Самовосстанавливающийся предохранитель, 5 ампер
Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Защита аппаратуры от аварийных режимов работы сети
Комментарии к статье
Схема такого "предохранителя" с максимальным током нагрузки 5 А
показана на рис. 7.19. Его КПД превышает 90% в более чем десятикратном
интервале изменения тока нагрузки. Ток, потребляемый в отсутствие нагрузки, -
менее 0,5 мА.

Для уменьшения падения напряжения на "предохранителе" в качестве
VT4 применен германиевый транзистор. При токе нагрузки меньше допустимого этот
транзистор находится на грани насыщения. Это состояние поддерживает петля отрицательной
ОС,
которую при открытом и насыщенном транзисторе VT2 образуют транзисторы VT1 и
VT3. Падение напряжения на участке коллектор-эмиттер транзистора VT4 не
превышает 0,5 В при токе нагрузки 1 А и 0,6 В - при 5 А.
При токе нагрузки,
меньшем тока срабатывания защиты, транзистор VT3 находится в активном режиме и
напряжение между его коллектором и эмиттером достаточно для открывания
транзистора VT6, что обеспечивает насыщенное состояние транзистора VT2 и в
конечном итоге - проводящее состояние ключа VT4. С увеличением тока нагрузки ток
базы транзистора VT3 под действием отрицательной. ОС увеличивается, а напряжение
на его коллекторе уменьшается до закрывания транзистора VT6 В этот момент и
срабатывает защита. Самая неблагоприятная для "предохранителя" нагрузка - мощная
лампа накаливания, у которой сопротивление холодной нити в несколько раз меньше,
чем разогретой.
Проверка, проведенная с автомобильной лампой 12 В (32 + 6) Вт,
показала, что 0,06 с для разогрева вполне достаточно и "предохранитель" после ее
включения надежно входит в рабочий режим. Но для более инерционных ламп
длительность и период повторения импульсов возможно придется увеличить,
установив конденсатор С2 большего номинала (но не оксидный). Транзистор ГТ806А
можно заменить другим из этой же серии или мощным германиевым, например, П210 с
любым буквенным индексом. Если германиевые транзисторы отсутствуют или
необходимо работать при повышенной температуре, можно использовать и кремниевые
с h2t3 > 40, например, КТ818 или КТ8101 с любыми буквенными индексами,
увеличив номинал резистора R5 до 10 кОм. После такой замены напряжение, измеренное между
коллектором и эмиттером транзистора VT4, не превышало 0,8 В при токе нагрузки 5
А.
При изготовлении "предохранителя" транзистор VT4 необходимо установить на теплоотвод, например, алюминиевую пластину размерами 80x50x5 мм. Теплоотвод
площадью 1,5...2 см2 нужен и транзистору VT3.
Автор: Семьян А.П.
Смотрите другие статьи раздела Защита аппаратуры от аварийных режимов работы сети.
Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.
Рекомендуем скачать в нашей Бесплатной технической библиотеке:
журналы Новости электроники (годовые архивы)
журналы Домашний ПК (годовые архивы)
книга Магнитные усилители с самонасыщением. Розенблат М.А., 1963
книга Коммутационные устройства. Справочное пособие. Томас Р.К., 1982
статья ИК автомат управления освещением
статья Прибор для рефлексотерапии
справочник Сервисные меню зарубежных телевизоров. Книга №12
Оставьте свой комментарий к этой статье: