Зарубежные микросхемы и транзисторы. Серия I
|
Смотрите другие статьи раздела