Бесплатная техническая библиотека ЭНЦИКЛОПЕДИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ Приставка для проверки транзисторов. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Начинающему радиолюбителю [an error occurred while processing this directive] Известная по публикациям в журнале идея применения диодных мостов в измерительной технике позволила автору предлагаемой статьи разработать простую приставку - своеобразный коммутационный узел для контроля параметров биполярных и полевых транзисторов практически всех типов. Приставка используется совместно с многопредельным миллиамперметром постоянного тока и автономным источником питания. Она позволяет измерять немало параметров: статический коэффициент передачи тока биполярных транзисторов в схеме с общим эмиттером при фиксированном значении тока базы (10, 30, 100, 300 мкА; 1,3, 10, 30 мА); начальный ток стока полевых транзисторов с р-n переходом или встроенным каналом; ток стока полевых транзисторов с индуцированным каналом при напряжении на затворе, равном половине напряжения сток-исток; крутизну характеристики полевых транзисторов с двумя затворами по каждому из них; крутизну характеристики полевых транзисторов при использовании вывода подложки (корпус-подложка) в качестве второго затвора. Идея этой приставки заимствована из [1]. Принципиальная схема приставки приведена на рисунке. Транзистор VT1 и резисторы R1-R8 образуют источник стабильного тока для питания цепи базы проверяемого биполярного транзистора, выводы которого включают в гнезда Х1-ХЗ. Значение тока устанавливают переключателем SA1. Диоды VD5, VD6 и резистор R14 определяют смещение по цепи истока полевого транзистора. Делители R9, R10 и R11-R13 обеспечивают смещение на первом (31) и втором (32) затворах. Напряжение на первом затворе (гнездо Х5) должно быть равно падению напряжения на диодах VD5, VD6. Такое же напряжение должно быть и в точке соединения резисторов R12, R13. Полярность напряжения питания, в зависимости от типа биполярного (канала полевого) транзистора, устанавливают переключателем SA2. При этом благодаря диодным мостам на диодах VD1 - VD4 и VD7-VD10 удалось обойтись без переключений полярности в цепи базы и коллектора (стока) проверяемого транзистора. Переключатель SA1 - галетный, SA2- типа П2К или аналогичный на два положения с двумя группами контактов. Кнопки SB1-SB3 - МП9 либо другие. Диоды VD1-VD4 могут быть любые кремниевые с максимальным прямым током 40-60 мА и обратным напряжением не менее 30 В, VD5-VD10 - также кремниевые, рассчитанные на прямой ток до 1 А при обратном напряжении не менее 30 В. Диоды VD1-VD4 и VD7-VD10 допустимо заменить соответствующими по параметрам блоками серий КЦ402-КЦ405. Транзистор (он может быть, кроме указанного на схеме, КП302В, КП302Г) необходимо установить на теплоотвод, поскольку при проверке мощных транзисторов либо установке тока базы 30 мА на нем будет рассеиваться значительная мощность. Измерительный прибор, подключаемый к приставке, - многопредельный любого типа с максимальным током от десятков до сотен миллиампер. Источник питания должен обеспечивать постоянное напряжение 4. 5 В и ток до 1 А - на случай контроля биполярных транзисторов большой мощности. Для контроля полевых транзисторов с индуцированным каналом напряжение питания должно быть 9...15 В, поэтому в блоке питания необходимо установить переключатель выходного напряжения, которое, кстати, совсем не обязательно стабилизировать. Настройку приставки начинают с подбора резисторов R1-R8, контролируя ток между гнездами Х1 и ХЗ и устанавливая подвижный контакт переключателя SA1 в соответствующее положение. Подбор каждого резистора заканчивают, если ток не отличается более чем на 10 % от желаемого. После этого подбирают резисторы R10, R13 такого сопротивления, чтобы напряжение на них было равно или немного меньше падения напряжения на диодах VD5, VD6. Чтобы удобно было подключать к приставке проверяемые транзисторы, необходимо изготовить переходные панели с гибкими выводами, оканчивающимися вилками, вставляемыми в гнезда приставки. Для мощных транзисторов следует изготовить одиночные проводники с зажимами "крокодил" и вилками. Перед подключением транзистора для контроля необходимо установить переключателем структуру (тип канала), подключить миллиамперметр с максимальным пределом измерений, включить источник питания. Значение тока базы 10 и 30 мА следует устанавливать переключателем SA1 только в момент измерений при нажатой кнопке SB 1, а переключать пределы измерений миллиамперметра - при отпущенной этой кнопке. Проверку биполярных транзисторов ведут в такой последовательности. 1. Переключателем SA2 установить нужную структуру - р-n-р или n-р-n. 2. Подсоединить миллиамперметр, источник питания и транзистор к соответствующим гнездам. 3. Переключателем SA1 установить требуемый ток базы. 4. Нажать кнопку SB1 и определить по шкале миллиамперметра ток коллектора, после чего рассчитать коэффициент передачи тока базы по формуле h21Э=Ik/Iб. Если цоколевка выводов транзистора неизвестна, необходимо вначале определить базу и структуру транзистора с помощью омметра по известной методике. Выводы эмиттера и коллектора определяют по максимальному значению h21Э. А вот какова последовательность проверки полевых транзисторов. 1. Переключателем SA2 установить тип канала. 2. Подсоединить миллиамперметр и источник питания. 3. МДП транзистор со встроенным каналом или транзистор с р-n переходом соединить с соответствующими гнездами: исток - с гнездом Х7 ("И"), подложку (корпус-подложку) - с Х8 ("П"), затвор - с Х5 ("31"), сток -сХ4 ("С"). 4. Нажать на кнопку SB1 и определить по отклонению стрелки миллиамперметра значение тока стока - он должен соответствовать параметру Ic нач, приводимому в справочниках. 5. Нажать одновременно на кнопки SB1, SB2 и определить новое значение тока стока. 6. Рассчитать крутизну характеристики по формуле S = lc/U, где lc - разность токов, измеренных по п. 4 и 5, мА; U - падение напряжения на резисторе R10, В. Сравнить полученное значение со справочными данными. 7. Вывод затвора соединить с гнездом ХЗ, а вывод подложки (корпуса-подложки) - с гнездом Х5. 8. Нажать на кнопку SB1 и определить ток стока, после чего нажать одновременно на SB1, SB2 и определить новое значение тока. 9. Рассчитать значение крутизны по подложке по формуле sn = Ic/u, где Ic - разность токов, измеренных по п. 8, мА; U - падение напряжения на резисторе R10, В. В [2] рассмотрены вопросы использования подложки (корпуса-подложки) в качестве второго затвора, но в справочниках этот параметр не приводится. При проверке МДП транзисторов с индуцированным каналом соединения выполнить, как и в предыдущем случае, но вывод затвора соединить с гнездом Х6 ("32"). Измерить токи стока, нажимая сначала на кнопку SB1, а затем одновременно на кнопки SB1 и SB2. Рассчитать значение крутизны по первому затвору, учитывая, что U - падение напряжения на резисторе R13. Чтобы определить крутизну по подложке, этот вывод нужно соединить с гнездом Х5 (31). Как и в предыдущем случае, сначала нажимают на кнопку SB1, а затем одновременно на SB1 и SB2. После этого рассчитывают значение крутизны, учитывая, что U - падение напряжения на резисторе R10. Контролируя транзисторы данного типа, следует помнить, что ток стока, измеренный по первому пункту, должен соответствовать току, определяемому по семейству сток-затворных характеристик, приводимых в справочниках (Uси - напряжение питания; Uзи = 0,5 Uси). Для контроля двухзатворных полевых транзисторов необходимо сначала установить переключателем SA2 тип канала, после чего подсоединить к приставке выводы транзистора в такой очередности: исток, первый затвор, второй затвор, сток. Манипулируя нажатием на кнопки SB1, одновременно на SB1 и SB2, одновременно на SB 1 и SB3, измерить токи стока и рассчитать значение крутизны по затворам. Проверка таких транзисторов возможна только в режиме обогащения. Литература
Автор: В.Календо, г.Минск, Белоруссия Смотрите другие статьи раздела Начинающему радиолюбителю. Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье. Последние новости науки и техники, новинки электроники: Искусственная кожа для эмуляции прикосновений
15.04.2024 Кошачий унитаз Petgugu Global
15.04.2024 Привлекательность заботливых мужчин
14.04.2024
Другие интересные новости: ▪ Алмазные нанонити эффективнее Li-Ion батарей ▪ Планшетный компьютер ZenPad C 7.0 ▪ Интернет-зависимость скрывается в генах Лента новостей науки и техники, новинок электроники
Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки: ▪ раздел сайта Телевидение. Подборка статей ▪ статья Акустические колебания. Основы безопасной жизнедеятельности ▪ статья Как тренируют собак-поводырей? Подробный ответ ▪ статья Нормативные документы по обеспечению промышленной безопасности ▪ статья Устройство защиты громкоговорителей. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники ▪ статья Устройство Caller ID. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
Оставьте свой комментарий к этой статье: All languages of this page Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте www.diagram.com.ua |