Menu English Ukrainian Russian Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Выпрямитель для больших токов при малых потерях. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Блоки питания

Комментарии к статье Комментарии к статье

Описываемый необычный выпрямитель переменного тока предназначен для использования там, где требуются малые регулируемые напряжения при относительно больших токах и малых потерях. Примером применения может служить питание элементов Пелтье, применяемых в системах охлаждения, где, к тому же, необходимо и регулировать температуру. Гальванические ванны и низковольтные паяльники - другие примеры применения подобного выпрямителя.

При получении низких напряжений питания в выпрямителях встает проблема падения напряжения на выпрямительных полупроводниковых диодах, обусловленная примененным в диодах полупроводниковым материалом (0,6…0,9 В в кремниевых диодах), которое оказывает тем большее влияние, чем ниже выпрямленное напряжение. Встает проблема отвода тепла при больших токах нагрузки. Когда необходима еще и регулировка выходного напряжения, прибегают к помощи последовательного стабилизатора напряжения, падение напряжения на переходе регулирующего транзистора которого составляет дополнительно к падению на диодах выпрямителя еще несколько вольт, что ведет к бесполезному рассеиванию мощности, к.п.д устройства, при этом, не превышает 50%. На рисунке (Bild 1) показана схема выпрямителя, взятая из сборника патентов ГДР [ 1 ], который позволяет значительно уменьшить потери мощности.

Выпрямитель для больших токов при малых потерях
Рис. 1.

Речь идет, в первую очередь, о двухполупериодном выпрямителе со средней точкой, который характерен и известен как выпрямитель, имеющий два диода и отвод от середины обмотки трансформатора. Здесь выпрямительные диоды заменены переходами эмиттер-коллектор регулирующих транзисторов (VT1 и VT2). Этим обеспечивается преимущество перед диодами, так как падение напряжения на переходах эмиттер-коллектор у современных мощных планарных транзисторов составляет всего 0,1…0,2 В, против примерно 0,7 В у большинства выпрямительных диодов, поэтому бесполезное рассеивание мощности значимтельно сокращается. Кроме того, при использовании транзисторов как управляемых элементов, появляется возможность регулировки выходного выпрямленного напряжения, а, именно, - путем усечения фазы.

Выпрямитель для больших токов при малых потерях
Рис. 2

Во время положительного полупериода ток течет через VD1, контакты переключателя S (S - сначала в крайнем правом, по схеме, положении), резистор R и диод VD4 в цепи база-эмиттер VT2. VT2, при этом, управляется, в результате чего нижняя ветвь выпрямителя открывается, а конденсатор С заряжается. Во время отрицательного полупериода транзистор VT1 управляется через диод VD2, S, R и VD3, чем открывается верхняя ветвь выпрямителя. Поскольку речь идет о двухполупериодном выпрямителе, в котором остаточное падение напряжения на переходах эмиттер-коллектор транзисторов очень мало, то мала и рассеиваемая на транзисторах мощность, равная падению напряжения на переходе эмиттер-коллектор умноженному на ток протекающий в этой цепи. Коль мала мощность рассеивания, так небольшим может быть и теплоотвод, а если еще и отрицательный полюс выпрямителя может быть соединен с металлическим корпусом питаемого устройства, то регулирующие транзисторы можно прикрутить выводами коллекторов прямо на шасси без изолирующих прокладок.

Теперь рассмотрим возможность регулировки выходного напряжения выпрямителя с помощью цепочки диодов VD5…VDn, коммутируемых переключателем S, осуществляющих отсечку фазы (Bild 2). Транзисторы, при этом, начинают проводить не сразу с начала соответствующего полупериода переменного напряжения, а спустя некоторое время, когда мгновенное значение амплитуды напряжения в полупериоде превысит сумму прямых напряжений включенных диодов. Соответственно, чем меньшее время открыты транзисторы, тем до меньшего напряжения сможет зарядиться конденсатор фильтра С. Конечно эффект более позднего открывания и более раннего закрывания транзисторов зависит и от прямого падения напряжения на диодах VD1…VD4 и от напряжения открывания транзисторов VT1 и VT2. Здесь лучше всего применить германиевые диоды из-за малого прямого падения напряжения на них, например, 0,1 А или 1 А диоды из серии GY. Более современными оказываются здесь диоды с барьером Шоттки, но результаты, получаемые с ними ничуть не лучше, а хуже, чем со старыми добрыми германиевыми диодами, тем более, что до сих пор не все могут диоды Шоттки достать.

Следует обратить особое внимание на максимальное допустимое обратное напряжение переходов база-эмиттер VT1 и VT2. При превышении этого напряжения, ток с соответствующего внешнего конца вторичной обмотки силового трансформатора потечет через запертый переход эмиттер-база (как ток стабилизации (или "лавинный ток пробоя") в стабилитроне) и оттуда через включенный в прямом направлении прохождения тока переход база - коллектор, - прямо на выход выпрямителя. В этом случае, конечно же, ни о каком регулировании транзисторами не может быть и речи и они повреждаются. Пиковое значение напряжения на любой половине вторичной обмотки не должно превышать допустимого обратного напряжения перехода эмиттер-база (Ueff * 3 2), которое должно быть в пределах 6…9 В.

Рекомендуется до установки транзисторов в схему измерить допустимое обратное напряжение переходов база-эмиттер (и, наверное, коль схема симметрична, подобрать пару транзисторов с одинаковыми параметрами). Способ измерения этого напряжения прост: необходимо включить переход база - эмиттер в обратном (запирающем направлении прохождению постоянного тока) через резистор и измерить на переходе напряжение точно также как определяется напряжение стабилизации на обычном стабилитроне. Увеличиваем напряжение подаваемое на последовательно включенные резистор (например, сопротивлением 1 ком) и переход база-эмиттер ("плюсом" к эмиттеру, если это n-p-n транзистор), на параллельно переходу включенном вольтметре наблюдаем значение максимального обратного напряжения, когда таковое перестает заметно прирастать при увеличении напряжения питания. Последнее обстоятельство (довольно низкое допустимое обратное напряжение перехода база-эмиттер) ограничивает максимальное выходное напряжение приводимой схемы выпрямителя 5 вольтами. Величина сопротивления R = 200 ом выбрана как компромисс для выходного напряжения до 5 В при токах нагрузки 1…2 А: слишком малая его величина ведет к излишним потерям в самом резисторе (неэкономична), большая же, - не позволяет полностью открываться транзисторам, из-за чего также увеличиваются потери (теперь на регулирующих транзисторах).

Транзисторы должны иметь как можно большее допустимое обратное напряжение перехода база-эмиттер и обладать максимально возможным коэффициентом усиления по току. Если будут применяться p-n-p транзисторы (например, КТ818), все диоды и оксидный фильтровый конденсатор следует "перевернуть" и полярность выходного напряжения сменится.

Можно пойти дальше и вместо дискретной регулировки выходного напряжения применить плавную, установив вместо диодов VD5…VDn и переключателя S, той же проводимости как VT1/VT2 (коллектором к точке соединения диодов VD1 и VD2, эмиттером к резистору R) и потенциометр, вывод движка которого следует соединить с базой дополнительного транзистора, а крайние выводы - с коллектором и эмиттером этого транзистора. Возможны также другие включения с падающей характеристикой (аналог динистора). Для экспериментатора здесь большое поле деятельности.

Литература

  1. Патент DDR-WP HO2 313189.7
  2. Dipl.-Ing. M. Franke
  3. FUNKAMATEUR 1988, № 11, стр. 554.

Перевод: Виктор Беседин (UA9LAQ) ua9laq@mail.ru, г. Тюмень; Публикация: cxem.net

Смотрите другие статьи раздела Блоки питания.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Использование Apple Vision Pro во время операций 16.03.2024

Медицинская команда больницы Кромвеля в Лондоне впервые применила Apple Vision Pro в ходе двух операций на позвоночнике. Это событие подтверждает потенциал гарнитуры в качестве медицинского инструмента, изменяющего подход к хирургической практике. Хотя сами врачи не использовали Vision Pro, операционная медсестра работала с виртуальной реальностью, используя очки во время подготовки и выполнения процедур. Гарнитура позволила просматривать виртуальные экраны в операционной, выбирать инструменты и следить за ходом операции. Программное обеспечение, разработанное компанией eXeX, специализирующейся на создании приложений на основе искусственного интеллекта для хирургии, существенно улучшило процесс оказания медицинской помощи пациентам. Использование Apple Vision Pro открывает новые возможности для разработки приложений в сфере здравоохранения, таких как клиническое образование, планирование операций, обучение и медицинская визуализация. Внедрение Apple Vision Pro в медицинскую пр ...>>

Хранение углерода в Северное море 16.03.2024

Министр энергетики Норвегии Терье Осланд объявил о запуске проекта Longship, нацеленного на создание центрального хранилища углекислого газа в Северном море. Этот амбициозный проект оценивается в $2,6 млрд и направлен на применение технологии CCS (углеродного захвата и хранения) для смягчения воздействия климатических изменений. Норвегия уже имеет опыт в области CCS благодаря успешным проектам Sleipner и Snohvit, и сейчас стремится увеличить объем углерода, запечатываемого под морским дном. План Longship предусматривает создание мощности по захвату и хранению 1,5 млн. тонн углерода ежегодно в течение 25 лет. Несмотря на позитивные перспективы, существуют опасения по поводу долгосрочных последствий такого хранения. Однако сторонники проекта утверждают, что морское хранение углерода имеет ряд преимуществ, включая минимальное воздействие на окружающую среду. Проект Longship осуществляется при участии компаний Equinor, Shell и TotalEnergies через совместное предприятие Northern Li ...>>

Выращены мини-органы из амниотической жидкости человека 15.03.2024

Международная команда ученых под руководством профессора Фань Сюлиня из Университета Чжэцзян разработала уникальный способ выращивания мини-органов из клеток, обнаруженных в амниотической жидкости человека. Этот значительный прорыв в медицине может привести к улучшению диагностики и лечения врожденных заболеваний. Органоиды, представляющие собой трехмерные клеточные структуры, имитирующие органы в меньшем масштабе, были выращены из клеток легких, почек и тонкого кишечника, найденных в амниотической жидкости. Этот метод открывает новые возможности для изучения различных состояний плода и может стать ключом к ранней диагностике и лечению врожденных дефектов. Хотя пока не проводились попытки использования этого метода в лечении, ученые надеются, что их исследования в будущем помогут бороться с серьезными врожденными заболеваниями, которые затрагивают миллионы новорожденных ежегодно. Этот прорыв может изменить практику медицинских вмешательств, позволяя диагностировать и лечить врожд ...>>

Случайная новость из Архива

48-слойная 3D NAND-флэш 25.03.2015

Официальным пресс-релизом компания Toshiba сообщила, что она начала поставки опытных партий первой в индустрии 48-слойной флэш-памяти типа 3D NAND.

Емкость микросхем составляет 128 Гбит (16 ГБ). Каждая ячейка памяти хранит два бита данных. У компании Toshiba, кстати, есть собственное обозначение для такого типа памяти - BiCS (Bit Cost Scalable) - масштабирование стоимости хранения одного бита. К массовому производству памяти BiCS компания приступит в первой половине 2016 года. В принципе, это согласуется с прошлыми планами компании начать выпуск 3D NAND-флэш в течение финансового 2015 года (по календарю - до апреля 2016 года).

Массовым производством памяти BiCS будет заниматься преимущественно перестраиваемая сейчас фабрика Fab 2 компании в Йоккаичи. Компания Samsung, напомним, выпускает 128-Гбит память типа 3D NAND в массовых количествах уже полтора года и дошла до производства второго поколения такой памяти (как в виде MLC, так и TLC NAND).

Компании Intel и Micron приступят к массовому выпуску 3D NAND во второй половине текущего года и сразу начнут производство с 256-Гбит микросхем. Образцы такой памяти уже поставляются.

Можно сделать вывод, что в значительных объемах память 3D NAND появится ближе к середине 2016 года.

Другие интересные новости:

▪ Искусственный интеллект отличит оригинал картины от подделки

▪ Новый метод квантового запутывания фотонов

▪ Человек топает сильнее слона

▪ Роботизированные поезда лондонского метро

▪ Космическая головная боль

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Прошивки. Подборка статей

▪ статья Управление финансами. Шпаргалка

▪ статья Какая профессия самая опасная в мире? Подробный ответ

▪ статья Прораб. Должностная инструкция

▪ статья Матовые лаки. Простые рецепты и советы

▪ статья Взаимопроникновение в спичечном коробке. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





All languages of this page

Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2024